저온의 녹는점을 갖는 플럭스를 이용한 태양전지용 CI(G)S계 박막의 제조방법 및 그 제조방법에 의해 제조된 CI(G)S계 박막
    21.
    发明申请
    저온의 녹는점을 갖는 플럭스를 이용한 태양전지용 CI(G)S계 박막의 제조방법 및 그 제조방법에 의해 제조된 CI(G)S계 박막 审中-公开
    使用具有低熔点的光源制造光伏CI(G)S薄膜的方法和由其制造的CI(G)S基薄膜

    公开(公告)号:WO2013115582A1

    公开(公告)日:2013-08-08

    申请号:PCT/KR2013/000804

    申请日:2013-01-31

    Abstract: 저온의 녹는점을 갖는 플럭스를 이용한 태양전지용 CI(G)S계 박막의 제조방법 및 그 제조방법에 의해 제조된 CI(G)S계 박막에 개시된다. 본 발명의 CI(G)S계 박막의 제조방법은, CI(G)S계 나노입자를 제조하는 단계(단계 a); CI(G)S계 나노입자와 녹는점이 30~400℃ 범위에 있는 플럭스를 포함하는 슬러리를 제조하는 단계(단계 b); 슬러리를 기판에 비진공 코팅하여 CI(G)S계 전구체 박막을 형성하는 단계(단계 c); CI(G)S계 전구체 박막을 건조시키는 단계(단계 d); 및 CI(G)S계 전구체 박막을 셀레늄증기를 이용하여 셀렌화 열처리하는 단계(단계 e); 를 포함한다. 이에 의하여, 종래 CI(G)S계 박막의 형성에서보다 낮은 온도로 셀렌화 열처리가 가능하여 제조비용을 절감하면서도, 낮은 온도에서도 박막 내 결정성장이 충분히 이루어질 수 있다.

    Abstract translation: 公开了使用具有低熔点的助熔剂和由其制造的CI(G)S系薄膜制造光电CI(G)S基薄膜的方法。 根据本发明的制备CI(G)S基薄膜的方法包括:制备CI(G)S基纳米颗粒(步骤a); 制备含有CI(G)S基纳米颗粒的浆料和熔点在约30℃至约400℃范围内的助熔剂(步骤b); 通过使用浆料形成基于CI(G)S的前体薄膜(步骤c),对基材进行非真空涂布; 干燥CI(G)S前体薄膜(步骤d); 并通过使用Se蒸气硒化处理CI(G)S基前体薄膜(步骤e)。 因此,在比现有技术的CI(G)S系薄膜的温度低的情况下,可以进行硒化热处理,从而降低制造成本,并在低温下充分实现薄膜内的晶体生长。

    이성분계 나노입자 하이브리드 방법올 이용한 CI(G)S계 박막의 제조방법 및 그 방법에 의해 제조된 CI(G)S계 박막
    22.
    发明申请
    이성분계 나노입자 하이브리드 방법올 이용한 CI(G)S계 박막의 제조방법 및 그 방법에 의해 제조된 CI(G)S계 박막 审中-公开
    使用二元纳米粒子混合方法和通过该方法制备的CI(G)S薄膜制备CI(G)S薄膜的方法

    公开(公告)号:WO2013012202A2

    公开(公告)日:2013-01-24

    申请号:PCT/KR2012/005529

    申请日:2012-07-12

    Abstract: 이성분계 나노입자 하이브리드 방법을 이용한 CI (G)S계 박막의 제조방법 및 그 방법에 의해 제조된 CI (G)S계 박막이 제공된다. 본 발명의 CI (G)S계 박막의 제조방법은, CI (G)S계의 이성분계 나노입자를 제조하는 단계; 이성분계 나노입자, CI (G)S계 원소를 포함하는 용액 전구체, 용매 및 바인더를 혼합하여 하이브리드형 슬러리를 제조하는 단계; 하이브리드형 슬러리를 코팅하여 CI (G)S계 박막을 형성하는 단계; 및 형성된 CIGS 박막에 열처리하는 단계를 포함한다. 이에 의하여, 박막 내 기공을 최소화하고, 입자성장을 향상시켜 박막의 구조를 치밀화함으로써 궁극적으로 그 박막을 이용한 태양전지의 효율을 상승시킬 수 있다.

    Abstract translation: 提供了一种使用二元纳米粒子杂化方法制备CI(G)S薄膜的方法和通过该方法制备的CI(G)S薄膜。 制备本发明的CI(G)S薄膜的方法包括以下步骤:制备CI(G)S二元纳米颗粒; 通过混合包含二元纳米粒子,CI(G)S类元素,溶剂和粘合剂的溶液前体来制备混合型浆料; 通过涂覆混合型浆料形成CI(G)S基薄膜; 并对形成的CIGS薄膜进行热处理。 因此,薄膜中的孔隙可以被最小化并且晶粒生长可以被增强以致密化薄膜的结构,由此最终提高使用该薄膜的太阳能电池的效率。

    화합물 박막을 이용한 다중접합 태양전지 제조 방법 및 다중접합 태양전지
    23.
    发明申请
    화합물 박막을 이용한 다중접합 태양전지 제조 방법 및 다중접합 태양전지 审中-公开
    使用复合薄膜和多功能太阳能电池制造多功能太阳能电池的方法

    公开(公告)号:WO2016085044A1

    公开(公告)日:2016-06-02

    申请号:PCT/KR2015/001701

    申请日:2015-02-23

    CPC classification number: H01L31/0687 H01L31/0725 Y02E10/544 Y02P70/521

    Abstract: 본 발명은 화합물 박막 태양전지 셀을 복수로 구비하는 다중접합 태양전지의 제조 방법에 관한 것으로, 기판의 상면과 하면에 투명전극층을 형성하는 단계; 상기 투명전극층이 형성된 기판의 상면과 하면에 광흡수층을 동시에 형성하는 단계; 상기 광흡수층이 형성된 기판의 상면과 하면에 버퍼층을 형성하는 단계; 및 상기 버퍼층이 형성된 기판의 상면에 전면전극을 형성하고 하면에 후면전극을 형성하는 단계;를 포함한다. 본 발명은, 상부셀과 하부셀을 한쪽 방향으로 계속하여 적층하지 않고 기판을 중심으로 위쪽과 아래쪽으로 각각 형성함으로써, 종래에 하부셀과 상부셀을 순차적으로 제조하는 경우에 나중에 제조되는 셀의 제조과정에서 발생하는 열에 의하여 먼저 제조된 셀의 광흡수층이 열화되는 문제 및 먼저 제조된 셀의 광흡수층과 버퍼층의 계면에서 발생하는 손상을 피할 수 있는 효과가 있다. 또한, 상부셀과 하부셀을 각각 제조하는 경우에 비하여 공정 수가 줄어들며, 상부셀과 하부셀을 별도로 제조하여 접합하는 과정에서 발생하는 문제를 방지할 수 있는 효과가 있다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种具有多个复合薄膜太阳能电池单元的多结太阳能电池的制造方法,该方法包括以下步骤:在基板的上侧和下侧形成透明电极层; 同时在其上形成有透明电极层的基板的上侧和下侧形成光吸收层; 在其上形成有光吸收层的基板的上侧和下侧形成缓冲层; 在其上形成有缓冲层的基板的上侧形成前电极,在其下侧形成后电极。 本发明能够使上单元和下单元分别形成在基板周围的上侧和下侧,而不必在一个方向上连续堆叠上单元和下单元,从而具有避免下单元 并且以常规方法依次制造上电池:首先制造的电池的光吸收层由稍后制造的电池的制造步骤中产生的热量劣化的问题; 以及在第一制造单元的光吸收层和缓冲层之间的界面上发生的损伤。 此外,与分别制造上部电池和下部电池时相比,能够减少台阶数,并且可以防止在分开制造和接合上电池和下电池的过程中发生的问题。

    태양전지를 구비한 전자종이 단말기
    24.
    发明申请
    태양전지를 구비한 전자종이 단말기 审中-公开
    具有太阳能电池的电子纸终端

    公开(公告)号:WO2014175596A1

    公开(公告)日:2014-10-30

    申请号:PCT/KR2014/003325

    申请日:2014-04-16

    CPC classification number: G02F1/167

    Abstract: 본 발명은 전원을 효율적으로 관리, 공급할 수 있도록 하고자 표시부 후면에 박막형 태양전지를 삽입한 전자 종이 단말기에 관한 것으로, 특히, 저가이고, 얇으며, 가볍고, 크기가 작아 삽입이 쉬우며, 유연성을 갖는 플렉서블 태양전지를 채용함으로써, 전자 종이 소자가 동작하지 않을 때에는 빛이 태양전지로 입사되어 배터리에 충전되도록 하고, 이렇게 충전된 전기는 동작시에 전원으로 공급되며, 동작하는 기간에도 전자 잉크(e-ink) 내부의 흑색을 표현하는 불투명 입자에 반사된 내부광이 태양전지로 입사되어, 태양전지에서 발생된 전기를 전원으로 공급할 수 있도록 하는 것을 특징으로 한다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种具有插入其显示部分背面的薄膜型太阳能电池以便有效地管理和供电的电子纸端子。 特别地,采用低成本,薄,轻,易于由于其小尺寸而具有柔性的柔性太阳能电池,使得光可以通过入射到太阳能电池上而对电池充电,当电子 纸张装置不工作,在运转时将电荷作为电源供给,在电子墨水内部从黑色的不透明粒子反射的内部光在运转中入射到太阳能电池上, 由太阳能电池产生的电力作为电源。

    황동광계 광흡수층의 형성방법
    25.
    发明申请
    황동광계 광흡수층의 형성방법 审中-公开
    形成聚氯乙烯光吸收层的方法

    公开(公告)号:WO2014163378A1

    公开(公告)日:2014-10-09

    申请号:PCT/KR2014/002791

    申请日:2014-04-01

    CPC classification number: H01L31/0322 H01L31/0445 H01L31/18 Y02E10/541

    Abstract: 본 발명은 황동광계 태양전지의 광흡수층을 형성하는 방법에 관한 것으로서, 황동광계 화합물의 전구체를 포함하는 박막을 형성하는 단계; 및 상기 박막에 빛을 조사하는 단계를 포함하며, 상기 황동광계 화합물 전구체가 빛 에너지를 흡수하여 결정화가 진행되는 것을 특징으로 한다. 본 발명은, 황동광계 광흡수층을 형성하는 과정에서 열을 가하지 않고 빛을 이용함으로써, 열에 의해서 기판이 손상되는 문제없이 황동광계 광흡수층을 형성할 수 있는 효과가 있다. 또한, 황동광계 광흡수층을 형성하는 과정에서 열을 가하지 않고 빛을 이용 함으로써, 몰리브덴 후면전극이 가열되어 MoSe 2 가 형성되는 문제가 없다. 나아가, 박막에 깊이 침투하는 장파장 범위의 빛을 먼저 조사하고 얕게 침투 하는 단파장 범위의 빛을 나중에 조사함으로써, 아래쪽에서부터 순차적으로 황동광 계 광흡수층을 형성할 수 있는 효과가 있다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种在太阳能电池中形成黄铜矿光吸收层的方法,包括以下步骤:形成包含黄铜矿化合物前体的薄膜; 并且在所述薄膜上照射光,其中所述黄铜矿化合物前体吸收光能,从而进行结晶。 本发明提供了在形成黄铜矿光吸收层的步骤中,通过使用光而不是加热来形成黄铜矿光吸收层的优点,而不会受到热损坏基板的问题。 此外,通过在形成黄铜矿光吸收层的步骤中通过使用光而不是加热来防止由于钼后电极的加热导致的MoSe 2形成的问题。 此外,通过首先照射深度深入薄膜的长波长范围的光,然后照射不属于短波长范围的光,从底部依次形成黄铜矿光吸收层, 深入渗透薄膜。

    탄소층이 감소한 CI(G)S계 박막의 제조방법, 이에 의해 제조된 박막 및 이를 포함하는 태양전지
    27.
    发明申请
    탄소층이 감소한 CI(G)S계 박막의 제조방법, 이에 의해 제조된 박막 및 이를 포함하는 태양전지 审中-公开
    用于制造具有还原碳层的CI(G)S薄膜,通过该方法制造的薄膜和包含薄膜的太阳能电池的方法

    公开(公告)号:WO2014025227A1

    公开(公告)日:2014-02-13

    申请号:PCT/KR2013/007195

    申请日:2013-08-09

    Abstract: 본 발명은 CI(G)S계 원소를 포함하는 두 종류 이상의 이성분계 나노입자,CI(G)S계 원소를 포함하는 용액 전구체, 알코올계 용매 및 킬레이트제를 혼합하여 제조한 슬러리를 사용함으로써 CI(G)S계 박막과 몰리브데늄 사이에 형성되는 탄소층을 감소시킬 수 있는 CI(G)S계 박막의 제조방법에 관한 것이다. 구체적으로는,본 발명에 따른 CI(G)S계 박막의 제조방법은 CI(G)S계 원소를 포함하는 두 종류 이상의 이성분계 나노입자, CI(G)S계 원소를 포함하는 용액 전구체, 알코올계 용매 및 킬레이트제를 혼합하여 슬러리를 제조하는 단계(단계 a); 상기 슬러리를 비진공 코팅하여 CI(G)S계 박막을 형성하는 단계(단계 b); 및 상기 형성된 CI(G)S계 박막에 셀렌화 열처리하는 단계(단계 c)를 포함한다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造CI(G)S基薄膜的方法,其中通过混合两种或更多种类型的包含CI(G)S基元素的二元纳米颗粒制备的浆料,包含CI(G )使用S基元素,醇类溶剂和螯合剂,以减少在CI(G)S基薄膜和钼之间形成的碳层。 更具体地说,根据本发明的制备CI(G)S基薄膜的方法包括:通过混合两种或更多种包含CI(G)S-型薄膜的二元纳米颗粒来制备浆料的步骤(步骤a) 包含CI(G)S基元素,醇基溶剂和螯合剂的溶液前体; 通过非真空涂布浆料形成CI(G)S基薄膜的步骤(步骤b) 以及对所形成的CI(G)S基薄膜进行硒化的步骤(步骤c)。

    후면전극 표면에 텍스처가 형성된 2중 텍스처 구조의 칼코게나이드계 태양전지의 제조방법 및 이에 따라 제조된 칼코게나이드계 태양전지
    28.
    发明申请
    후면전극 표면에 텍스처가 형성된 2중 텍스처 구조의 칼코게나이드계 태양전지의 제조방법 및 이에 따라 제조된 칼코게나이드계 태양전지 审中-公开
    制造具有表面电极表面形成纹理的双层纹理结构的聚氯乙烯太阳能电池的方法及其制造的氯化铝太阳能电池

    公开(公告)号:WO2013141644A1

    公开(公告)日:2013-09-26

    申请号:PCT/KR2013/002392

    申请日:2013-03-22

    Abstract: 본 발명은 후면전극 표면에 텍스처가 형성된 2중 텍스처 구조의 칼코게나이드계 태양전지의 제조방법에 관한 것으로, 기판을 준비하는 단계; 상기 기판에 후면전극을 형성하는 단계; 상기 후면 전극의 표면에 후면텍스처를 형성하는 단계; 상기 후면 전극 위에 칼코게나이드계 반도체 재질의 광흡수층을 형성하는 단계; 상기 광흡수층 위에 버퍼층을 형성하는 단계; 상기 버퍼층 위에 투명전극을 형성하는 단계; 및 상기 투명전극의 표면에 전면텍스처를 형성하는 단계를 포함한다. 본 발명에 의한 후면전극 표면에 텍스처가 형성된 2중 텍스처 구조의 칼코게나이드계 태양전지는,기판; 상기 기판 위에 형성된 후면전극; 상기 후면 전극 위에 형성된 칼코게나이드계 반도체 재질의 광흡수층; 상기 광흡수층 위에 형성된 버퍼층; 및 상기 버퍼층 위에 형성된 투명전극올 포함하여 구성되고,상기 광흡수층에 접하는 상기 후면전극의 표면에 후면텍스처 구조가 형성되며,상기 투명전극의 표면에 전면텍스처 구조가 형성된 것을 특징으로 한다. 본 발명은, 전면텍스처와 후면텍스처의 2중 텍스처 구조를 구비하여 광포획 성능이 크게 증가하여,태양전지의 광전변환효율을 증가시킬 수 있는 효과가 있다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种具有双面纹理结构的硫族化物太阳能电池的制造方法,其中在后表面电极的表面上形成纹理,并且包括以下步骤:制备衬底; 在所述基板的顶部上形成背面电极; 在后表面电极的表面上形成背面纹理; 在后表面电极的顶部形成由硫族化物半导体材料制成的光吸收层; 在光吸收层的顶部形成缓冲层; 在缓冲层的顶部形成透明电极; 并且在透明电极的表面上形成正面结构。 根据本发明,具有在背面电极的表面上形成纹理的双重结构结构的硫族化物太阳能电池包括:基板; 形成在基板顶部的背面电极; 由形成在背面电极顶部的硫族化物半导体材料制成的光吸收层; 所述缓冲层形成在所述光吸收层的顶部; 以及形成在缓冲层顶部的透明电极,其中在与光吸收层收缩的背面电极的表面上形成后表面纹理结构,并且其中在 透明电极的表面。 本发明通过具有包括前表面纹理和后表面纹理的双重纹理结构,提供了由于光捕获能力的显着增加而增加光电转换效率的优点。

    NA 무함유 기판을 이용한 CIGS계 박막 태양전지의 제조방법 및 이에 따라 제조된 태양전지
    29.
    发明申请
    NA 무함유 기판을 이용한 CIGS계 박막 태양전지의 제조방법 및 이에 따라 제조된 태양전지 审中-公开
    使用不包含NA的基板和制造的太阳能电池制造CIGS薄膜太阳能电池的方法

    公开(公告)号:WO2013137587A1

    公开(公告)日:2013-09-19

    申请号:PCT/KR2013/001808

    申请日:2013-03-06

    Abstract: 본 발명은 CIGS계 박막 태양전지의 제조방법 및 이에 따라 제조된 태양전지에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 CIGS계 전구체 박막을 형성하기 전 몰리브덴 전극이 형성된 소듐 무함유 기판 표면의 일부에 소듐 공급원 박막을 형성함으로써 태양전지의 광흡수층인 CIGS계 박막의 전기적 특성을 향상시킬 수 있는 CIGS계 박막 태양전지의 제조방법 및 이에 따라 제조된 태양전지에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 소듐 무함유 기판을 사용하여 기판 내 존재하는 무분별한 소듐 성분의 확산을 방지하고, 별도의 소듐 공급원을 통해 태양전지의 광흡수층인 CIGS계 박막 내에 소듐 성분을 제공하여 태양전지의 효율을 향상시키는 효과가 있다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造CIGS薄膜太阳能电池的方法及其制造的太阳能电池,更具体地说,涉及制造CIGS薄膜太阳能电池的方法和由此制造的太阳能电池,其中 通过在成膜前在不含钠的基板的表面的一部分表面形成钠源薄膜,从而提高作为太阳能电池的光吸收层的CIGS薄膜的电性能。 前体CIGS薄膜。 根据本发明,使用不含钠的基板来防止基板的不希望的钠含量的扩散,并且在从分离的太阳能电池的太阳能电池的光吸收层的CIGS薄膜中提供钠含量 钠源,以提高太阳能电池的效率。

    후면 TCO층을 구비한 CIS/CIGS계 태양전지 및 그 제조방법
    30.
    发明申请
    후면 TCO층을 구비한 CIS/CIGS계 태양전지 및 그 제조방법 审中-公开
    CIS / CIGS太阳能电池具有后期TCO层及其生产方法

    公开(公告)号:WO2013077547A1

    公开(公告)日:2013-05-30

    申请号:PCT/KR2012/008376

    申请日:2012-10-15

    Abstract: 후면 TCO층을 구비한 CIS/CIGS계 태양전지 및 그 제조방법이 개시된다. 본 발명의 CIS/CIGS계 태양전지는 기판; 기판상에 소정의 간격으로 두고 분리되어 병렬적으로 배치되는 두 층의 몰리브덴 전극인 제1 몰리브덴 전극과 제2 몰리브덴 전극; 제2 몰리브덴 전극의 상면 및 측면상에 배치되는 TCO층; TCO층의 상부 및 측면상에 배치되며, TCO층과 광흡수층 사이에 밴드갭 차이를 완충하는 버퍼층; 제1 몰리브덴 전극, 버퍼층 및 제1 몰리브덴 전극과 버퍼층 사이의 일부 노출된 기판상에 배치되는 광흡수층; 및 광흡수층상에 배치되고, 외부에서 조사되는 빛의 반사를 최소화하는 반사방지층;을 포함한다. 이에 의하여, 버퍼층과 TCO층을 광흡수층의 후면에 배치되어 광흡수층의 상부에서 광입사량을 저하시키는 방해구조가 제거되고, 광흡수층으로의 입사광량을 최대화함으로써 궁극적으로 태양전지의 에너지 변환효율을 높일 수 있다.

    Abstract translation: 公开了具有后TCO层的CIS / CIGS太阳能电池及其制造方法。 本发明的CIS / CIGS太阳能电池包括:基板; 第一钼电极和第二钼电极,其构成设置在所述基板上的两层中的钼电极,其间以预定的间隙平行分离; 设置在上表面的TCO层和第二钼电极的侧面; 缓冲层,其设置在所述TCO层的上表面和侧面,并且缓冲所述TCO层和光吸收层之间的带隙差; 所述光吸收层设置在所述第一钼电极上,所述缓冲层和所述衬底部分地暴露在所述第一钼电极和所述缓冲层之间; 以及防反射层,其设置在光吸收层上并使从外部照射的光的反射最小化。 以这种方式,缓冲层和TCO层以这样的方式设置在光吸收层的后表面上,以消除任何阻挡结构,其将减少光吸收层的上部上的入射光量,以及 使光吸收层上的入射光量最大化,从而最终提高太阳能电池的能量转换效率。

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