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公开(公告)号：KR1019940007193A
公开(公告)日：1994-04-26
申请号：KR1019920016960
申请日：1992-09-17
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C21D8/12
Abstract: 본 발명은 저철손의 고배향상 전기강판의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명은 자구세분화에 의해 응력제고소둔 후에도 규소강판의 자구미세화 효과가 지속되도록 한 것으로서, 특히 고온소둔 공정에서 규소강에 침입형으로 고용되는 B가 첨가된 소둔분리제를 사용하여 고온소둔을 행한휘 1-10mm 간격으로 레이저를 조사함으로써 소둔분리제에 첨가된 원소가 국부적인 고열로 인하여 강판내부에 침입형으로 고용되도록 한 데에 기술적 특징이 있다.
본 발명의 방법에 의하여 얻어진 고배향성 규소강판은 응력제거수둔 이후에도 자구미세화에 의한 효과가 그대로 지속되어 철손감소효과면에서 종래의 규소강판에 비해 우수한다.-
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公开(公告)号：KR1020020061365A
公开(公告)日：2002-07-24
申请号：KR1020010002395
申请日：2001-01-16
Applicant: 한국과학기술연구원
Inventor： 나종갑
IPC: C03C3/076
Abstract: PURPOSE: A transparent heat insulation glass based on conventional silica glass is provided to increase transparency and absorption in the range of visible and infrared rays, respectively. CONSTITUTION: The transparent heat insulation glass comprises more than 50% of silica, 0.2-5% of ferrous oxide, 2-5% of antimony oxide, arsenous acid or mixture thereof, and conventional glass components. The resultant glass is produced by heating to the composition at 1300deg.C and cooling to 900deg.C, and pouring the melt to mold.
Abstract translation: 目的：提供一种基于常规石英玻璃的透明隔热玻璃，以增加可见光和红外线范围内的透明度和吸收。 构成：透明隔热玻璃含有二氧化硅的50％以上，氧化亚铁0.2-5％，氧化锑2-5％，亚砷酸或其混合物，以及常规的玻璃成分。 所得玻璃通过在1300℃下加热至组合物并冷却至900℃而制成，并将熔体倒入模具中。
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公开(公告)号：KR100328658B1
公开(公告)日：2002-03-20
申请号：KR1020000019996
申请日：2000-04-17
Applicant: 한국과학기술연구원
Inventor： 나종갑
IPC: C23C14/34
Abstract: 마그네트론형 스퍼터링기에 사용되는 박막용 스퍼터링 타겟에 관한 것으로, 타겟의 수명 연장 및 박막의 피착속도 향상을 함께 도모하는 것을 목적으로 하여, 타겟이 평평하게 형성되었다면 누설자계가 크게 되어 스퍼터링시 소모율이 크게 되는 부위에 돌출부가 형성되어 타겟 중앙부와 타겟 가장자리부의 경계를 이루며, 상기 중앙부는 상기 가장자리부 보다 작은 두께를 갖도록 형성되는 박막용 스퍼터링 타겟을 제공한다. 이러한 구조의 박막용 스퍼터링 타겟을 사용하는 경우에는 돌출부의 존재에 의해 타겟의 수명이 연장되는 한편, 얇은 타겟 중앙부를 통한 충분한 누설자계가 존재할 수 있어 피착속도의 저하도 방지할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020010096075A
公开(公告)日：2001-11-07
申请号：KR1020000019996
申请日：2000-04-17
Applicant: 한국과학기술연구원
Inventor： 나종갑
IPC: C23C14/34
CPC classification number: H01J37/3423 , H01J37/3405
Abstract: PURPOSE: A sputtering target for a thin film is provided in which not only a life cycle of the target is extended by uniformly consuming the overall portion of the target, but also a rate of target to be adhered is not decreased due to a sufficient amount of magnetic leakage field. CONSTITUTION: The sputtering target for a thin film is a target(100) used for supplying a thin film material in the sputtering process for forming a thin film, and when the target(100) is formed evenly in case that the target is used in a magnetron sputtering system, a magnetic leakage field is increased so that a protrusion part is formed at a portion where a consumption ratio is increased during sputtering, thereby forming a boundary of the target center part(100a) and the target edge part(100c), and the center part is formed so that the center part has a smaller thickness than the edge part, wherein a thickness of the center part is 1/5 to 4/5 times of that of the edge part, and a thickness of the protrusion part(100b) is 1.5 to 3 times of that of the edge part, and wherein the protrusion part is formed in a gently curved projection shape.
Abstract translation: 目的：提供一种用于薄膜的溅射靶，其中不仅通过均匀地消耗靶的总体部分而延长靶的寿命，而且由于足够的量也不会降低待粘合的靶的速率 的漏磁场。 构成：薄膜溅射靶是用于在用于形成薄膜的溅射工艺中提供薄膜材料的目标（100），并且当目标（100）在使用目标时 磁控溅射系统，增加磁泄漏场，使得在溅射期间在消耗比增加的部分形成突出部分，从而形成目标中心部分（100a）和目标边缘部分（100c）的边界， 并且所述中心部分形成为使得所述中心部分具有比所述边缘部分更小的厚度，其中所述中心部分的厚度为所述边缘部分的厚度的1/5至4/5倍，并且所述突出部的厚度 部分（100b）是边缘部分的1.5至3倍，并且其中突出部分形成为轻微弯曲的突出形状。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100164459B1
公开(公告)日：1999-03-20
申请号：KR1019950016881
申请日：1995-06-22
Applicant: 한국과학기술연구원
Inventor： 나종갑
IPC: G11B5/84
Abstract: 본 발명은 코발트 페라이트 자성 박막 및 그 제조방법에 관한 것으로, 종래의 산화물계 자성박막이 갖고 있는 우수한 내식성 및 내마모성과 제조비용의 저렴함을 살리면서도 아울러 자기적 특성, 특히 포화자화값을 획기적으로 향상시키도록 한 것이다.
이에 조성식 Co
X Fe
Y O
Z . 이때, X,Y,Z는 원자비로 0.5 X 2.9, 0.1 Y 2.5, 1 Z 4, X +Y = 3 인 것을 특징으로 하는 코발트 페라이트 자성 박막과, 금속계 타겟트를 사용하여 스파터 가스중 산소분율이 0.5∼20%이고, 기판온도가 100∼500℃인 스파터링 조건에서 피착시켜 코발트 및 철산화물과 코발트 및 철 금속을 박막형태로 형성하는 것임을 특징으로 하는 코발트 페라이트 자성 박막의 제조방법이 제공된다.-
公开(公告)号：KR1019940008653B1
公开(公告)日：1994-09-24
申请号：KR1019910015573
申请日：1991-09-06
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01G4/33
Abstract: Aluminium thin film was vapor deposited on the plastic film tape and continuously vapor deposited zinc or cadmium thin film in the edge part on the thin film to give the plastic film for capacitor. Thus, aluminium was vapor deposited in 48 mm width, 15 Ω/sq. surface resistance value on the 8 mm thickness polypropylene film, and then Zn was vapor deposited in 10 mm width, 8 Ω/sq. in total surface resistance value. The metallic vapor deposited plastic film capacitor with 10 μF capacity was manufed.
Abstract translation: 将铝薄膜气相沉积在塑料薄膜带上，并在薄膜的边缘部分连续气相沉积锌或镉薄膜，得到电容器用塑料薄膜。 因此，以48mm宽，15Ω/ sq的方式蒸镀铝。 在8mm厚的聚丙烯薄膜上的表面电阻值，然后以10mm宽，8Ω/ sq的方式气相沉积Zn。 总表面电阻值。 制造了10μF容量的金属气相沉积塑料薄膜电容器。
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公开(公告)号：KR1019930006761A
公开(公告)日：1993-04-21
申请号：KR1019910015573
申请日：1991-09-06
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01G4/33
Abstract: 본 발명은 금속증착 플라스틱 필름 콘덴서 제조용으로 사용되는 알루미늄증착 플라스틱 필름에 관한 것이다.
본 발명은 폴리프로필렌등의 플라스틱 필름상에 알루미늄을 증착한 다음에 그 위의 에지부분에 아연이나 카드뮴을 2㎜ 이상 10㎜ 아하의 폭으로 진공증착하여 알루미늄증착 플라스틱 필름을 제조한다.
본 발명의 방법에 의해 제조된 알루미늄증착 플라스틱 필름을 사용하여 제작된 MF 콘덴서는 기존의 MF 콘덴서에 비해 시간의 경과에 따른 캐패시턴스 변화 및 tanδ 의 변화가 적고 절연파괴전압이 높다는 장점이 있다. -
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