Abstract:
메모리 시스템은 복수의 계층의 메모리를 포함하는 하는 것으로, 상위 메모리 계층, 상기 상위 메모리 계층 하위에 배치되고, 비휘발성 메모리로 이루어진 제 1 서브 메모리와 휘발성 메모리로 이루어진 제 2 서브 메모리를 병렬구조로 포함하는 중간 메모리 계층, 및 상기 상위 메모리 계층 및 중간 메모리 계층의 동작을 제어하는 메모리 관리 유닛을 포함하되, 상기 중간 메모리 계층은 상기 상위 메모리 계층에 의하여 참조되는 것이고, 상기 메모리 관리 유닛은 상기 메모리 시스템을 포함하는 사용자 단말의 일반 모드 동작시에 상기 제 2 서브 메모리에 저장된 데이터들 중 소정의 조건에 해당하는 데이터를 상기 제 1 서브 메모리에 미리 저장시킨다.
Abstract:
메모리 시스템은 복수의 계층의 메모리를 포함하는 하는 것으로, 상위 메모리 계층, 저장 장치 계층, 상기 상위 메모리 계층 및 저장 장치 계층 사이에 배치되고, 비휘발성 메모리로 이루어진 제 1 서브 메모리와 휘발성 메모리로 이루어진 제 2 서브 메모리를 병렬구조로 포함하는 중간 메모리 계층 및 상기 상위 메모리 계층, 중간 메모리 계층 및 저장 장치 계층의 동작을 제어하는 메모리 관리 유닛을 포함하되, 상기 중간 메모리 계층 및 저장 장치 계층은 상기 상위 메모리 계층에 의하여 참조되는 것이고, 상기 메모리 관리 유닛은 상기 메모리 시스템을 포함하는 사용자 단말의 일반 모드 동작시에 상기 제 2 서브 메모리에 저장된 데이터들 중 소정의 조건에 해당하는 데이터를 상기 제 1 서브 메모리에 미리 저장시킨다.
Abstract:
PURPOSE: A memory system including a non-volatile memory and a volatile memory and a processing method using the system are provided to improve efficiency by loading reading reference generated data on a non-volatile memory with the improved reading speed performance and loading writing reference generated data on a volatile memory with the improved writing speed performance. CONSTITUTION: A first memory layer(1100) is composed of a volatile memory. A third memory layer(1300) is composed of a non-volatile memory. A second memory layer(1200) is arranged between the first memory layer and the third memory layer and includes a first sub-memory(1210) and a second sub-memory(1220) which load data in responds to memory reference failure generated in the first memory layer. The first sub-memory loads data with read reference failure. The second sub-memory loads data with writing reference failure.
Abstract:
The memory system includes multiple layers of memories. The memory system comprises an upper memory layer; an intermediate memory layer which is arranged under the upper memory layer and in which a first sub memory composed of a non-volatile memory and a second sub memory composed of a volatile memory are provided in a parallel structure; and a memory management unit for controlling the operation of the upper memory layer and the intermediate memory layer. The intermediate memory layer is referred by the upper memory layer. The memory management unit stores data corresponding to a predetermined condition among the data stored in the second sub memory in the first sub memory in advance in the normal mode operation of a user terminal including the memory system. [Reference numerals] (110) Upper memory layer; (120) Intermediate memory layer; (122) First sub memory; (124) Second sub memory; (130) Storage device layer; (140) Memory management unit
Abstract:
PURPOSE: A cache controller and a cache block replacement method are provided to select a clean block as a replacement block first, thereby storing a new block in a cache memory without delay. CONSTITUTION: A cache controller(100) includes a content change state monitoring unit(120) and a cache block replacement unit(140). The content change state monitoring unit monitors a change of part of blocks in the same set of a cache memory exists. When the change of part of blocks in the same set of the cache memory exists, the cache block replacement unit replaces blocks whose contents are not changed.