公开(公告)号：KR100834547B1

公开(公告)日：2008-06-02

申请号：KR1020070104645

申请日：2007-10-17

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 민봉기 ,  김미진 ,  송영주

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/107

CPC classification number: H01L27/14614 ,  H01L27/14601 ,  H01L27/14603

Abstract: 본 발명은 포토다이오드에서 확산 노드 영역으로의 전하 전송 효율을 증대시킴과 동시에 암전류 발생을 효과적으로 억제할 수 있는 CMOS 이미지 센서에 관한 것이다.
본 발명의 이미지 센서는, 확산 노드; 포토다이오드; 상기 확산 노드와 포토다이오드간에 전하 전송 채널을 형성하기 위한 트랜스퍼 트랜지스터; 및 상기 트랜스퍼 트랜지스터의 게이트 전극과 전기적으로 연결되며, 상기 포토다이오드 영역 중 암전류가 발생하는 일부 영역과 절연된 상태로 오버랩되는 암전류 제거 전극을 포함하는 것을 특징으로 한다.
CMOS, CIS, 이미지 센서, 웰 커패시티, 트랜스퍼 트랜지스터

Abstract translation: 本发明中的光电二极管和同时增加的电荷转移到一个CMOS图像传感器，它可以有效地抑制暗电流产生的节点扩散区的效率。

公开(公告)号：KR1020080029560A

公开(公告)日：2008-04-03

申请号：KR1020060096333

申请日：2006-09-29

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김미진 ,  민봉기 ,  송영주

IPC: H01L27/14

CPC classification number: H01L27/14609 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14689

Abstract: A light sensing pixel of an image sensor structure having a low operating voltage is provided to suppress a clock feed-through effect in a channel under low operational voltage environment. A photodiode(202) is formed to generate electric charges which are caused by light. A transfer transistor is formed to transfer the electric charges to a diffusion node. A depletion-induced structure is formed to define a channel region and a diffusion node region of the transfer transistor as a depletion region irrespective of intensity of an operational voltage applied to the transfer transistor. The depletion-induced structure is positioned between the diffusion node region and the transfer transistor channel region. The depletion-induced structure is a depletion-induced doping part(208) doped with an opposite type to a doping type of the diffusion node region.

Abstract translation: 提供具有低工作电压的图像传感器结构的感光像素，以在低操作电压环境下抑制通道中的时钟馈通效应。 形成光电二极管（202）以产生由光引起的电荷。 形成转移晶体管以将电荷转移到扩散节点。 形成耗尽诱导结构以将转移晶体管的沟道区域和扩散节点区域定义为耗尽区域，而不管施加到转移晶体管的工作电压的强度。 耗尽诱导结构位于扩散节点区域和传输晶体管沟道区域之间。 耗尽诱导结构是掺杂与掺杂类型的扩散节点区域相反的耗尽型掺杂部分（208）。

公开(公告)号：KR1020070058962A

公开(公告)日：2007-06-11

申请号：KR1020060087439

申请日：2006-09-11

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 민봉기 ,  김미진 ,  송영주

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14614 ,  H01L27/14601 ,  H01L27/14603

Abstract: A transfer transistor is provided to use the maximum characteristic of an image sensor by controlling generation of dark current in a photodiode and even the influence of dark electrons upon a transient interval of a transfer transistor in a CMOS image sensor. A p-type doping part is formed between a p-type region of the surface of a photodiode(PD) and a charge transfer channel from the photodiode to a diffusion node, having a different doping pattern from that of the p-type region of the surface of the photodiode. A gate oxide is positioned on the p-type doping part and the change transfer channel. A gate electrode is positioned on the gate oxide. The p-type doping part can be formed by diffusion in the boundary part of a p-type dopant material that is given to a substrate to form the p-type region of the surface of the photodiode.

Abstract translation: 提供传输晶体管以通过控制在CMOS图像传感器中的传输晶体管的瞬时间隔上的光电二极管中的暗电流的产生以及暗电子的影响来使用图像传感器的最大特性。 在光电二极管（PD）的表面的p型区域和从光电二极管到扩散节点的电荷转移通道之间形成p型掺杂部分，其具有与p型区域的p型区域不同的掺杂图案 光电二极管的表面。 栅极氧化物位于p型掺杂部分和变换传输沟道上。 栅电极位于栅极氧化物上。 p型掺杂部分可以通过在p型掺杂剂材料的边界部分中扩散形成，该p型掺杂剂材料被赋予衬底以形成光电二极管的表面的p型区域。