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公开(公告)号：WO2021150043A1
公开(公告)日：2021-07-29
申请号：PCT/KR2021/000857
申请日：2021-01-21
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: C07D493/22 , C01B32/198 , B82Y40/00
Abstract: 본 발명은 상압에서 유기-유기 복합 탄소질 나노플레이트를 제조하는 방법 및 이에 의해 제조된 유기-유기 복합 탄소질 나노플레이트에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 산화 그래핀과 유사한 기하학적, 화학적 특징을 나타내며, 폴리머의 충전제로써 뛰어난 기능을 하는 유기-유기 복합 탄소질 나노플레이트를 상압 조건에서 대량으로 제조하는 방법 및 이에 의해 제조된 유기-유기 복합 탄소질 나노플레이트에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 종래기술의 방법과 달리 비용 및 생산량 측면에서 월등히 유리하여 산화그래핀이 적용되는 다양한 기술분야에서 폭넓게 적용이 가능하며, 분산성이 우수하여 다양한 용매에 분산될 수 있는 특징이 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR102079361B1
公开(公告)日：2020-04-08
申请号：KR1020180086236
申请日：2018-07-24
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: B01J3/04 , C07D493/22 , B82Y40/00
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公开(公告)号：KR101436948B1
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：KR1020120074136
申请日：2012-07-06
Applicant: 서울대학교산학협력단
CPC classification number: H01J1/304 , C01B32/16 , C01B2202/34
Abstract: 본 발명은 탄소나노튜브 구조체, 이의 제조방법 및 이를 이용한 전계방출장치에 관한 것으로 보다 상세하게는 탄소나노튜브 구조체에 있어서, 상기 탄소나노튜브는 일체의 고밀도 및 저밀도 부분으로 구분되되, 상기 고밀도 부분은 탄소나노튜브가 나란하게 배열되며, 상기 저밀도 부분은 상기 고밀도에 비해 상대적으로 저밀도이면서 고밀도의 경계 부분에서부터 멀어질수록 점진적으로 밀도가 낮아지는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 구조체, 이의 제조방법 및 이를 이용한 전계방출장치를 제공한다.
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公开(公告)号：KR1020140017879A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：KR1020120084592
申请日：2012-08-01
Applicant: 삼성전자주식회사 , 서울대학교산학협력단
CPC classification number: G01H9/00 , A61B8/4483 , B06B1/00
Abstract: The present invention relates to an ultrasonic wave converter, an ultrasonic wave generating apparatus and a system including the same. According to one embodiment of the present invention, the ultrasonic wave converter includes a light absorption layer generating heat by absorbing incident light; and a thermal elastic layer generating ultrasonic waves by changing volume due to the heat. [Reference numerals] (112) Light absorption layer; (114) Thermal elastic layer; (116) Substrate; (AA) Light
Abstract translation: 本发明涉及超声波转换器，超声波发生装置及包括该超声波发生装置的系统。 根据本发明的一个实施例，超声波转换器包括通过吸收入射光产生热的光吸收层; 以及通过由于热而改变体积而产生超声波的热弹性层。 （附图标记）（112）光吸收层; （114）热弹性层; （116）基材; （AA）光
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公开(公告)号：KR1020140006659A
公开(公告)日：2014-01-16
申请号：KR1020120074136
申请日：2012-07-06
Applicant: 서울대학교산학협력단
CPC classification number: H01J1/304 , C01B32/16 , C01B2202/34 , C01B32/158 , B82B1/00 , B82B3/00 , C01B2202/02 , C01B2202/06 , C01B2202/08 , H01J2201/30469
Abstract: The present invention relates to a carbon nanotube structure, a production method thereof, and a field emission device using the same, more specifically to: a carbon nanotube structure which includes carbon nanotubes divided into a high density part and a low density part integrated to each other; a production method thereof; and a field emission device using the same. In the high density part, the carbon nanotubes are arranged side by side. The low density part has relatively lower density than the high density part, and has the density gradually lowering from the boundary with the high density part to the area far from the high density part.
Abstract translation: 本发明涉及碳纳米管结构及其制造方法以及使用该碳纳米管结构的场致发射器件，更具体地说，涉及：碳纳米管结构，其包括分为高密度部分的碳纳米管和与各密度部分积分的低密度部分 其他; 其制造方法; 以及使用其的场发射装置。 在高密度部分中，碳纳米管并排布置。 低密度部分的密度比高密度部分具有相对较低的密度，并且具有从高密度部分到远离高密度部分的区域的密度逐渐降低的密度。
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