公开(公告)号：KR1019990084767A

公开(公告)日：1999-12-06

申请号：KR1019980016751

申请日：1998-05-11

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 조호성 ,  박경현 ,  이중기 ,  장동훈 ,  박철순

IPC: H01L29/20

Abstract: 본 발명은 평면 매립형 반도체 레이저의 구조 및 그 제조방법으로 특히, 부가적인 공정없이 전류차단층 구조를 변화시켜 반도체 레이저와 광섬유와의 결합 효율을 향상시키는 방법에 관한 것으로서, 평면 매립형 반도체 레이저의 제작은 활성층 영역을 정의하기 위한 메사식각 공정, 활성층 영역으로의 전류 주입을 위하여 활성층 주변에 전류차단층의 1차 재성장 공정 및 활성층 영역 위의 클래드층과 오옴접촉층을 형성하기 위한 2차 재성장 공정으로 구성함으로써, 전류차단층의 구조를 바꾸어 줌으로 인해 효율적으로 출사광의 형태가 변형되는 것을 방지할 수 있을 뿐만 아니라, 전류차단층 구조를 자유롭게 조절할 수 있으므로 출사광의 크기를 증가시킬 수 있어 높은 광결합효율을 가진 평면 매립형 반도체 레이저를 얻을 수 있는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR100226434B1

公开(公告)日：1999-10-15

申请号：KR1019960062713

申请日：1996-12-07

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 이중기 ,  박경현 ,  조호성 ,  장동훈 ,  박철순

IPC: H01S3/0941

CPC classification number: H01S5/042 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/2063

Abstract: 본 발명은 기존의 0.98㎛ 반도체 레이저에서 발생하는 밝은띠에 의한 광출력의 방사 중심축 굴절 현상을 없앤 이온 주입 공정을 이용한 0.98㎛ 반도체 레이저 구조 및 그 제조방법에 관한 것이다. 0.98㎛ 반도체 레이저에서 발생하는 밝은 띠의 제거는 반도체 레이저의 공진기를 따라 주기적으로 이득 변화를 주면 된다. 즉, 공진기 내에서의 밝은 띠 발생의 원인인 이득 분포를 다른 형태로 바꿈으로써 가능하게된다. 본 발명에서는 활성층 위에 이온주입 공정을 통한 절연층을 형성시켜 활성층으로 주입되는 전하 밀도를 조절함으로써 공진기 길이 방향으로서의 빛의 불균형 분포를 상쇄시키는 방법에 관하여 기술하였다.

公开(公告)号：KR100226431B1

公开(公告)日：1999-10-15

申请号：KR1019960061998

申请日：1996-12-05

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 장동훈 ,  박경현 ,  이중기 ,  조호성 ,  박철순

IPC: H01S3/0947

Abstract: 본 발명은 고출력에서도 고차 모드의 발진을 억제하여 기본 모드로 동작하므로서 안정된 광 출력을 내는 고출력 반도체 레이저에 관한 것이다. 고출력화는 반도체 레이저 자체의 고출력화와 모듈로 제작 시 반도체 레이저와 부착 광섬유 사이의 광결합 효율을 높이는 문제로 나누어 생각할 수 있다. 현재 반도체 레이저의 고출력화와 일반 반도체 레이저와 광섬유 사이의 광결합의 고 효율화는 크게 진전되어 있으나 양자를 결합하여 반도체 레이저 모듈을 제작할 때에는 반도체 레이저로부터 방사되는 광출력형태(방사 패턴)가 반도체 레이저의 동작조건에 따라 변함으로써 결과적으로 반도체 레이저 모듈의 성능을 나쁘게 하고 있다. 이와같은 광출력 형태는 기본모드가 아닌 고차모드로 동작시 광결합 효율은 나빠지게 되므로 고출력 반도체 레이저에 있어서 고차모드의 발생 억제가 필수적이다. 따라서 본 발명은 고출력 동작시 고차모드의 발생을 억제하기 위하여 RWG 반도체 레이저의 Channel 부분에 Zn, Be, Si 등의 원소를 확산 또는 Implant 공정을 통하여 channel 부분과 Ridge 부분의 경계부를 일부 혼정화 시키므로서 급준한 유효굴절율 변화를 완화시켜 고출력 동작 시에도 고차모드 동작을 억제시켜 고출력에서도 광결합 효율이 좋은 기본모드로 동작하게 하는 구조의 제작에 있다.

公开(公告)号：KR100178493B1

公开(公告)日：1999-04-15

申请号：KR1019950052687

申请日：1995-12-20

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 이중기 ,  조호성 ,  박경현 ,  장동훈 ,  박철순

IPC: H01S3/00

Abstract: 본 발명은 고출력 레이저 다이오드에 관한 것으로서, 제1도전형의 반도체기판과,상기 반도체기판의 상부에 형성된 제1도전형의 제1클래드층과, 상기 제1클래드층의 상부에 불순물이 도핑되지 않고 형성된 제1광도파로층과, 상기 제1광도파로층의 상부에 불순물이 도핑되지 않고 형성되어 공진기로 이용되는 활성층과, 상기 활성층의 상부에 불순물이 도핑되지 않은 상기 활성층 보다 광굴절률이 작은 상기 제1광도파로층과 동일한 물질로 형성된 제2광도파로층과, 상기 제2광도파로층의 상부에 상기 '형성된 제2도전형의 제2클래드층과, 상기 제2클래드층의 상부에 형성된 불순물이 고농도로 도핑된 제2도전형의 오믹접촉층과, 상술한 구조의 상기 활성층의 공진기의 길이 방향 양측면에 광의 출력을 높히기 위해 각각 형성된 무반사막 및 고반사막과, 상� �� 반도체 기판의 하부 표면에 형성된 제1도전형 전극과, 상기 오믹접촉층의 상부에 상기 공진기의 길이 방향과 수직인 방향으로 소정 폭으로 형성된 분리층에 의해 분리되고 소정의 저항 차이를 갖는 제1및 제2 P형 전극을 구비한다.
따라서, 공진기 내부의 전하밀도와 이득분포가 무반사막 및 고반사막 영역에 균일하게 분포시켜 공간흘버닝 현상 및 다모드 발진을 방지하여 광출력을 향상시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1019980044612A

公开(公告)日：1998-09-05

申请号：KR1019960062714

申请日：1996-12-07

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 이중기 ,  박경현 ,  조호성 ,  장동훈 ,  박철순

IPC: H01S3/00

Abstract: 본 발명은 종래의 0.98㎛ 반도체 레이저가 고출력으로 동작할 때 발생하는 열을 효과적으로 발산시켜 반도체 레이저의 온도에 따른 발진파장 변화를 감소시키고 양자효율을 증가시켜 반도체 레이저의 특성을 향상시킨 새로운 0.98㎛ 반도체 레이저의 구조에 관한 것으로, 활성층 좌우의 빛이 유도되지 않는 영역을 식각한 다음 반도체 레이저 칩을 솔더를 이용하여 칩고정용기판에 접속하고, 칩고정용기판에 열발산을 위한 TEC를 접속한 구조를 갖는 반도체 레이저를 제조하였다.
이에 의해 본 발명의 반도체 레이저는 리지(ridge) 좌우의 활성층 영역을 식각하여 열 발생의 주된 원인인 활성층과 금속층간의 거리를 좁혀준 새로운 형태의 방열구조를 제공하는 것에 의해 반도체 레이저의 효율이 향상되었다.

公开(公告)号：KR1019970031121A

公开(公告)日：1997-06-26

申请号：KR1019950040292

申请日：1995-11-08

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 장동훈 ,  박경현 ,  이중기 ,  조호성 ,  박철순

IPC: H01S5/22

Abstract: 본 발명은 횡모드 조절 고출력 레이저 다이오드 및 그의 제조방법에 관한 것으로서, 릿지 하부 양측의 활성층에 Si, Zn, Be 또는 플로톤 등의 불순물을 이온 주입하고 고온에서 활성화시키지 않아 반절연된 전류차단영역에 의해 전류가 퍼지지 않도록 하여 고출력 동작시 높은 차수의 횡모드가 발생되는 것을 방지한다.
따라서, 레이저 다이오드 모듈에서 출력되는 광량과 광출력의 안정도를 향상시키도록 고출력 동작시 고차 모드 발생에 의한 방사 패턴의 변화를 방지할 수 있다.

公开(公告)号：KR100324203B1

公开(公告)日：2002-02-16

申请号：KR1019990040255

申请日：1999-09-18

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 조호성 ,  박경현 ,  편광의

IPC: H01S5/30

Abstract: 본발명은순수이득결합분포궤환형반도체레이저및 그제조방법에관한것이다. 본발명은반도체기판상에결정성장된활성층, 완충층, 회절격자가형성된이득결합층및 클래드층을포함하여수직구조를이루는이득결합형분포궤환반도체레이저에있어서, 활성층보다밴드갭에너지가낮은이득결합층에회절격자를형성한 후, 격자사이를굴절률보상층으로메워기존의회절격자구조를변화시킴으로써, 회절격자가형성되어주기적인광이득/손실을주는이득결합층에서발생하는굴절률변조를굴절률보상층으로상쇄시킨다. 따라서본 발명의이득결합분포궤환형반도체레이저는단일모드수율이높을뿐만아니라높은측모드억제율특성을갖는다.

公开(公告)号：KR1020010028165A

公开(公告)日：2001-04-06

申请号：KR1019990040255

申请日：1999-09-18

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 조호성 ,  박경현 ,  편광의

IPC: H01S5/30

Abstract: PURPOSE: A pure gain bond distributed feedback laser diode and a production method thereof are provided to give high mode yield of sun light wavelength and high inhibition of lateral mode, and have good operation property. CONSTITUTION: A distributed feedback laser diode consists of substrate(10), active layer(11), buffer layer(12), gain bond layer(13) and clad layer(14). The layers form perpendicular structure. A diffraction lattice is formed on the gain bond which is disposed adjacent to the active layer. A refractive index compensation layer is filled between diffraction lattices of the gain bond layer, modifying the existing diffraction lattice. Thus diffraction lattice is formed to offset the refractive index alteration by the refractive index compensate layer. A production method comprises growing active layer, buffer layer and gain bond layer on the semiconductor substrate, forming a diffraction lattice on the gain bond layer using laser holography, filling the removed part with the refractive index compensate layer after etching, and re-growing clad layer.

Abstract translation: 目的：提供纯增益键分布式反馈激光二极管及其制造方法，以提供太阳光波长的高模量产量和高横向模式的抑制，并具有良好的操作性能。 构成：分布式反馈激光二极管由衬底（10），有源层（11），缓冲层（12），增益接合层（13）和覆层（14）组成。 层形成垂直结构。 在与活性层相邻设置的增益接合上形成衍射晶格。 在增益接合层的衍射晶格之间填充折射率补偿层，修改现有的衍射晶格。 因此，形成衍射晶格以抵消折射率补偿层的折射率变化。 一种制造方法包括在半导体衬底上生长有源层，缓冲层和增益接合层，在激光全息术的增益接合层上形成衍射晶格，在蚀刻之后用折射率补偿层填充去除的部分， 层。

公开(公告)号：KR100275532B1

公开(公告)日：2001-01-15

申请号：KR1019980038955

申请日：1998-09-21

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 이중기 ,  박경현 ,  조호성 ,  남은수 ,  장동훈

IPC: H01S5/30

Abstract: 본 발명은 리지(ridge) 형태의 갖는 반도체 레이저의 리지 양측에 동일한 간격을 두고 대칭적으로 이온주입영역을 형성하기 위한 고출력 반도체 레이저 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명은 공정에서 발생하는 이용하여 원하는 리지 폭을 얻음과 동시에 상부 양측을 동일한 폭으로 덮는 이온주입 마스크를 형성하고, 자동정렬 방법으로 이온을 주입하여 고차 발진을 억제하고 기본 발진에는 영향이 없는 이온주입 영역을 형성하는데 그 특징이 있다. 본 발명에 따라 리지 양측으로부터 일정한 폭을 갖는 언더컷(undercut)을 형성하여 리지 양측으로 동일 간격을 두고 리지를 중심으로 대칭으로 이온주입 영역을 형성 할 수 있게 된다. 따라서, 고 주입전류에서 발생하는 1차 고차 횡모드를 효과적으로 흡수함으로써 고출력 동작에서도 출력 빔이 휘는 현상을 방지하여 광 결합효율이 일정하게 유지되도록 한다. 이에 의해, 칩 및 모듈 특성을 재현성을 향상시킬 수 있다. 또한, 이온주입 마스크를 형성하기 위한 별도의 포토레지스트 패턴 형성 공정을 생략할 수 있어 제조 단가를 절감시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1020000039391A

公开(公告)日：2000-07-05

申请号：KR1019980054710

申请日：1998-12-12

Applicant: 주식회사 케이티 ,  한국전자통신연구원

Inventor： 이중기 ,  박경현 ,  조호성 ,  남은수 ,  장동훈

IPC: H01S5/30

Abstract: PURPOSE: An oscillation wavelength selective semiconductor laser device is provided to select and output light wavelength accurately agreed with a preset WDM(wavelength division multiplex) wavelength in DBR range in no relation to the drive conditions of the laser device. CONSTITUTION: An oscillation wavelength selective semiconductor laser device comprises four areas(4a-4d) consisted of an individual p-electrode and an active layer. One of the four areas is a first reflection area in which continuous diffraction lattice is formed on a light wave guide. One of the four areas is a second reflection area on which periodic diffraction lattice is formed. One of the four areas is a light gain area formed between the first and second reflection areas. The other area of the four areas is a phase correction area formed between the first and second reflection areas.

Abstract translation: 目的：提供振荡波长选择半导体激光器件，以与激光器件的驱动条件无关地选择并输出与DBR范围内的预设WDM（波分复用）​​波长精确一致的光波长。 构成：振荡波长选择半导体激光器件包括由单独的p电极和有源层组成的四个区域（4a-4d）。 四个区域中的一个是在光波导上形成连续衍射格栅的第一反射区域。 四个区域中的一个是形成周期性衍射格栅的第二反射区域。 四个区域中的一个是形成在第一和第二反射区域之间的光增益区域。 四个区域的另一个区域是形成在第一和第二反射区域之间的相位校正区域。