公开(公告)号：KR1020160104321A

公开(公告)日：2016-09-05

申请号：KR1020150027161

申请日：2015-02-26

Applicant: 숭실대학교산학협력단

Inventor： 김도환 ,  박상식 ,  박도형 ,  이원재

IPC: H01L29/66 ,  H01L29/40

CPC classification number: H01L29/66666 ,  H01L29/408

Abstract: 본발명은이온성유전체기반수직구조형트랜지스터의제조방법에있어서, 기판상에제 1 전극, 및제 2 전극을형성하는단계, 제 1 전극의상부면에반도체층을형성하는단계, 반도체층의상부면에제 3 전극을형성하는단계, 및제 1 전극, 제 2 전극, 제 3 전극, 및반도체층과접하도록유전층을형성하는단계를포함한다. 이때, 유전층은이온성유전체를포함한다.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造基于离子电介质的垂直型晶体管的方法，包括以下步骤：在衬底上形成第一电极和第二电极; 在所述第一电极的上侧形成半导体层; 在所述半导体层的上侧形成第三电极; 以及形成电介质层以粘附到第一电极，第二电极，第三电极和半导体层，其中介电层包括离子电介质。