公开(公告)号：KR100126553B1

公开(公告)日：1997-10-16

申请号：KR1019930026787

申请日：1993-12-08

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 추혜용 ,  박병운 ,  최영완 ,  한선규

IPC: H01L31/12 ,  H01S3/18

公开(公告)号：KR100119229B1

公开(公告)日：1997-07-30

申请号：KR1019930026307

申请日：1993-12-03

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 최영완 ,  권오균 ,  심숙이 ,  이일항

IPC: H01L31/00 ,  H01L33/00

公开(公告)号：KR1019970013440A

公开(公告)日：1997-03-29

申请号：KR1019950025694

申请日：1995-08-21

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 권오균 ,  김광준 ,  최영완 ,  이일항

IPC: H01L33/00

Abstract: 이 발명은 화합물 반도체 다중양자우물(multipe quantum well) 구조에서의 전기광흡수효과(electro-absoption effect)를 이용한 수직구조형(vertical cavity stack layer) 무전압 광쌍안정 논리소자(Non-biased optical bistable device)에 관한 것으로서, 반절연 기판 및 거울층 위에 다중양자우물 구조로 된 중간활성층을 가지는 핀 다이오드를 적층시키고, 소자의 표면에 무반사막을 입힌 구조로 형성하여, 핀 다이오드의 수직 적층에 의해 중간활성층의 양자우물의 주기수를 여러층으로 분배하고, 중간활성층의 두께를 크게 줄어들게 하여 광스위칭에 필요한 동작전압이 크게 감소시킬 수 있고, 여러층으로 분배된 양자우물수로 인하여 충분한 흡수층을 가지게 되어 공명기 구조가 필요없게 됨으로써 공명기 두께 조절의 어려움을 없애고, 넓은 면적에 걸쳐 균일한 성능을 가지도록 는 효과를 얻을 수 있다.

公开(公告)号：KR1019960027587A

公开(公告)日：1996-07-22

申请号：KR1019940033891

申请日：1994-12-13

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 심숙이 ,  최영완 ,  권오균 ,  이일항

IPC: H04B10/00

Abstract: 본 발명은 광섬유를 이용한 장거리 통신에 쓰일 수 있는 장파장용 광 스위치 소자를 구현하는 방법에 있어서 다중양자우물의 물질로 InGaAsP/InP 혼성구조의 구성 성분비 및 구조를 조정하여 광섬유에서 손실 최소치를 갖는 파장영역에서 작용하며 광 출력 강도비 및 광흡수 최대치를 극대화하는 최적화된 구조를 얻기 위한 산출방법을 제안한 것이다.

公开(公告)号：KR1019960019808A

公开(公告)日：1996-06-17

申请号：KR1019940029926

申请日：1994-11-15

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 최영완 ,  권오균 ,  김광준 ,  이일항

IPC: H01L31/00

Abstract: 본 발명은 외부 전압 인가 없이도 광 쌍안정 특성이 가능한 ESQW S-SEED, ACQW S-SEED, SMQW S-SEED 등의 무전압 광 쌍안정 논리장치의 제작에 있어 기존의 구조를 이용할 경우 쌍안경 특성이 충분치 못한 점을 비대칭 페브리-패로(AFP) 공명 구조를 이용하여 극복함에 있어, 광 입력 저항 불일치된(inpedancde-mismatched) AFP 구조를 이용하여 무전압 광 쌍안정 특성을 향상시키는 방법에 관한 것이다.
일반적으로 사용하는 광 입력 저항 일치된(inpedance-matched) AFP 구조에서는 ON/OFF 강도비가 매우 큰 장점이 있으나, 광 시스템에서 더욱 중요한 반사율의 차이(△R)와 광 쌍안정 폭(△)이 비교적 작다는 단점이 있었다.
이를 해결하는 방법으로 MQW로 이루어진 진성 영역의 두께를 MQW의 주기수를 적절히 줄여 감소시키면 광 시스템에서 필요로 하는 적절한 ON/OFF 강도비를 유지하면서도 △R과 △를 크게 증가시킬 수 있는 저항 불일치된 AFP 구조물 제시한다.
또한 본 발명의 구조에서는, 진성 영역의 두께가 저항 일치된 AFP구조보다 더욱 감소되므로, PIN 다이오드를 이루는 물질에 의해 결정되는 주어진 내재 전압에 의한 내재 전계가 증가하여 광 쌍안정 특성을 더욱 크게 할 수 있는 구조이기도 하다.

公开(公告)号：KR1019960019759A

公开(公告)日：1996-06-17

申请号：KR1019940030617

申请日：1994-11-21

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 최영완 ,  권오균 ,  김광준 ,  이일항

IPC: H01L27/12 ,  H01J40/14

公开(公告)号：KR1019950021283A

公开(公告)日：1995-07-26

申请号：KR1019930026793

申请日：1993-12-08

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이상훈 ,  최영완 ,  심숙이 ,  원용협 ,  정종술 ,  이일항

IPC: H01L21/34

Abstract: 본 발명은 초고속의 스위칭 속도와 높은 광학적 온/오프 강도비를 갖는 비선형 광 쌍안정성 소자를 가능하게 하는 비대칭 페브리-페롯 공명 구조와 얕은 양자 우물 구조가 혼합 적용된 화합물 반도체 다중 양자 우물구조에 관한 것이다. 종래의 깊은 다중 양자 우물구조는 캐리어들의 양자 우물 탈출 시간이 길어서 결국 이 구조로 만든 광소자의 스위칭 속도가 느린 문제점이 있다.
아울러 비대칭 페브리-페롯 구조가 아닌 종래의 入/4 스택층을 바닥 거울층으로만 적용시킨 구조는 출력광의 온/오프 강도비가 낮아서 광시스템에 적용시 낮은 잡음여유도로 인해 신뢰성의 문제가 있다.
본 발명은PI(MQW)-N 다이오드의 진성 영역내에GaAs/AlxGal-xAs 다중 양자 우물에서 Al의 몰농도를 낮게하여(x=5%이하)얕은 양자 우물 구조로 함으로써 외부 인가 전계에 의한 전계 이온화 현상에 의해 캐리어들의 양자 우물 탈출 시간을 매우 짧게 가져감으로 인해 스위칭 속도를 매우 빨리 할 수 있게 한다.
아울러 PI(MQW)-N 다이오드의 총두께가 높은 반사율을 갖는 하부 거울층인 A10 !Ga0.9/AlAs 入/4 스택층과 낮은 반사율의 반도체와 공기와의 계면층 사이에 비대칭 페브리-페롯 공명 구조가 되게끔 하여 광학적 출력의 온/오프 강도비를 크게 높일수 있게 하였다.
결국 스위칭 속도 개선을 위한 얕은 양자 우물 구조와 출력광의 온/오프 강도비 개선을 위한 비대칭 페브리-페롯 공명 구조를 동시에 혼합 적용시킨 화합물 반도체 혼성 구조인 것이다.