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公开(公告)号：WO2018004084A1
公开(公告)日：2018-01-04
申请号：PCT/KR2016/014290
申请日：2016-12-07
Applicant: 숭실대학교산학협력단
Abstract: 본 발명의 일측면에 따른 유기 반도체 소자의 제조방법은 유전체가 형성된 기판상에 실라놀기를 포함하는 유기 반도체 용액을 적층하는 단계를 포함한다. 이때, 유기 반도체 용액의 적층에 의하여, 유기 반도체와 겔 전구체의 혼합 용액의 실라놀기와 실리콘 기판 표면의 실라놀기가 축합 반응을 하게 된다.
Abstract translation: 根据本发明的一个方面的制造有机半导体器件的方法包括在形成有电介质的基板上层压包含硅烷醇基团的有机半导体溶液的步骤。 此时，有机半导体与凝胶前体的混合溶液的硅烷醇基与硅基板表面的硅烷醇基通过有机半导体溶液的层叠发生缩合反应。
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公开(公告)号：WO2017131366A1
公开(公告)日：2017-08-03
申请号：PCT/KR2017/000379
申请日：2017-01-11
Applicant: 숭실대학교산학협력단
Abstract: 발광 소자 및 그 제조 방법이 제공되며, 발광 소자는 발광성 물질, 이온성 물질, 및 고분자 매트릭스를 포함하는 활성층을 포함하되, 활성층은 압축 및 신장이 가능하며, 활성층에 대한 압력 및 상기 활성층의 신장률 중 적어도 하나에 따라 발광 세기가 변화하도록 형성된 것이다.
Abstract translation:
发光和设备，还提供一种制造其的方法，但是该发光器件包括有源层，包括发光物质，离子性物质，以及聚合物基质中，活性层和可能的压缩和膨胀，活性层 发光强度根据有源层的压力和拉伸比中的至少一个而改变。
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公开(公告)号：WO2018004093A1
公开(公告)日：2018-01-04
申请号：PCT/KR2017/000461
申请日：2017-01-13
Applicant: 숭실대학교산학협력단
Abstract: 본 발명의 일측면에 따른 유기 반도체 소자의 제조방법은 유전체가 형성된 기판상에 실라놀기(silanol group, Si-OH)와 같은 하이드록시 그룹(M-OH, M(금속))을 포함하는 유기 반도체 용액을 적층하는 단계를 포함한다. 유기 반도체층 표면 및 벌크에 존재하는 실라놀기(silanol group, Si-OH)와 같은 하이드록시 그룹(M-OH, M(금속))을 포함하는 반응기로서 활용하여 다양한 성질을 보이는 자기조립단분자층을 형성시켜 새로운 개념의 유기 반도체 소자를 제작하는 것을 포함한다.
Abstract translation:
制造根据本发明的一个方面的有机半导体装置的方法，所述衬底上的介质形成的硅烷醇基团（硅烷醇基下，Si-OH）（M-OH羟基基团，如，M（ 金属））。 形成自组装单分子层通过使用含有羟基的反应器表现出不同的特性（M-OH，M（金属）），如硅烷醇基（硅醇基下，Si-OH）存在于有机半导体层表面和整体 为了产生新概念的有机半导体器件。＆lt; / p＆gt;
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公开(公告)号：KR101876436B1
公开(公告)日：2018-07-13
申请号：KR1020160134181
申请日：2016-10-17
Applicant: 숭실대학교산학협력단
CPC classification number: H01L51/5203 , H01L51/0035 , H01L51/0097 , H01L51/502 , H01L51/5032 , H01L51/56 , H01L2251/5338
Abstract: 본발명은신축성있는발광소자에관한것으로, 본발명의일 측면에따른발광소자는발광성물질, 이온성물질, 및고분자매트릭스를포함하는활성층을포함한다. 이때, 활성층은압축및 신장가능하며, 압력또는신장률에따라발광세기가변화한다.
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公开(公告)号：KR1020170025694A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：KR1020150122502
申请日：2015-08-31
Applicant: 숭실대학교산학협력단 , 한국과학기술원
CPC classification number: H03K17/962 , G01L1/142 , G06F3/0414 , G06F3/044 , G06F2203/04105
Abstract: 본발명의커패시터형촉각센서는제 1 전극, 제 1 전극의상부면에형성된활성층, 및활성층의상부면에형성된제 2 전극을포함한다. 이때, 활성층은이온성탄성중합체로이루어진것이고, 외부압력에의하여표면의유효이온의농도가조절된다.
Abstract translation: 提供电容器型触觉传感器和制造电容式触觉传感器的方法。 为了详细说明，该器件包括第一电极（200），形成在第一电极的顶表面上的有源层（300）和形成在有源层顶表面上的第二电极（400）。 活性层由离子弹性体制成，活性层内的有效离子浓度由外部压力调节。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR102038124B1
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：KR1020170079382
申请日：2017-06-22
Applicant: 숭실대학교산학협력단 , 한양대학교 산학협력단
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公开(公告)号：KR101795304B1
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：KR1020160123316
申请日：2016-09-26
Applicant: 숭실대학교산학협력단
CPC classification number: H01L51/0094 , G03F7/0382 , H01L51/0003 , H01L51/0034 , H01L51/052 , H01L51/0541
Abstract: 탑게이트트랜지스터는바텀게이트트랜지스터비해여러가지장점이있음에도불구하고용액공정으로소자를제작하는것이쉽지않다. 본발명에서는이러한문제점을해결하고자무용매공정과동시에직접패턴까지가능한 top-gate 트랜지스터용유전체를설계하였다. 고분자의주쇄는Si-O-Si를가짐으로써분자량을조절하여점도있는액체상의고분자를얻을수 있고, 이는다른유기용매의사용없이고분자만으로도스핀코팅이가능하게하였다. 또한, 각각vinyl과thiol group을포함하여광에의해경화가되는물질을설계하였다. 광에의해경화가되는시스템을이용하여일반적으로사용되는 photolithography 공정을진행하였고, rectangle와 line and space 패턴을통하여negative resist로써의가능성을확인했다. Solvent-free process는고분자유기반도체인 rr-P3HT와 DPP-DTT, 저분자유기반도체인 pentacene을이용하여top-gate 트랜지스터에성공적으로적용이가능했다. 제작한트랜지스터는전달특성을통하여안정적으로구동하는것을확인했다. 더다양한응용분에적용을기대하고자유연한 top-gate OFETs을제작하였고, 그성능을확인함으로써안정적인소자구동을보여주었다.
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公开(公告)号：KR101685071B1
公开(公告)日：2016-12-09
申请号：KR1020150098309
申请日：2015-07-10
Applicant: 숭실대학교산학협력단
Abstract: 본발명은유기반도체화합물및 제조방법에관한것으로, 본발명의일 측면에따른유기반도체화합물의제조방법은졸화(solation)된유기반도체및 졸화된전구체를교반하여유기반도체화합물을제조하는단계를포함한다. 이때, 유기반도체화합물을제조하는단계는겔화된전구체의격자구조의사이로졸화된유기반도체가직교로관통하여, 3차원의유기반도체화합물을형성하는것이다.
Abstract translation: 有机半导体化合物及其制造方法技术领域本发明涉及有机半导体化合物及其制造方法。 根据本发明的一个方面的制造有机半导体化合物的方法包括通过搅拌溶剂化的有机半导体和溶剂化前体来制造有机半导体化合物的步骤。 此时，制造有机半导体化合物的工艺包括通过将溶剂化的有机半导体垂直穿透成为溶胶化前体的晶格结构来形成3D有机半导体化合物。 因此，可以进行连续的解决过程。
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公开(公告)号：KR1020160112903A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：KR1020150098309
申请日：2015-07-10
Applicant: 숭실대학교산학협력단
Abstract: 본발명은유기반도체화합물및 제조방법에관한것으로, 본발명의일 측면에따른유기반도체화합물의제조방법은졸화(solation)된유기반도체및 졸화된전구체를교반하여유기반도체화합물을제조하는단계를포함한다. 이때, 유기반도체화합물을제조하는단계는겔화된전구체의격자구조의사이로졸화된유기반도체가직교로관통하여, 3차원의유기반도체화합물을형성하는것이다.
Abstract translation: 本发明包括将有机半导体化合物制备到的步骤中，在根据本发明的一个方面，有机半导体化合物的制造方法涉及一种有机半导体化合物及制备方法在搅拌的jolhwa（溶胶化）有机半导体和jolhwa前体 的。 在这种情况下，制备有机半导体化合物的步骤是，在通过垂直胶凝前体的晶格结构之间的有机半导体jolhwa，形成在第三维的有机半导体化合物。
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公开(公告)号：KR101876438B1
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：KR1020170101504
申请日：2017-08-10
Applicant: 숭실대학교산학협력단
Abstract: 본발명의점유탄성탄성중합체기반커패시터형촉각센서는제 1 전극, 제 1 전극의상부면에형성되며, 점유탄성을갖는탄성중합체로이루어진활성층, 활성층의상부면에형성된제 2 전극, 및제 1 전극및 제 2 전극사이에, 제 1 전극및 제 2 전극의연장방향에대하여수직으로형성되는전기장을제공하는제어부를포함하되, 촉각센서에인가되는외부압력에비례하여활성층과제 1 전극및 제 2 전극계면에존재하는유효이온의농도가증가한다.
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