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公开(公告)号：KR1020170116635A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：KR1020160044273
申请日：2016-04-11
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H04N13/02
CPC classification number: G01S7/484 , G01S7/4806 , G01S7/4811 , G01S7/4814 , G01S7/4865 , G01S17/026 , G01S17/89 , G01S17/936 , H04N13/254 , G01B11/24 , G06T7/521 , H04N13/211
Abstract: 본발명의스캐닝장치는스캔대상을복수의스캔영역들로분할하고, 순차적으로배치된상기스캔영역들에제1 레이저광과제2 레이저광을교번적으로조사하는송신모듈과, 상기스캔영역들각각에대한반사된레이저광을수신하는수신모듈과, 상기반사된레이저광을이용하여상기스캔영역들각각에대한분할이미지를생성하고, 상기분할이미지를기초로상기스캔대상에대한전체이미지를생성하는이미지생성모듈을포함하고, 상기송신모듈은레이저광의라이징에지(rising edge)를트리거(trigger)하여상기제1 레이저광을생성하고, 상기레이저광의폴링에지(falling edge)를트리거하여상기제2 레이저광을생성한다.
Abstract translation: 本发明的扫描装置包括：发送模块，用于将扫描对象划分成多个扫描区域，并且用第一激光任务2激光交替地照射顺序排列的扫描区域; 以及控制器，用于使用反射激光为每个扫描区域生成分割图像，并基于分割图像生成扫描目标的完整图像 其中发射模块触发激光的上升沿以产生第一激光并触发激光的下降沿以使第二激光 从而产生光。
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公开(公告)号：KR1020170105701A
公开(公告)日：2017-09-20
申请号：KR1020160028498
申请日：2016-03-09
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H04N13/156 , G01S17/89 , H04N13/218 , H04N13/254
Abstract: 본발명의스캐닝장치는피사체를복수의이미지영역들로분할하고, 상기이미지영역들에인터레이스(interlaced) 방식으로레이저광을송신하는송신모듈과, 상기피사체에서반사된레이저광을수신하는수신모듈과, 상기반사된레이저광을기초로 TOF(Time Of Flight) 기술에의해상기피사체의형상을스캔하는신호처리모듈을포함하고, 상기신호처리모듈은상기인터레이스방식에의해생성된서브프레임들을오버래핑(overlapping)하여상기피사체의형상에대한단일의이미지영상을생성한다.
Abstract translation: 本发明的扫描装置包括：发送模块，用于将物体分成多个图像区域并以交错方式将激光发送到图像区域;接收模块，用于接收从物体反射的激光; 以及信号处理模块，用于基于反射的激光通过TOF（飞行时间）技术扫描对象的形状，其中信号处理模块交叠通过交错方法产生的子帧 ）关于主体的形状生成单个图像图像。
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公开(公告)号：KR1020160126154A
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：KR1020150056657
申请日：2015-04-22
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본발명은레이저레이더시스템에관한것으로, 비회전하는고해상도광각의 3차원영상검출을위한아발란치광 검출기어레이를이용하는레이저레이더시스템에관한것이다. 이에따른본 발명은, 펄스레이저로부터출력되는광을편향시켜목표물의원하는영역에조사되도록하는광 편향기, 상기목표물로부터반사되고수광렌즈를거쳐전달되는광을수신하고, 수신한광으로부터신호를검출하는아발란치광 검출기, 상기아발란치광 검출기에의해검출된신호를증폭시키는증폭기, 상기증폭기에의해증폭된신호를통합하는결합기및 상기결합기에의해통합된신호를처리하여 3차원영상으로출력하는영상처리기를포함하되, 상기아발란치광 검출기는특정한형태로배열된복수의아발란치광 다이오드를포함하는것을특징으로하는레이저레이더시스템에관한것이다. 특히, 본발명은타겟에서반사되어오는신호를수광렌즈를통하여수신되는광을인포커싱하여수신함에있어서, 광각의고해상도영상을얻기위해각각의아발란치광 검출기어레이의간격을최적화하는레이저레이더시스템에관한것이다.
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公开(公告)号：KR101344027B1
公开(公告)日：2013-12-24
申请号：KR1020100073374
申请日：2010-07-29
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G01J1/44 , H01L27/146
CPC classification number: G11C27/024
Abstract: 본발명은가이거모드로동작하는광검출기에관한것이다. 본발명의실시예에따른광검출기는, 아발란치포토다이오드, 상기아발란치포토다이오드의일단에바이어스전압을제공하는바이어스회로, 상기아발란치포토다이오드의타단에연결되며, 상기아발란치포토다이오드에발생하는광전류를검출하기위한검출회로, 그리고상기아발란치포토다이오드의일단또는타단에연결되며, 상기아발란치포토다이오드를가이거모드로구동하기위한커플링전압을제공하는커플링커패시터를포함한다.
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公开(公告)号：KR1020100071693A
公开(公告)日：2010-06-29
申请号：KR1020080130496
申请日：2008-12-19
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/107
CPC classification number: H01L31/107 , H01L31/02366 , H01L31/0392 , H01L31/18
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing an avalanche photo diode is provided to suppress an edge breakdown by reducing the curvature of a junction interface without a guard ring. CONSTITUTION: A first conductive amplification layer(105) is formed on a first conductive substrate(101). A recess region including a first recess unit(113) and a second recess unit(117) is formed by etching the first conductive amplification layer. A second conductive diffusion layer(130) is formed by diffusing conductive diffusion materials to the first conductive amplification layer. A second conductive electrode(150) connected to the second conductive diffusion layer is formed on the first conductive amplification layer. A first conductive electrode(160) is formed on the rear of the first conductive substrate.
Abstract translation: 目的：提供一种制造雪崩光电二极管的方法，通过降低没有保护环的接合界面的曲率来抑制边缘击穿。 构成：第一导电性放电层（105）形成在第一导电性基板（101）上。 通过蚀刻第一导电放大层形成包括第一凹部单元（113）和第二凹部单元（117）的凹部区域。 通过将导电扩散材料扩散到第一导电放大层来形成第二导电扩散层（130）。 连接到第二导电扩散层的第二导电电极（150）形成在第一导电放大层上。 第一导电电极（160）形成在第一导电基板的后部。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100857453B1
公开(公告)日：2008-09-08
申请号：KR1020060096333
申请日：2006-09-29
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/14
CPC classification number: H01L27/14609 , H01L27/14603 , H01L27/1463 , H01L27/14689
Abstract: 본 발명은 일반적인 4-트랜지스터 씨모스 이미지센서의 구조에 있어서 기존의 구조와는 달리 픽셀내의 트랜스퍼 트랜지스터가 포토 다이오드의 리셋 및 트랜스퍼 동작 시, 구동 전압이나 구동 방법과 상관없이, 트랜스퍼 트랜지스터의 턴온 전압에 영향을 받지 않는 채널과 분리된 공핍영역이 존재하도록 픽셀구조를 변경함으로써 트랜스퍼 트랜지스터의 동작조건 변화 및 픽셀간 특성의 불일치에 의해 발생하는 암전류 및 고정 패턴(fixed pattern) 잡음을 감소시키는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 이미지 센서는, 포토다이오드에서 생성된 광 유발 전하를 전달하기 위한 트랜스퍼 트랜지스터를 포함하는 감광 픽셀에서 상기 트랜스퍼 트랜지스터의 채널과 확산 노드 사이에 공핍영역이 존재하도록, 즉 다시 말해 유사 핀치오프 상태로 동작하도록, 상기 트랜스퍼 트랜지스터에서 포토다이오드에 근접한 게이트 절연막의 두께보다 확산 노드쪽 절연막이 더 두꺼운, 즉 트랜스퍼 트랜지스터의 절연막이 단이 지거나 점진적인 두께 변화를 가지는 구조이거나, 상기 트랜스퍼 트랜지스터의 채널과 확산 노드 사이에 기판의 도핑 물질과 전기적으로 동일한 물질을 이용하여 포켓/할로 임플란트를 한 구조를 포함하는 것을 특징으로 한다.
CMOS, CIS, 이미지 센서, 핀치-오프(pinch off), 암전류(dark current), 고정 패턴 잡음(fixed pattern noise)Abstract translation: 本发明中，不论复位，并且当传输操作中，驱动电压或在与常规像素结构根据常规四晶体管的CMOS图像传感器的结构的光电二极管的转移晶体管的驱动方法中，在导通传输晶体管的电压 通过改变像素结构，使得有一个单独的耗尽区，并且不受影响的信道，其目的是为了减少转移晶体管的暗电流和固定模式（固定模式）噪声引起的操作条件变化的错配，和像素间特性 。
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公开(公告)号：KR1020080071951A
公开(公告)日：2008-08-05
申请号：KR1020080065038
申请日：2008-07-04
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H04N5/3597 , H01L27/14603 , H01L27/14609 , H04N5/357 , H04N5/361 , H04N5/3745
Abstract: An image sensor and a method for driving a transfer transistor thereof are provided to restrict noise components such as female current in a low operation voltage environment and/or at low costs by applying higher potential than power supply potential to turn on gate potential of a reset transistor and applying the power supply potential to the turn on gate potential of the transfer transistor. An image sensor comprises a photodiode(PD), a transfer transistor(Tx), and a reset transistor. The transfer transistor transfers a photo induced charge generated in the photo diode to a floating diffusion node(131). The reset transistor resets the floating diffusion node. Potential higher than power supply potential is applied as a turn on gate potential of the reset transistor. The power supply potential is applied as the turn on gate potential of the transfer transistor. The transfer transistor includes a p type doping part, a gate oxide(320), and a gate electrode(310). The p type doping part is formed in surface p type areas(330,332) of the photodiode and charge transfer channels from the photodiode to a diffusion node(340). The gate oxide is placed on the p type doping part and the charge transfer channels. The gate electrode is placed on the gate oxide.
Abstract translation: 提供图像传感器和驱动其传输晶体管的方法，以通过施加比电源电位高的电位来限制复位的栅极电位，以在低操作电压环境中和/或以低成本来限制诸如母电流的噪声分量 晶体管，并将电源电位施加到转移晶体管的导通栅极电位。 图像传感器包括光电二极管（PD），传输晶体管（Tx）和复位晶体管。 传输晶体管将在光电二极管中产生的感光电荷传输到浮动扩散节点（131）。 复位晶体管复位浮动扩散节点。 施加高于电源电位的电位作为复位晶体管的栅极电位的导通。 施加电源电位作为转移晶体管的导通电位。 转移晶体管包括p型掺杂部分，栅极氧化物（320）和栅电极（310）。 p型掺杂部分形成在光电二极管的表面p型区域（330,332）和从光电二极管到扩散节点（340）的电荷转移通道。 栅极氧化物放置在p型掺杂部分和电荷转移通道上。 栅极放置在栅极氧化物上。
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公开(公告)号：KR100835381B1
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：KR1020070022980
申请日：2007-03-08
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 일반적인 4-트랜지스터 씨모스 이미지센서의 구조에 있어서 기존의 트랜스퍼 트랜지스터의 구조와 구동방식을 변경하여, 확산노드의 전압이나 물리적 구조 등에 따라 확산노드가 포토다이오드의 리셋이나 트랜스퍼 과정에 미치는 영향을 제거함으로써, 저전압 동작환경에서 포토다이오드의 리셋 전압 감소 및 트랜스퍼 트랜지스터의 동작조건 변화 및 픽셀간 특성의 불일치에 의해 발생하는 암전류 및 고정 패턴(fixed pattern) 잡음 이미지 래그(image lag)를 감소시키고 포토다이오드의 웰 캐패시티(well capacity)를 증가시키는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 이미지 센서는, 광을 감지하는 수광소자와 수광소자에서 생성된 광 유발 전하를 외부회로로 독출하기 위한 신호변환부를 포함하는 이미지 센서에서, 2개 이상의 게이트 전극으로 구성된 트랜스퍼 트랜지스터를 특징으로 하여, 포토다이오드와 가장 인접한 게이트 전극 하부의 채널로 광전하가 이동할 때 확산노드와 인접한 트랜스퍼 게이트 전극을 턴오프 상태로 유지하여포토다이오드에서 광전하가 방출될 때 확산노드가 광전하의 방출 정도에 미치는 영향을 제거함을 구동 특징으로 하고, 상기 게이트 전극 구조에 대한 인가전압의 크기, 전압 인가의 방법, 턴온 전압의 유지 시간 등의 구동조건을 특징으로 하며, 이러한 요소들을 이용하여 포토다이오드내 전하의 효과적인 방출과 확산노드로의 이동을 용이하게 함을 또 다른 특징으로 한다.
또한 상기 감광 픽셀에서 확산노드와 인접한 게이트 전극을 턴오프하여 포토 다이오드에 가까운 게이트 전극이 딥 디플리션(deep depletion)상태로 동작하여, 웰 캐패시티와 다이나믹 레인지를 증가시키고 광 전하의 독출 시간을 단축하는 것을 또 다른 특징으로 한다.
CMOS, CIS, 이미지 센서, 전송게이트(transfer transistor), 암전류(dark current), 고정 패턴 잡음(fixed pattern noise), 웰 캐패시티(well capacity)-
公开(公告)号：KR100834547B1
公开(公告)日：2008-06-02
申请号：KR1020070104645
申请日：2007-10-17
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/146 , H01L31/107
CPC classification number: H01L27/14614 , H01L27/14601 , H01L27/14603
Abstract: 본 발명은 포토다이오드에서 확산 노드 영역으로의 전하 전송 효율을 증대시킴과 동시에 암전류 발생을 효과적으로 억제할 수 있는 CMOS 이미지 센서에 관한 것이다.
본 발명의 이미지 센서는, 확산 노드; 포토다이오드; 상기 확산 노드와 포토다이오드간에 전하 전송 채널을 형성하기 위한 트랜스퍼 트랜지스터; 및 상기 트랜스퍼 트랜지스터의 게이트 전극과 전기적으로 연결되며, 상기 포토다이오드 영역 중 암전류가 발생하는 일부 영역과 절연된 상태로 오버랩되는 암전류 제거 전극을 포함하는 것을 특징으로 한다.
CMOS, CIS, 이미지 센서, 웰 커패시티, 트랜스퍼 트랜지스터Abstract translation: 本发明中的光电二极管和同时增加的电荷转移到一个CMOS图像传感器，它可以有效地抑制暗电流产生的节点扩散区的效率。
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公开(公告)号：KR1020080029560A
公开(公告)日：2008-04-03
申请号：KR1020060096333
申请日：2006-09-29
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/14
CPC classification number: H01L27/14609 , H01L27/14603 , H01L27/1463 , H01L27/14689
Abstract: A light sensing pixel of an image sensor structure having a low operating voltage is provided to suppress a clock feed-through effect in a channel under low operational voltage environment. A photodiode(202) is formed to generate electric charges which are caused by light. A transfer transistor is formed to transfer the electric charges to a diffusion node. A depletion-induced structure is formed to define a channel region and a diffusion node region of the transfer transistor as a depletion region irrespective of intensity of an operational voltage applied to the transfer transistor. The depletion-induced structure is positioned between the diffusion node region and the transfer transistor channel region. The depletion-induced structure is a depletion-induced doping part(208) doped with an opposite type to a doping type of the diffusion node region.
Abstract translation: 提供具有低工作电压的图像传感器结构的感光像素，以在低操作电压环境下抑制通道中的时钟馈通效应。 形成光电二极管（202）以产生由光引起的电荷。 形成转移晶体管以将电荷转移到扩散节点。 形成耗尽诱导结构以将转移晶体管的沟道区域和扩散节点区域定义为耗尽区域，而不管施加到转移晶体管的工作电压的强度。 耗尽诱导结构位于扩散节点区域和传输晶体管沟道区域之间。 耗尽诱导结构是掺杂与掺杂类型的扩散节点区域相反的耗尽型掺杂部分（208）。
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