中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

84 records (took 0.042 seconds)

    레지스트 조성물 및 패턴 형성 방법
    23.
    发明公开
    레지스트 조성물 및 패턴 형성 방법 有权
    包含具有醇溶性基团的环状聚合物作为可溶组合物的聚合物和具有羧酸原子的羧酸或十六烷醇组合的聚合物作为基础树脂用酸可溶性基团取代，以及使用组合物的图案形成方法

    公开(公告)号：KR1020050022369A

    公开(公告)日：2005-03-07

    申请号：KR1020040066829

    申请日：2004-08-24

    Applicant: 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 ,  센트럴가라스 가부시기가이샤 ,  파나소닉 주식회사

    Inventor： 하타케야마준 ,  하라다유지 ,  가와이요시오 ,  사사고마사루 ,  엔도마사유키 ,  기시무라신지 ,  마에다가즈히코 ,  고모리야하루히코 ,  야마나카가즈히로

    IPC: G03F7/004 ,  G03F7/00

    CPC classification number: G03F7/0046 ,  G03F7/0395 ,  G03F7/0397 ,  Y10S430/108 ,  G03C1/494

    Abstract: PURPOSE: Provided are a resist composition which shows a high transparency at a wavelength (157 nm) of a F2 laser and a high γ value, a high contrast and a positive type photoresist effect when exposed to a F2 laser, and is excellent in resolution and plasma dry etching resistance, and a method for forming a pattern by using the composition. CONSTITUTION: The resist composition comprises a polymer comprising a repeating unit of the formula 1; and a polymer comprising a repeating unit of the formula 2 or 3, wherein R1 and R2 are H or an acid-labile group; 0

    Abstract translation: 目的：提供一种在暴露于F2激光器时在F2激光器的波长（157nm）下具有高透明度，高γ值，高对比度和正型光致抗蚀剂效果的抗蚀剂组合物，并且分辨率优异 和等离子体干蚀刻电阻，以及通过使用该组合物形成图案的方法。 构成：抗蚀剂组合物包含含有式1重复单元的聚合物; 和包含式2或3的重复单元的聚合物，其中R1和R2是H或酸不稳定基团; 0 <= a <= 1，0 <= b <= 1和0.3 <= a + b <= 1; R3是酸不稳定基团; R4和R5独立地为H，可被F，氰基或羟基取代的C1-C4烷基或酸不稳定基团; R6是H，能够被F，氰基或羟基取代的C1-C4烷基或酸不稳定基团; R7是H，能够被F，氰基或羟基取代的C1-C4烷基或酸不稳定基团; X1是单键，亚甲基或亚乙基; X2是单键，亚甲基或亚乙基; X3是亚甲基，亚乙基，O或S; 0 <= c <0.8,0

    고분자 화합물, 레지스트 조성물 및 패턴형성 방법
    26.
    发明公开
    고분자 화합물, 레지스트 조성물 및 패턴형성 방법 无效
    高分子化合物，电阻材料和图案形成方法

    公开(公告)号：KR1020020070854A

    公开(公告)日：2002-09-11

    申请号：KR1020020010798

    申请日：2002-02-28

    Applicant: 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 ,  센트럴가라스 가부시기가이샤 ,  파나소닉 주식회사

    Inventor： 하라다유지 ,  와타나베준 ,  하다케야마준 ,  가와이요시오 ,  사사고마사루 ,  엔도마사유키 ,  기시무라신지 ,  오오타니미치타카 ,  미야자와사토루 ,  즈츠미겐타로 ,  마에다가즈히코

    IPC: G03F7/004

    CPC classification number: C08F220/22 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0397 ,  Y10S430/108 ,  Y10S430/126 ,  Y10S430/168

    Abstract: PURPOSE: A resist material is provided which is sensitive to high energy beams, particularly excellent in sensitivity at 170 nm or less of wavelength and which has improved transparency of a resist and excellent plasma etching resistance. CONSTITUTION: The high polymer compound contains a group of the following formula 1 and has a weight average molecular weight of 1,000 to 500,000, where R1 to R3 are H, F or a straight chained, branched or ringed alkyl group or fluorinated alkyl group having 1 to 20 carbon atoms; each of the R2 and R3 is an alkylene group having 1 to 20 carbon atoms capable of containing hetero atom such as O, S or N in case that R2 and R3 are bonded together to form a ring; R4 and R5 are H or F; R6 and R7 are H, F or a straight chained, branched or ringed alkyl group or fluorinated alkyl group; at least one of R6 and R7 contains at least one or more F; each of the R6 and R7 is a straight chained, branched or ringed alkylene group or fluorinated alkylene group having 1 to 20 carbon atoms in case that R6 and R7 are bonded together to form a ring; and "a" is 0 or 1.

    Abstract translation: 目的：提供对高能束敏感的抗蚀剂材料，在170nm以下的波长下的灵敏度特别优异，并且提高了抗蚀剂的透明性和优异的耐等离子体耐蚀刻性。 构成：高分子化合物含有下式1的基团，其重均分子量为1,000〜500,000，其中R 1〜R 3为H，F或直链，支链或环状的烷基或具有1个 至20个碳原子; 在R2和R3结合形成环的情况下，R 2和R 3各自为可含有杂原子如O，S或N的具有1至20个碳原子的亚烷基; R4和R5是H或F; R6和R7是H，F或直链，支链或环状烷基或氟化烷基; R6和R7中的至少一个含有至少一个或多个F; 在R6和R7各自结合形成环的情况下，R6和R7各自为直链，支链或环状亚烷基或碳原子数1〜20的氟化亚烷基; “a”为0或1。

    레지스트 조성물 및 패턴 형성방법
    27.
    发明公开
    레지스트 조성물 및 패턴 형성방법 失效
    耐腐蚀组合物和方法

    公开(公告)号：KR1020020020651A

    公开(公告)日：2002-03-15

    申请号：KR1020010055191

    申请日：2001-09-07

    Applicant: 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 ,  센트럴가라스 가부시기가이샤 ,  파나소닉 주식회사

    Inventor： 하타케야마쥰 ,  하라다유지 ,  와타나베쥰 ,  가와이요시오 ,  사사고마사루 ,  엔도마사유키 ,  기시무라신지 ,  오오타니미치타카 ,  미야자와사토루 ,  즈츠미겐타로 ,  마에다가즈히코

    IPC: G03F7/004

    CPC classification number: G03F7/0395 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0397 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/108

    Abstract: PURPOSE: A process for forming a resist pattern using exposure radiation having a wavelength below 180 nm, and a resist composition suited therefor are provided. CONSTITUTION: A resist composition comprises: (A) a polymer comprising recurring units having an alicyclic hydrocarbon backbone to which a carboxylate moiety capable of generating carboxylic acid when decomposed under acidic conditions is attached through a C1-C20 alkylene spacer; (B) a photoacid generator; and (C) an organic solvent which is sensitive to high-energy radiation, and has excellent sensitivity and resolution at a wavelength below 180nm, and good plasma etching resistance. Because these features of the inventive resist composition enable its use particularly as a resist at the exposure wavelength of a F2 excimer laser, a finely defined pattern can easily be formed, making the resist ideal as a micropatterning material in VLSI fabrication.

    Abstract translation: 目的：提供一种使用波长低于180nm的曝光辐射形成抗蚀剂图案的方法，以及适用于其的抗蚀剂组合物。 构成：抗蚀剂组合物包含：（A）包含具有脂环族烃骨架的重复单元的聚合物，其在酸性条件下分解时能够产生羧酸的羧酸盐部分通过C1-C20亚烷基间隔基连接; （B）光致酸发生器; 和（C）对高能辐射敏感的有机溶剂，并且在低于180nm的波长下具有优异的灵敏度和分辨率，以及良好的等离子体耐蚀刻性。 由于本发明抗蚀剂组合物的这些特征使得其能够特别用作F2准分子激光器的曝光波长处的抗蚀剂，因此可以容易地形成精细限定的图案，使得抗蚀剂在VLSI制造中理想为微图案材料。

    중합체, 화학증폭 레지스트 조성물 및 패턴형성방법
    28.
    发明公开
    중합체, 화학증폭 레지스트 조성물 및 패턴형성방법 有权
    聚合物化合物，化学稳定材料和形成图案的方法

    公开(公告)号：KR1020010030295A

    公开(公告)日：2001-04-16

    申请号：KR1020000052942

    申请日：2000-09-07

    Applicant: 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 ,  파나소닉 주식회사

    Inventor： 하타케야마준 ,  와타나베준 ,  하라다유지 ,  나카시마무츠오 ,  사사고마사루 ,  기시무라신지

    IPC: G03F7/039

    CPC classification number: G03F7/0046 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0392 ,  Y10S430/106

    Abstract: PURPOSE: Provided is a resist material which absorbs only a small amount of light particularly in an F2 excimer laser exposure wavelength and which is suitable for simple and easy formation of a fine pattern that is perpendicular to a substrate surface and thus is suitable for forming a fine pattern for an ultra-large scale integrated circuit. CONSTITUTION: The polymer has a repeating unit represented by general formula(1)(wherein R1 is H, IC or a 1-20C straight-chain, branched or cyclic alkyl group, a fluorinated alkyl group or a chlorinated alkyl group; R2 is an acid-unstable group;(o),(p),(q),(r),(s) and (t) satisfy each the relationships of 0

    Abstract translation: 目的：提供特别是在F2准分子激光曝光波长中仅吸收少量光的抗蚀剂材料，其适于简单且容易地形成垂直于基板表面的精细图案，因此适于形成 精细图案为超大规模集成电路。 构成：聚合物具有由通式（1）表示的重复单元（其中，R 1为H，IC或1-20C的直链，支链或环状烷基，氟化烷基或氯代烷基; R2为 酸不稳定基团;（o），（p），（q），（r），（s）和（t）满足0 <= 0 <5,0

    미세패턴 형성방법
    29.
    发明授权
    미세패턴 형성방법 失效
    形成微孔蛋白的方法

    公开(公告)号：KR100174316B1

    公开(公告)日：1999-04-01

    申请号：KR1019950017896

    申请日：1995-06-28

    Applicant: 파나소닉 주식회사

    Inventor： 마쯔오다까히로 ,  야마시따카즈히로 ,  엔도우마사유끼 ,  사사고마사루

    IPC: H01L21/027

    CPC classification number: G03F7/322 ,  G03F7/265 ,  G03F7/32 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/0275 ,  H01L21/0337

    Abstract: KrF엑시머레이저가 조사되면 산을 발생하고, 상기 산에 의해 반응하는 화학증폭형 레지스트를 사용하여 반도체 기판상에 레지스트막을 형성한다. 마스크를 사용하여 KrF 엑시머레이저를 조사하면 레지스트막의 노광부 표면에서 산이 발생하고, 이 산에 의해 노광부 표면은 친수성으로 변화한다. 레지스트막의 표면에 수증기를 공급하면, 노광부에서 표면으로부터 깊은 부위까지 물이 확산한다. 상대습도 95%의 공기중에서 메틸트리에톡시시란 증기를 레지스트막 표면으로 내뿜으면 노광부 표면에 막두께가 큰 산화막이 선택적으로 형성된다.

Patent Agency Ranking