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公开(公告)号：KR102245773B1
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：KR1020190068762
申请日：2019-06-11
Applicant: 연세대학교 산학협력단
Abstract: 본실시예들은쉴드의와이어의양단을하이임피던스상태로변경하여와이어의연결상태를변경하고연결된와이어경로를통해반사된테스트신호를분석하여마이크로프로브공격을감지하거나, 쉴드의와이어의양단을하이임피던스상태로변경하여와이어의연결상태를변경하고그룹별로선택된와이어를통과한테스트신호를분석하여집속이온빔공격을감지하거나, 검출회로를통해외부공격을감지하면접근가능한신호경로를하이임피던스상태로변경하여물리적인접근을차단할수 있는보안회로를제공한다.
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公开(公告)号：KR102022481B1
公开(公告)日：2019-09-18
申请号：KR1020170166404
申请日：2017-12-06
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: G06F11/14
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101837899B1
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：KR1020170049592
申请日：2017-04-18
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: G01R31/3183 , G01R31/3185
CPC classification number: G01R31/3183 , G01R31/318536 , G01R31/318541
Abstract: 본발명은스캔체인의고장을진단하는장치및 방법을개시한다. 본발명의일실시예에따르면스캔체인의고장을진단하는고장진단장치는고장로그(fail log) 정보에기초하여비정상출력을제공하는제1 스캔셀을결정하는고장진단부; 및상기결정된제1 스캔셀로부터적어도하나이상의논리게이트들을통하여상기제1 스캔셀에입력을제공하는제2 스캔셀까지확률행렬을계산하는계산부를포함할수 있다.
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公开(公告)号：KR101836748B1
公开(公告)日：2018-03-08
申请号：KR1020160183267
申请日：2016-12-30
Applicant: 연세대학교 산학협력단
CPC classification number: G11C29/808 , G11C8/12 , G11C29/02
Abstract: 본발명은다양한여분셀들을이용하여메모리뱅크들을수리하기위한장치및 방법을개시한다. 본발명의일실시예에따르면메모리뱅크수리장치는다수의메모리뱅크들을제1 그룹과제2 그룹으로분류하는그룹분류부, 상기제1 그룹에포함되는제1 메모리뱅크들이수리에사용할수 있는제1 스페어들을로컬스페어(local spare)로인식하여상기제1 메모리뱅크들각각에대한제1 수리솔루션을계산하는제1 수리솔루션계산부, 상기제2 그룹에포함되는제2 메모리뱅크들이수리에사용할수 있는제2 스페어들을상기로컬스페어(local spare)로인식하여상기제2 메모리뱅크들각각에대한제2 수리솔루션을계산하는제2 수리솔루션계산부, 및상기계산된제1 수리솔루션및 상기계산된제2 수리솔루션에기초하여제3 수리솔루션을계산하는제3 수리솔루션계산부를포함할수 있다.
Abstract translation: 本发明公开了一种使用各种备用单元修复存储体的设备和方法。 根据本发明的实施例，存储体修复设备包括：组分类器，用于将多个存储体分类为第一组任务组，第一组中包括的第一组存储体， 第一修理方案计算单元，用于将备件识别为本地备件并且计算用于每个第一存储体的第一修理方案， 第二修理方案计算单元，用于将第一备用区和第二备用区识别为本地备件，并且为每个第二存储体计算第二修理方案， 以及第三修理方案计算单元，用于基于第二修理方案计算第三修理方案。
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公开(公告)号：KR1020160066362A
公开(公告)日：2016-06-10
申请号：KR1020140170641
申请日：2014-12-02
Applicant: 에스케이하이닉스 주식회사 , 연세대학교 산학협력단
CPC classification number: G06F13/1673 , G06F3/061 , G06F3/0626 , G06F3/0644 , G06F3/0658 , G06F3/0659 , G06F3/0671 , G06F3/068 , G06F12/0862 , G06F13/4234 , G06F2212/6022 , H04L49/9005 , G06F12/02 , G06F12/0207 , G06F12/08
Abstract: 본발명의일 실시예에의한반도체장치는로컬버퍼를각각포함하는다수의메모리컨트롤러; 다수의메모리컨트롤러와연결되며다수의메모리컨트롤러각각에할당된영역을포함하는글로벌버퍼; 및글로벌버퍼의할당된영역의크기를제어하는글로벌버퍼제어부를포함한다
Abstract translation: 根据本发明的实施例，半导体器件包括：多个存储器控制器，每个存储器控制器包括本地缓冲器; 连接到所述多个存储器控制器的全局缓冲器，并且包括分配给所述多个存储器控制器中的每一个的区域; 以及控制全局缓冲器的分配区域的大小的全局缓冲器控制单元。 本发明提供一种能够防止性能降低的半导体器件，即使某个存储器控制器接收到过多的读/写请求。
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公开(公告)号：KR1020150116484A
公开(公告)日：2015-10-16
申请号：KR1020140040980
申请日：2014-04-07
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: G01R31/26
CPC classification number: G01R31/31919
Abstract: 본발명은반도체테스트장치및 반도체테스트방법에관한것으로, 반도체테스트장치는, 웨이퍼상의반도체칩들; 반도체칩들간에테스트신호를전달하는테스트신호전달부; 반도체칩들각각에제공되고, 테스트신호에대응하는테스트출력값을출력하는테스트출력부; 및인접하는반도체칩의테스트출력부로부터출력되는테스트출력값을비교하여, 반도체칩들의병렬테스트를수행하는테스트출력비교부를포함한다.
Abstract translation: 本发明涉及半导体测试装置和半导体测试方法。 半导体测试装置包括：晶片上的半导体芯片; 测试信号传递部分，其传送半导体芯片中的测试信号; 提供给每个半导体芯片的测试输出部分，并且输出与测试信号相对应的测试输出值; 以及通过比较从相邻半导体芯片的测试输出部分输出的测试输出值来执行半导体芯片的并行测试的测试输出比较部分。
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公开(公告)号：KR1020150105055A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：KR1020140027238
申请日：2014-03-07
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: G11C29/00
Abstract: 본 발명은 메모리 수리 장치 및 방법, 그리고 그를 이용한 메모리 검사 및 수리 시스템에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 메모리 수리 장치는, 다수의 메모리를 고장이 없거나 해당 메모리에 구비된 예비 셀 어레이를 이용하여 수리 가능한 양품 메모리, 다른 메모리에 구비된 예비 셀 어레이를 이용하여 수리 가능한 상호 수리 가능(inter-repairable) 메모리, 및 수리가 불가능한 불량 메모리로 분류하는 메모리 분류부; 상기 다수의 메모리 중 고장이 발생한 메모리에 대하여 해당 메모리에 적용 가능한 수리 방법을 결정하는 수리 방법 결정부; 및 상기 양품 메모리와 상기 상호 수리 가능 메모리를 제 1 수리 방법을 기반으로 매칭시키고, 매칭 후 남은 양품 메모리와 상호 수리 가능 메모리를 상기 제 1 수리 방법과 다른 제 2 수리 방법을 기반으로 매칭시키는 메모리 매칭부;를 포함할 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及存储器修复装置和方法，以及通过使用该装置和方法来检查和修复存储器的系统。 根据本发明的实施例，存储器修复装置包括存储器分类单元，修复方法确定单元和存储器匹配单元。 存储器分类单元将多个存储器分类为可以通过使用配备在相应存储器中的备用单元阵列或不存在缺陷来修复的良好存储器，可修复的存储器，其可以通过使用布置在另一个存储器中的备用单元阵列来修复 ，以及无法修复的缺陷存储器。 修复方法确定单元确定可以应用于具有缺陷的一个存储器的修复方法。 存储器匹配单元基于第一修复方法匹配一个好的存储器和一个可修复的存储器，并且基于与第一修复方法不同的第二修复方法，匹配另一个良好的存储器和在先前的匹配操作之后保留的另一个可修复的存储器 。
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