실록산막 및 이를 포함하는 산화물 박막 트랜지스터
    1.
    发明公开
    실록산막 및 이를 포함하는 산화물 박막 트랜지스터 有权
    硅氧烷层和氧化物薄膜晶体管使用它

    公开(公告)号:KR1020100041530A

    公开(公告)日:2010-04-22

    申请号:KR1020080100762

    申请日:2008-10-14

    CPC classification number: C08J5/22 C08K5/544 H01L29/78606 H01L29/7869

    Abstract: 실록산막및 이를포함하는산화물박막트랜지스터를개시한다. 개시된유기막은 Aminophenyltrimethoxysilane(APheTMS) 및 Aminopropyltrimethoxysilane (APTMS)로형성된것으로산화물박막트랜지스터를포함하는전자소자에사용될수 있다.

    Abstract translation: 目的:提供硅氧烷层以确保低的加工温度和对丙酮等有机溶剂的耐受性,并提高漏电流特性。 构成:通过氨基苯基三甲氧基硅烷和氨基丙基三甲氧基硅烷的缩聚形成硅氧烷层。 氨基苯基三甲氧基硅烷和氨基丙基三甲氧基硅烷的含量比为0.1:99.9mol%-99.9:0.1mol%。 氧化物薄膜晶体管包括形成在基板(10)上的栅极(11),栅极绝缘层(12),形成在栅极绝缘层上的沟道(13),源极(14a)和漏极(14b) 形成在通道的两端和形成在通道,源极和漏极上的硅氧烷层(15)。

    광센싱 장치 및 그 구동 방법

    公开(公告)号:KR101906974B1

    公开(公告)日:2018-10-12

    申请号:KR1020110038442

    申请日:2011-04-25

    Abstract: 광센싱화소내의광센서트랜지스터와스위치트랜지스터가각각동일한구조의산화물반도체트랜지스터로이루어지는광센싱장치및 상기광센싱장치의동작신뢰성을향상시킬수 있는구동방법이개시된다. 개시된광센싱장치에따르면, 광센싱화소내의광센서트랜지스터와스위치트랜지스터는하나의기판위에서동일한구조로인접하여형성되며, 스위치트랜지스터에광이입사하는것을방지하기위하여스위치트랜지스터의광입사면에는광차폐막이더 배치된다. 또한, 개시된광센싱장치의구동방법에따르면, 시간의흐름에따른스위치트랜지스터의문턱전압시프트를방지하기위하여, 광차폐막에는음(-)의바이어스전압이인가된다.

    대면적 엑스선 검출기
    7.
    发明授权
    대면적 엑스선 검출기 有权
    大面积的X射线探测器

    公开(公告)号:KR101761817B1

    公开(公告)日:2017-07-26

    申请号:KR1020110019646

    申请日:2011-03-04

    Abstract: 대면적엑스선검출기개시된다. 개시된대면적엑스선검출기는, 인쇄회로기판에배치된복수의칩과, 상기각 칩에대응되게그 위에배치된복수의픽셀전극과, 상기복수의픽셀전극과상기복수의픽셀패드를전기적으로연결하는재분배층을구비한다. 상기재분배층상에서상기칩의핀패드가형성된이면상에형성된복수의제1전극패드와, 상기제1전극패드및 상기제2전극핀패드를전기적으로연결하는와이어를포함한다. . 상기와이어는칩들사이의갭에배치된다.

    Abstract translation: 大面积X射线探测器启动。 它公开了一种大面积的X射线检测器,设置在印刷电路板上的芯片,所述多个和所述对应于每个芯片中的多个设置在其上的像素电极,并且所述多个像素电极和电连接所述多个像素垫的 重新分配层。 以及用于电连接的第一多个电极焊盘,所述第一电极焊盘和在销侧形成形成在再分布层上的芯片的销垫的第二电极焊盘的线。 。 导线布置在芯片之间的间隙中。

    이중 포토컨덕터를 구비한 엑스선 검출기
    8.
    发明授权
    이중 포토컨덕터를 구비한 엑스선 검출기 有权
    具有双光电导体的X射线检测器

    公开(公告)号:KR101678671B1

    公开(公告)日:2016-11-22

    申请号:KR1020100029982

    申请日:2010-04-01

    CPC classification number: G01T1/242 H01L31/085

    Abstract: 이중포토컨덕터를구비한엑스선검출기가개시된다. 개시된이중포토컨덕터를구비한엑스선검출기는, 엑스선이입사되는제1 포토컨덕터층과, 제1 포토컨덕터층을통과한엑스선이입사되는제2 포토컨덕터층을포함한다. 제1 포토컨덕터층과제2 포토컨덕트층은탠덤구조로이루어져있다. 제1 포토컨덕터층은저 에너지대역의엑스선을흡수하는실리콘으로이루어지며, 제2 포토컨덕터층은실리콘보다높은에너지대역의엑스선을흡수하는물질로형성된다.

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