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公开(公告)号：KR101322708B1
公开(公告)日：2013-10-29
申请号：KR1020060000164
申请日：2006-01-02
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: C01G9/02 , B82Y30/00 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2004/04 , C01P2004/16 , C01P2004/64 , Y10S977/762 , Y10S977/81 , Y10S977/811
Abstract: 직경이 작고 긴 산화아연 나노와이어의 제조방법이 개시된다. 상기 제조방법은 기판 위에 히드록실기가 함유된 ZnO 시드층을 형성하는 단계; 및 상기 히드록실기가 함유된 ZnO 시드층 위에 ZnO 나노와이어를 성장시키는 단계;를 포함한다. 상기 ZnO 시드층은 히드록실기를 50% 이상 함유한 ZnO 시드 박막인 것이 바람직하다.
산화아연, ZnO, 나노와이어, 나노선, 히드록실기, OH-
公开(公告)号：KR101015498B1
公开(公告)日：2011-02-21
申请号：KR1020030038521
申请日：2003-06-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/772 , B82Y10/00
CPC classification number: H01L51/057 , B82Y10/00 , G11C2213/18 , H01L51/0048
Abstract: 수직 카본나노튜브를 전계효과트랜지스터 및 그 제조방법에 관해 개시한다. 개시된 제조방법은 제 1 전극 상에 제1매립층 및 제2매립층 그리고 제1매립층 및 제2매립층 사이의 희생층을 포함하는 다중적층을 형성하는 단계; 상기 다중적층에 수직의 우물을 형성하는 단계; 상기 우물에 CNT를 성장하는 단계; 상기 우물이 형성된 다중적층 위에 상기 CNT에 접속되는 제2전극을 형성하는 단계; 상기 제2전극위에 보호층을 형성하는 단계; 상기 희생층을 제거하여 제1매립층과 제2매립층 사이로 CNT를 노출시키는 단계; 상기 CNT의 노출면에 게이트 절연층을 형성하는 단계; 상기 수직의 CNT를 둘러싸는 게이트를 게이트 절연층 상에 형성하는 단계;를 포함한다. 따라서, 채널은 게이트에 의해 완전히 둘러싸이게 되며, 따라서 게이트의 전계효과가 극대화된다. 또한, 완전히 둘러싸인 채널에 형성되는 공핍층 (depletion layer)이 일종의 완전한 공핍층(fully depletion layer)이 되기 때문에 Ion/Ioff가 향상된다.
전계효과, 트랜지스터, 카본나노튜브, 수직형, 에워싸인-
公开(公告)号：KR100958055B1
公开(公告)日：2010-05-13
申请号：KR1020030028173
申请日：2003-05-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/335 , B82Y40/00
Abstract: 카본나노튜브를 채널로 적용한 전계효과트랜지스터 및 그 제조방법에 관해 개시한다. 개시된 트랜지스터는 기판에 나란히 배치되는 카본나노튜브 또는 카본나노튜브 번들에 의한 채널을 구비하며, 채널은 게이트에 의해 완전히 둘러싸인 구조를 가진다. 게이트가 채널 영역을 완전히 둘러싸고 있으므로 게이트의 전계효과를 극대화된다. 또한, 완전히 둘러싸인 채널에 형성되는 공핍층 (depletion layer)은 일종의 완전한 공핍층(fully depletion layer)이 되기 때문에 Ion/Ioff를 극대화할 수 있게 된다.
전계효과, 트랜지스터, 카본나노튜브, 수평형, 에워싸인-
公开(公告)号：KR100803210B1
公开(公告)日：2008-02-14
申请号：KR1020060031933
申请日：2006-04-07
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01J1/304 , B82Y10/00 , H01J9/025 , H01J2201/30469
Abstract: 본 발명은 탄소나노튜브를 이용한 전계 방출 전극, 이를 이용한 전계 방출 소자 및 그 제조방법에 관하여 개시한다. 개시된 탄소나노튜브를 이용한 전계 방출 전극은, 기판 상에 형성된 ZnO층; 및 상기 ZnO층 상에 형성된 탄소나노튜브를 구비한다. 따라서, ZnO층 상에 형성한 단일벽 탄소나노튜브를 포함하는 전극을 전계 방출 소자에 적용하여 구동 전압을 낮출 수 있는 효과가 있다.
단일벽 탄소나노튜브, ZnO, 전계 방출 전극, 촉매, 물플라즈마 화학기상증착법-
公开(公告)号：KR1020070100532A
公开(公告)日：2007-10-11
申请号：KR1020060031933
申请日：2006-04-07
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01J1/304 , B82Y10/00 , H01J9/025 , H01J2201/30469 , B82Y40/00
Abstract: A field emission electrode using carbon nanotubes and a manufacturing method thereof are provided to reduce a driving voltage of a field emission device by applying an electrode including single-walled carbon nanotubes formed on a ZnO layer. A field emission electrode includes a substrate(10), a ZnO layer(12) formed on the substrate and carbon nanotubes(16) formed on the ZnO layer. The carbon nanotubes is grown on a catalyst material(14). The conductivity of the ZnO layer is controlled by doping a dopant containing any one of In, Al, Li, Tb, Ga, Co, B and Zr. Since the ZnO layer is stable at a relatively high temperature, the carbon nanotubes are stably formed on the substrate at a relatively high temperature.
Abstract translation: 提供使用碳纳米管的场致发射电极及其制造方法，通过施加包含形成在ZnO层上的单壁碳纳米管的电极来降低场致发射器件的驱动电压。 场致发射电极包括基板（10），形成在基板上的ZnO层（12）和形成在ZnO层上的碳纳米管（16）。 碳纳米管在催化剂材料（14）上生长。 通过掺杂含有In，Al，Li，Tb，Ga，Co，B和Zr中的任一种的掺杂剂来控制ZnO层的导电性。 由于ZnO层在相对高的温度下是稳定的，所以在相对较高的温度下在基板上稳定地形成碳纳米管。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100624451B1
公开(公告)日：2006-09-18
申请号：KR1020040108034
申请日：2004-12-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/108
CPC classification number: H01L21/02156 , C23C16/401 , H01L21/02153 , H01L21/0228 , H01L21/31691 , Y10T428/12597 , Y10T428/12611
Abstract: 본 발명은 반도체 소자에 사용되는 비정질 고유전 박막 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 반도체 소자에 사용되는 유전막에 있어서, 상기 유전막은 Bi, Ti, Si 및 O를 포함하는 비정질 유전막을 제공하여, DRAM과 같은 소자의 캐패시터의 유전막 물질로 BTSO계 비정질 박막을 사용함으로써, 유전상수가 60이상이며, 유전 박막의 물리적 두께를 줄일 때 나타나는 누설 전류의 증가를 방지할 수 있어, 반도체 소자의 집적화에 매우 유용하다.
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公开(公告)号：KR1020060091649A
公开(公告)日：2006-08-21
申请号：KR1020050012914
申请日：2005-02-16
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , B82Y10/00
CPC classification number: H01L29/7881 , H01L29/4232 , H01L29/42324 , H01L29/513 , H01L29/792 , H01L21/28282
Abstract: 반도체 기판 상에 형성된 터널 절연막과, 터널 절연막 상에 형성된 스토리지 노드와, 스토리지 노드 상에 형성된 블로킹 절연막, 및 블로킹 절연막 상에 형성된 제어 게이트 전극을 포함하는 비휘발성 메모리 소자가 개시된다. 스토리지 노드는 트랩 밀도가 서로 다른 적어도 2 이상의 트랩막들을 포함하고, 블로킹 절연막은 실리콘 산화막보다 높은 유전율을 갖는다.
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公开(公告)号：KR100421223B1
公开(公告)日：2004-03-02
申请号：KR1020010078887
申请日：2001-12-13
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: C23C16/455
Abstract: PURPOSE: A showerhead for chemical vapor reactor in which a source is uniformly emitted from an outlet of the showerhead is provided. CONSTITUTION: The showerhead(100) for chemical vapor reactor is characterized in that first, second and third circular plates(110,120,150) are sequentially laid up and formed in such a way that the side surface of the first, second and third circular plates is sealed, at least two of 'n' source injection holes(114) arranged on a concentric circle separated from the central axis in a certain distance with the 'n' source injection holes being spaced apart from each other in an equal gap, and a reaction gas injection hole(112) penetrating the first circular plate are formed on the first circular plate, a reaction gas passing hole(122) corresponding to the reaction gas injection hole, and 'n' sectors uniformly split centering around the source injection holes are formed on the second circular plate, first groove(126) formed with respectively spaced apart from the central axis and outer circumference in a certain distance at a line extended to the source injection holes from the central axis, a plurality of second grooves(128) formed with extended from the first groove to a position that is spaced apart from a boundary line of the sectors in a certain distance, and a plurality of source dispersion holes(130) at the lower part of the second grooves are formed in the sectors, and a source passing hole(152) formed correspondingly to the source dispersion holes so that a source passing the source dispersion holes passes through the third circular plate, third groove(154) separated from the source passing hole in a certain distance and opened to the reaction gas injection hole so that the third groove becomes a diffusion path of the reaction gas, and a plurality of reaction gas injection holes at the lower part of the third groove are formed on the third circular plate.
Abstract translation: 目的：提供化学蒸汽反应器的喷头，其中源头从喷头出口均匀排出。 组成：用于化学蒸气反应器的喷头（100）的特征在于，第一，第二和第三圆形板（110,120,150）顺序地铺设并形成为使得第一，第二和第三圆形板的侧表面被密封 ，'n'个源喷射孔（114）中的至少两个布置在与中心轴隔开一定距离的同心圆上，同时'n'个源喷射孔以相等的间隙彼此间隔开，并且反应 在第一圆板上形成穿透第一圆板的气体注入孔（112），形成与反应气体注入孔对应的反应气体通过孔（122），以及以源注入孔为中心均匀分开的“n”个区段 在所述第二圆板上形成有第一凹槽（126），所述第一凹槽（126）在从所述中心轴线延伸到所述源注入孔的线上以一定距离分别与所述中心轴线和外圆周间隔开地形成， s，多个第二沟槽（128）以及多个源极分散孔（130），所述多个第二沟槽（128）从所述第一沟槽延伸到与所述扇区的边界线隔开一定距离的位置，所述多个源极分散孔（130） 的第二凹槽形成在扇区中;以及源通孔（152），对应于源极扩散孔形成，使得通过源扩散孔的源通过第三圆板，第三凹槽（154）与源极 使第三槽成为反应气体的扩散路径，并且在第三槽的下部形成多个反应气体喷射孔 盘子。
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公开(公告)号：KR100421219B1
公开(公告)日：2004-03-02
申请号：KR1020010033532
申请日：2001-06-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/20
CPC classification number: C23C16/45542 , C23C16/40 , C23C16/405 , C23C16/45553 , C23C16/5096
Abstract: An atomic layer deposition (ALD) method, whereby an organometallic complex with a beta-diketone ligand is chemically adsorbed onto a substrate and oxidized by activated oxygen radicals to deposit an atomic metal oxide layer on the substrate, uses reactive oxygen radicals generated using plasma and an organometallic complex having a beta-diketone ligand as a precursor, which could not be used in a thermal ALD method using oxygen or water as an oxidizing agent, to address and solve the problem of the removal of organic substances using organometallic complexes with beta-diketone ligands, thereby enabling diversification of the precursors for ALD and formation of excellent oxide films at low temperatures.
Abstract translation: 通过将具有β-二酮配体的有机金属配合物化学吸附到基材上并通过活化的氧自由基氧化以在基材上沉积原子金属氧化物层，使用利用等离子体产生的活性氧自由基和 具有β-二酮配体作为前体的有机金属配合物，其不能用于使用氧气或水作为氧化剂的热ALD方法，以解决和解决使用具有β-二酮配体的有机金属配合物去除有机物质的问题， 二酮配体，从而使ALD前体多样化并在低温下形成优异的氧化物膜。
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公开(公告)号：KR1020040015428A
公开(公告)日：2004-02-19
申请号：KR1020020047518
申请日：2002-08-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/108
CPC classification number: H01L21/02181 , C01G27/02 , C01G27/04 , C01P2006/80 , C07F7/006 , H01L21/02205 , H01L21/28194 , H01L21/3141 , H01L21/31645 , H01L29/517
Abstract: PURPOSE: A precursor for forming an HfO2 layer and a method for forming the HfO2 layer using the same are provided to be capable of improving electrical characteristics while a low temperature depositing process is carried out, and improving deposition speed and step coverage. CONSTITUTION: A precursor for forming an HfO2 layer is formed by coupling HfCl4 and nitrogen compound. Preferably, the nitrogen compound is one selected from a group consisting of pyridine based nitrogen compound, amine based nitrogen compound, and nitride based nitrogen compound. Preferably, the amine based nitrogen compound is the compound formed by the first chemical equation of 'NR1R2R3'. At this time, the 'R1', 'R2', 'R3' are predetermined alkyl radicals, respectively.
Abstract translation: 目的：提供用于形成HfO 2层的前体和使用其的形成HfO 2层的方法，以便能够在进行低温沉积处理时提高电特性，并且提高沉积速度和步骤覆盖。 构成：通过偶联HfCl 4和氮化合物形成用于形成HfO 2层的前体。 氮化合物优选选自吡啶类氮化合物，胺系氮化合物和氮化物系氮化合物。 优选地，胺类氮化合物是由第一化学方程'NR1R2R3'形成的化合物。 此时，“R1”，“R2”，“R3”分别为预定的烷基。
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