公开(公告)号：KR1020100041530A

公开(公告)日：2010-04-22

申请号：KR1020080100762

申请日：2008-10-14

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  전남대학교산학협력단

Inventor： 김창정 ,  정현담 ,  김상욱 ,  김선일 ,  이덕희

IPC: C08J5/22 ,  C08K5/544 ,  H01L29/786

CPC classification number: C08J5/22 ,  C08K5/544 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869

Abstract: 실록산막및 이를포함하는산화물박막트랜지스터를개시한다. 개시된유기막은 Aminophenyltrimethoxysilane(APheTMS) 및 Aminopropyltrimethoxysilane (APTMS)로형성된것으로산화물박막트랜지스터를포함하는전자소자에사용될수 있다.

Abstract translation: 目的：提供硅氧烷层以确保低的加工温度和对丙酮等有机溶剂的耐受性，并提高漏电流特性。 构成：通过氨基苯基三甲氧基硅烷和氨基丙基三甲氧基硅烷的缩聚形成硅氧烷层。 氨基苯基三甲氧基硅烷和氨基丙基三甲氧基硅烷的含量比为0.1:99.9mol％-99.9:0.1mol％。 氧化物薄膜晶体管包括形成在基板（10）上的栅极（11），栅极绝缘层（12），形成在栅极绝缘层上的沟道（13），源极（14a）和漏极（14b） 形成在通道的两端和形成在通道，源极和漏极上的硅氧烷层（15）。