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公开(公告)号：KR1020140079057A
公开(公告)日：2014-06-26
申请号：KR1020120148605
申请日：2012-12-18
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: A43B17/023 , A43B7/16
Abstract: Disclosed is a shoe insole for height increase. The shoe insole for height increase comprises: an insole body inserted into a shoe and contacting the sole of a wearer; an elastic member installed in a longitudinal direction of the insole body; a pad member installed to be slid along the longitudinal direction of the insole body according to the elastic force of the elastic member; and a switch member installed at the insole body, and selectively fixing the position where the pad member is installed while overcoming the elastic force of the elastic member.
Abstract translation: 披露了一种高度增加的鞋垫。 用于高度增加的鞋垫包括：插入鞋中并接触穿着者的鞋底的鞋垫体; 弹性构件，其安装在所述鞋垫体的纵向方向上; 垫构件，其被安装成根据弹性构件的弹力沿着鞋内底的长度方向滑动; 以及安装在鞋垫体上的开关构件，并且在克服弹性构件的弹力的同时选择性地固定安装该垫构件的位置。
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公开(公告)号：KR101319908B1
公开(公告)日：2013-10-18
申请号：KR1020120000535
申请日：2012-01-03
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: G02B1/002 , G02B1/007 , H01Q15/0086
Abstract: 본 발명은 메타물질에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 굴절률이 자연계의 물질에서 볼 수 없을 정도로 매우 큰 메타물질에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 유전체 기판과, 상기 유전체 기판에 형성되며, 일정한 갭을 형성하는 복수의 단위 격자들로 이루어진 전도 층을 포함하며, 소정 주파수 구간에서 굴절률이 상기 기판의 굴절률 이상인 고 굴절률 메타물질이 제공된다. 본 발명에 따른 메타물질은 분극과 자화의 정도가 의도적으로 조절되어 매우 높은 굴절률 가진다. 또한, 유연한 재질의 기판을 사용하면 3차원 물질을 용이하게 덮을 수 있어, 다양한 분야에 응용이 가능하다.
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公开(公告)号：KR1020120139623A
公开(公告)日：2012-12-27
申请号：KR1020120120340
申请日：2012-10-29
IPC: H03K17/687
CPC classification number: H03K17/167 , H03K17/693 , H03K2217/0036
Abstract: PURPOSE: A power generation circuit and a switching circuit including the same are provided to minimize the performance degradation of each components by minimizing mutual interference generated between noise of a power amplifier and noise of a switch. CONSTITUTION: A control terminal of a first transistor(M1) receives a second control signal. One end of the first transistor receives a first control signal. The other end of the first transistor is connected to an output terminal. A control terminal of a second transistor(M2) receives the first control signal. One end of the second transistor receives the second control signal. The other end of the second transistor is connected to the output terminal. A third transistor(M3) includes a control terminal which receives one control signal selected from the control signals. A fourth transistor(M4) includes a control terminal which receives the other control signals selected from the control signals.
Abstract translation: 目的：提供一种发电电路和包括该发电电路的开关电路，通过最小化功率放大器的噪声与开关噪声之间产生的相互干扰来最小化每个组件的性能下降。 构成：第一晶体管（M1）的控制端子接收第二控制信号。 第一晶体管的一端接收第一控制信号。 第一晶体管的另一端连接到输出端子。 第二晶体管（M2）的控制端接收第一控制信号。 第二晶体管的一端接收第二控制信号。 第二晶体管的另一端连接到输出端子。 第三晶体管（M3）包括控制端子，其接收从控制信号中选择的一个控制信号。 第四晶体管（M4）包括控制端子，其接收从控制信号中选择的其它控制信号。
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公开(公告)号：KR1020120138280A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：KR1020110057626
申请日：2011-06-14
CPC classification number: H04B1/48 , H04B2001/485
Abstract: PURPOSE: A power generating circuit and a switching circuit including the same are provided to generate a power supply by receiving a control signal. CONSTITUTION: A switching circuit(100) includes a driver(110) and a switch(120). The driver includes a power generating circuit, a buffer(112), and an inverter(113). A second control signal is applied to a control terminal of a first transistor. A second control signal is applied to one end of the first transistor. The first control signal is applied to a control terminal of a second transistor. The second control signal is applied to one end of the second transistor. The other end of the first transistor and the second transistor is connected to an output terminal. [Reference numerals] (111) Power generating circuit; (112) Buffer; (113) Inverter; (120) Switch; (AA) Controller
Abstract translation: 目的：提供发电电路和包括该发电电路的开关电路以通过接收控制信号来产生电源。 构成：切换电路（100）包括驱动器（110）和开关（120）。 驱动器包括发电电路，缓冲器（112）和逆变器（113）。 第二控制信号被施加到第一晶体管的控制端。 第二控制信号被施加到第一晶体管的一端。 第一控制信号被施加到第二晶体管的控制端。 第二控制信号施加到第二晶体管的一端。 第一晶体管和第二晶体管的另一端连接到输出端子。 （附图标记）（111）发电电路; （112）缓冲液 （113）变频器; （120）开关; （AA）控制器
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公开(公告)号：KR101153565B1
公开(公告)日：2012-06-12
申请号：KR1020100009122
申请日：2010-02-01
IPC: H01H36/00
CPC classification number: H03K17/94 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 본 발명은 RF 스위치 및 스위치 컨트롤러가 하나의 CMOS 기판에 형성되어 딥 N형 웰 기판과 N형 웰 기판 및 P형 웰 기판에 플로팅 저항을 연결시켜 입력 전력에 관하여 선형성이 증가된 RF 스위치 회로에 관한 것으로, RF 신호의 전달 경로를 변경하는 적어도 하나의 N MOS(Metal Oxide Semiconductor) 스위치를 구비하는 RF 스위치는 제1 딥 N형 웰(well) 기판에 형성된 N형 단자가 플로팅(floating) 저항을 통해 구동 전원을 전달받고, 제1 P형 기판에 형성된 P형 단자는 플로팅 저항을 통해 바디 전원을 전달받으며, 제1 P형 기판에 형성된 둘의 N형 단자는 플로팅 저항을 통해 게이트 전원을 전달받고, 상기 RF 스위치의 경로 변경을 제어하는 적어도 하나의 N MOS 스위치 및 P MOS 스위치를 구비하는 스위치 컨트롤러는 제2 딥 N형 웰(well) 기판에 형성된 N형 단자와 상기 제1 N형 기판� � 형성된 N형 단자가 플로팅(floating) 저항을 통해 구동 전원을 전달받는다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101101465B1
公开(公告)日：2012-01-05
申请号：KR1020100009124
申请日：2010-02-01
IPC: H03K17/687 , H04B1/44
Abstract: 본 발명은 RF 스위치 스위칭 온/오프 제어시에 RF 스위치의 게이트 및 바디간의 전압차를 적게하는 적합한 전원을 제공하여 삽입 손실을 감소시키고 선형성을 증가시킨 RF 스위치 컨트롤러에 관한 것으로, 사전에 설정된 기준 신호을 제공하는 발진기와, 상기 발진기로부터의 상기 기준 신호를 사전에 설정된 구동 전원과 전압 레벨이 반전된 부구동 전원으로 변환하는 부전압 발생기와, 외부로부터의 제어 비트를 디코딩하는 디코더와, 상기 디코더로부터의 디코딩 신호에 따라 상기 부전압 발생기로부터의 구동 전원 및 부구동 전원의 전압 레벨을 쉬프트하여 RF 스위치의 스위칭 온 제어시 RF 스위치의 게이트에 상기 구동 전원을 공급하고 상기 RF 스위치의 바디에 제로 전압 레벨의 전원을 공급하며, 스위칭 오프 제어시 상기 RF 스위치의 게이트 및 바디� �� 상기 부구동 전원을 공급하는 레벨 쉬프터를 포함하는 것을 특징으로 하는 RF 스위치 컨트롤러를 제공한다.
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公开(公告)号：KR1020110089633A
公开(公告)日：2011-08-09
申请号：KR1020100009122
申请日：2010-02-01
IPC: H01H36/00
CPC classification number: H03K17/94 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: PURPOSE: An RF switch circuit is provided to enhance linearity about input power by connecting a floating resistor to a deep N type well substrate, an N type well substrate, and a P type well substrate. CONSTITUTION: An RF switch(110) includes at least one N MOS(Metal Oxide Semiconductor) switch which changes an RF signal transmitting route. A switch controller(120) comprises at least one N MOS switch or at least one P MOS switch which controls a route change of the RF switch. The N MOS switch of the RF switch is formed on a first deep N type well substrate which is formed on a chip substrate. The N MOS switch of a switch controller is formed on a second deep N type well substrate which is formed on the chip substrate.
Abstract translation: 目的：提供RF开关电路，通过将浮动电阻连接到深N型阱基板，N型阱基板和P型阱基板来提高输入功率的线性度。 构成：RF开关（110）包括至少一个改变RF信号传输路径的N MOS（金属氧化物半导体）开关。 开关控制器（120）包括至少一个N MOS开关或控制RF开关的路由变化的至少一个P MOS开关。 RF开关的N MOS开关形成在形成在芯片基板上的第一深N型阱基板上。 开关控制器的N MOS开关形成在形成在芯片基板上的第二深N型阱基板上。
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公开(公告)号：KR101376810B1
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：KR1020130044897
申请日：2013-04-23
IPC: H03K19/003 , H03K17/687
Abstract: 본 발명은 인버터에 관한 것으로, 제1제어신호, 제2제어신호 및 제3제어신호를 포함하는 제어신호를 인가 받아 인버팅된 신호를 출력하는 것에 있어서, 제1제어신호가 게이트에 인가되고, 소스는 접지되는 제1모스트랜지스터; 제3제어신호가 게이트에 인가되고, 제2제어신호가 소스에 인가되는 제2모스트랜지스터; 및 제2제어신호가 게이트에 인가되고, 제3제어신호가 소스에 인가되는 제3모스트랜지스터; 를 포함하며, 상기 제1모스트랜지스터, 제2모스트랜지스터 및 제3모스트랜지스터의 드레인이 출력단자에 연결되어 구성될 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020110089636A
公开(公告)日：2011-08-09
申请号：KR1020100009125
申请日：2010-02-01
IPC: H01H36/00
CPC classification number: H01L27/092 , H01L2924/0002 , H01P1/15 , H01L2924/00
Abstract: PURPOSE: A radio frequency switch circuit is provided to prevent an input signal inputted to an RF switch from being transferred to a switch controller. CONSTITUTION: An RF switch(110) is formed on one chip substrate. The RF switch includes at least one N MOS(Metal Oxide Semiconductor) switch which changes an RF signal transmitting route. A switch controller(120) is formed on the chip substrate. The switch controller includes at least one N MOS switch(121) and at least one P MOS switch which control a route change of the RF switch. A limiter(130) is formed on the chip substrate. The limiter includes a deep N type well diode.
Abstract translation: 目的：提供射频开关电路，以防止输入到RF开关的输入信号传输到开关控制器。 构成：在一个芯片基板上形成RF开关（110）。 RF开关包括至少一个改变RF信号传输路径的N MOS（金属氧化物半导体）开关。 开关控制器（120）形成在芯片基板上。 开关控制器包括至少一个N MOS开关（121）和至少一个P MOS开关，其控制RF开关的路线变化。 限制器（130）形成在芯片基板上。 限幅器包括深N型阱二极管。
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