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公开(公告)号：KR100982714B1
公开(公告)日：2010-09-16
申请号：KR1020080087585
申请日：2008-09-05
Applicant: 이홍희 , 서울대학교산학협력단
IPC: G02F1/136 , H01L29/786
Abstract: 본 발명은 용액 공정이 가능한 졸-겔 무기물을 이용하여 반도체 층 및/또는 절연막을 형성하는 기법에 관한 것으로, 무기물을 사용하는 전통적인 리소그라피 방법 또는 유기물을 사용하는 고온 공정의 비전통적인 리소그라피 방법으로 박막 트랜지스터를 제조하는 종래 방식과는 달리, 용액 공정이 가능한 졸-겔 무기물을 반도체 층 또는 반도체 층과 절연막으로 사용하며, 졸-겔 무기물로서 고온 경화가 가능한 졸-겔 용액과 저온 경화가 가능한 졸-겔 용액을 혼합한 혼합 졸-겔 용액을 이용함으로써, 무기물 박막 트랜지스터의 우수한 장점인 성능과 안정성을 확보하면서도 제조 공정의 간소화와 동시에 그 제조 비용의 절감을 실현할 수 있으며, 또한 공정 온도를 대폭 낮춤으로써 박막 트랜지스터 제조 공법의 다양한 활용 가능성과 적용 확장성을 확보할 수 있는 것이다.
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公开(公告)号：KR102079361B1
公开(公告)日：2020-04-08
申请号：KR1020180086236
申请日：2018-07-24
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: B01J3/04 , C07D493/22 , B82Y40/00
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公开(公告)号：KR1020100035952A
公开(公告)日：2010-04-07
申请号：KR1020080095352
申请日：2008-09-29
Applicant: 주식회사 미뉴타텍 , 서울대학교산학협력단
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing nanostructures is provided to obtain a uniform adhesive force according to intermolecular attraction regardless of surface roughness of adhered objects and to obtain a dry adhesive which is repeatedly used without the damage of a nano-hair structure. CONSTITUTION: A method for manufacturing nanostructures comprises the following steps: forming a nano-hair structure(110) on a substrate(108); and transforming the nano-hair structure into an inclined nano-hair structure by applying energy to the nano-hair structure at a constant angle. The inclined nano-hair structure is used as the adhesive surface of a dry adhesive. The inclined nano-hair structure is inclined to the direction in which energy is applied.
Abstract translation: 目的：提供一种制造纳米结构的方法，以便根据分子间的吸引力获得均匀的粘合力，而不管粘附物体的表面粗糙度如何，并获得重复使用而没有纳米头发结构的损伤的干燥粘合剂。 构成：制造纳米结构的方法包括以下步骤：在基底（108）上形成纳米毛发结构（110）; 并通过以恒定角度向纳米头发结构施加能量，将纳米头发结构转变成倾斜的纳米毛发结构。 倾斜的纳米头发结构用作干燥粘合剂的粘合剂表面。 倾斜的纳米毛发结构向施加能量的方向倾斜。
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公开(公告)号：KR1020100028726A
公开(公告)日：2010-03-15
申请号：KR1020080087585
申请日：2008-09-05
Applicant: 이홍희 , 서울대학교산학협력단
IPC: G02F1/136 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L21/208 , H01L29/4908
Abstract: PURPOSE: A method of manufacturing a thin film transistor is provided, which can save the manufacturing cost and obtains the simplification of the manufacturing process. CONSTITUTION: A method of manufacturing a thin film transistor is constituted as follows. The thin film transistor comprises a gate electrode(104), a semiconductor layer(108), and a source/drain electrode(110). The gate electrode is formed on the glass substrate. The semiconductor layer functions the active layer while being formed on the insulating layer(106). The source drain electrode is formed in the form of exposing the partial upper part on the semiconductor layer.
Abstract translation: 目的：提供一种制造薄膜晶体管的方法，其可以节省制造成本并且获得制造工艺的简化。 构成：制造薄膜晶体管的方法如下构成。 薄膜晶体管包括栅电极（104），半导体层（108）和源/漏电极（110）。 栅电极形成在玻璃基板上。 半导体层在形成在绝缘层（106）上的同时起作用。 源极漏极形成为暴露半导体层上的部分上部的形式。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR1020160094778A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：KR1020150016214
申请日：2015-02-02
Applicant: 서울대학교산학협력단
CPC classification number: Y02A20/204 , E02B15/06 , E02B15/08
Abstract: 본발명은오일흡수체및 이를이용한오일수거장치에관한것으로, 금속메쉬또는금속판에그래핀옥사이드가적층되어형성된오일흡수체및, 이를이용하여오일수거장치를제공하되, 상기오일수거장치는입체형으로형성된다면체에, 상기오일흡수체가 1면이상포함된오일수거장치를제공한다.
Abstract translation: 油吸收器技术领域本发明涉及一种油吸收器和使用该油吸收器的油收集装置。 本发明提供使用油吸收剂的油收集装置和通过使氧化石墨烯层压在金属网或金属板上形成的吸油剂。 油收集装置具有三维形状的多面体，其中，吸收剂形成在多面体的一个或多个表面上。
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公开(公告)号：KR101402269B1
公开(公告)日：2014-06-03
申请号：KR1020120121601
申请日：2012-10-30
Applicant: 서울대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 그래핀 나노랩, 그래핀 나노랩 파이버 및 이들의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 2이상의 탄소나노튜브를 그래핀으로 랩핑(wrapping)하여 연결하는 것을 특징으로 하는 그래핀 나노랩, 그래핀 나노랩 파이버 및 이들의 제조방법을 제공한다.
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公开(公告)号：KR101179494B1
公开(公告)日：2012-09-07
申请号：KR1020090021233
申请日：2009-03-12
Applicant: 주식회사 미뉴타텍 , 서울대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 표시 장치용 윈도우 패널 및 그 제작 기법에 관한 것으로, 본 발명은, 먼지와 유기물 등에 기인하는 오염물이 흡착 가능한 표시 장치의 표면에 대해 미세 패턴 구조를 적용하여 오염물과의 접촉 표면적을 상대적으로 줄여 줌으로써, 표시 장치의 표면에 얼룩 또는 오염이 흡착되는 것을 효과적으로 억제할 수 있을 뿐만 아니라 흡착된 오염물의 효과적인 제거(탈착)를 실현할 수 있는 것이다.
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公开(公告)号：KR1020120030780A
公开(公告)日：2012-03-29
申请号：KR1020100092512
申请日：2010-09-20
Applicant: 서울대학교산학협력단
CPC classification number: H01L31/1884 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/184 , C23C14/0605 , C30B1/023 , C30B29/02 , H01L21/02491 , H01L21/02513 , H01L21/02527 , H01L21/02667 , H01L31/022466 , Y02E10/50
Abstract: PURPOSE: A graphene structure, a method for manufacturing the same, and a transparent electrode using the graphene structure are provided to form crystallized graphene at relatively low temperatures and to directly form graphene on a substrate for manufacturing a device based on the metal junction of an amorphous carbon film. CONSTITUTION: An amorphous carbon film is formed on a substrate(100). A graphitization catalyst film is formed on the amorphous carbon film. The amorphous carbon film and the graphitization catalyst film are thermally treated to crystallize the amorphous carbon film to form a graphene film(130) on the graphitization catalyst film. The graphitization catalyst film is agglomerated. The graphitization catalyst film is a material for crystallizing amorphous carbon by heating. A graphene structure includes graphitization catalyst particles(120P) and the graphene film.
Abstract translation: 目的：提供石墨烯结构，其制造方法和使用石墨烯结构的透明电极，以在相对低的温度下形成结晶化的石墨烯，并且直接在基板上形成石墨烯，用于制造基于金属结的 无定形碳膜。 构成：在基板（100）上形成无定形碳膜。 在无定形碳膜上形成石墨化催化剂膜。 对无定形碳膜和石墨化催化剂膜进行热处理以使无定形碳膜结晶，以在石墨化催化剂膜上形成石墨烯膜（130）。 石墨化催化剂膜凝聚。 石墨化催化剂膜是通过加热使无定形碳结晶的材料。 石墨烯结构包括石墨化催化剂颗粒（120P）和石墨烯膜。
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