公开(公告)号：KR101508619B1

公开(公告)日：2015-04-06

申请号：KR1020107004502

申请日：2008-07-30

Applicant: 휴렛-팩커드 디벨롭먼트 컴퍼니, 엘.피.

Inventor： 탄,마이클 ,  왕,시-유안

IPC: G02B6/26 ,  G02B6/28

CPC classification number: G02B6/125 ,  G02B6/43

Abstract: 광신호를라우팅하기위한방법및 시스템이개시된다. 이시스템은도파관의내부를덮고있는반사코팅(213)을가지며실질적으로시준된멀티모드간섭성광빔(208)을유도하도록구성된제1 대형코어중공도파관(205)을포함한다. 내부반사코팅을가진제2 대형코어중공도파관(208)은결합장치(210)로써제1 도파관에결합된다. 결합장치는이 결합장치를통한간섭성광의빔 워크-오프가제1 대형코어중공도파관의폭의절반보다작도록충분히짧은광 경로를통해제1 도파관으로부터제2 도파관으로간섭성광빔의적어도일부를방향전환시키도록구성된다.

公开(公告)号：KR101487291B1

公开(公告)日：2015-01-29

申请号：KR1020147006885

申请日：2008-01-03

Applicant: 휴렛-팩커드 디벨롭먼트 컴퍼니, 엘.피.

Inventor： 시가라스,미하일 ,  왕,시-유안

IPC: G02B6/10

CPC classification number: G02B6/1225 ,  B82Y20/00 ,  G02B6/12007 ,  G02B6/13 ,  G02B2006/12145 ,  G02B2006/1215 ,  G02F1/035 ,  G02F2202/32

Abstract: 본 발명의 여러 가지 실시예는 데이터를 반송 전자기파로 인코딩하고 반송 전자기파의 전송을 조절하는데 이용될 수 있는 광자 시스템과 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에서 광자 시스템(1000, 1500)은 다수의 전자기파를 전송하도록 구성된 제1 도파관(1002)을 포함한다. 광자 시스템(1000, 1500)은 공진 공동(1014, 1504)을 구비한 광자 결정(1004, 1502)을 포함하며 상기 전자기파들 중 하나 또는 그 이상을 상기 제1 도파관(1002)에서 상기 공진 공동(1014, 1504) 내로 선택적으로 그리고 감쇄적으로 결합하도록 구성된다. 광자 시스템(1000, 1500)은 또한 하나 또는 그 이상의 전자기파를 감쇄 결합을 통해 상기 공진 공동(1014, 1504)으로부터 전송하고 추출하도록 배치된 제2 도파관(1006)을 포함한다.

公开(公告)号：KR101474813B1

公开(公告)日：2014-12-19

申请号：KR1020107002202

申请日：2008-07-30

Applicant: 휴렛-팩커드 디벨롭먼트 컴퍼니, 엘.피.

Inventor： 탠,마이클 ,  왕,시-유안 ,  스튜어트,던칸 ,  패탈,데이비드

IPC: H01P7/00 ,  H01S3/08 ,  H01S3/109

CPC classification number: H01S5/1075 ,  B82Y20/00 ,  G02B6/12007 ,  H01S5/021 ,  H01S5/0215 ,  H01S5/026 ,  H01S5/0422 ,  H01S5/1032 ,  H01S5/1042 ,  H01S5/2063 ,  H01S5/222 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/34306

Abstract: 본발명의다양한실시예들은레이저, 변조기, 및광검출기로서이용될수 있는마이크로공진기시스템들및 상기마이크로공진기시스템들을제조하는방법들에관한것이다. 하나의실시예에서, 마이크로공진기시스템(100)은상부표면층(104)을갖는기판(106), 상기기판(106) 내에임베드된적어도하나의도파로(114, 116), 및상부층(118), 중간층(122), 하부층(120), 전류절연영역(128) 및주변환상영역(124, 126)을갖는마이크로디스크를포함한다. 상기마이크로디스크(102)의상기하부층(120)은상기기판(106)의상기상부표면층(104)과전기통신하고상기주변환상영역(124, 126)의적어도일부분이상기적어도하나의도파로(114, 116) 위에배치되도록위치된다. 상기전류절연층(128)은상기마이크로디스크의중앙영역의적어도일부분을점유하도록구성되고상기주변환상영역보다비교적더 낮은굴절률및 비교적더 큰밴드갭을갖는다.

公开(公告)号：KR101434238B1

公开(公告)日：2014-08-26

申请号：KR1020107019098

申请日：2008-01-30

Applicant: 휴렛-팩커드 디벨롭먼트 컴퍼니, 엘.피.

Inventor： 왕,시-유안 ,  탄,마이클,렌느타이

IPC: H01L23/48 ,  H01L29/06 ,  B82B1/00 ,  C23C16/00

CPC classification number: B81C1/00142 ,  B81C2201/0171 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/068 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/105 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E10/50 ,  H01L2924/00

Abstract: 나노구조(10, 10', 10", 10''')는 높은 도전성의 마이크로 결정층(18), 바이폴라 나노와이어(16) 및 다른 층(18, 30)을 포함한다. 높은 도전성의 마이크로 결정층(18)은 마이크로 결정 재료 및 금속을 포함한다. 바이폴라 나노와이어(16)는 높은 도전성의 마이크로 결정층(18)에 부착된 한 단부 및 다른 층(18, 30)에 부착된 다른 단부를 갖는다.

公开(公告)号：KR1020140037978A

公开(公告)日：2014-03-27

申请号：KR1020147006885

申请日：2008-01-03

Applicant: 휴렛-팩커드 디벨롭먼트 컴퍼니, 엘.피.

Inventor： 시가라스,미하일 ,  왕,시-유안

IPC: G02B6/10

CPC classification number: G02B6/1225 ,  B82Y20/00 ,  G02B6/12007 ,  G02B6/13 ,  G02B2006/12145 ,  G02B2006/1215 ,  G02F1/035 ,  G02F2202/32

Abstract: 본 발명의 여러 가지 실시예는 데이터를 반송 전자기파로 인코딩하고 반송 전자기파의 전송을 조절하는데 이용될 수 있는 광자 시스템과 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에서 광자 시스템(1000, 1500)은 다수의 전자기파를 전송하도록 구성된 제1 도파관(1002)을 포함한다. 광자 시스템(1000, 1500)은 공진 공동(1014, 1504)을 구비한 광자 결정(1004, 1502)을 포함하며 상기 전자기파들 중 하나 또는 그 이상을 상기 제1 도파관(1002)에서 상기 공진 공동(1014, 1504) 내로 선택적으로 그리고 감쇄적으로 결합하도록 구성된다. 광자 시스템(1000, 1500)은 또한 하나 또는 그 이상의 전자기파를 감쇄 결합을 통해 상기 공진 공동(1014, 1504)으로부터 전송하고 추출하도록 배치된 제2 도파관(1006)을 포함한다.

Abstract translation: 本发明的各种实施例针对可用于将数据编码成载波并控制载波传输的光子系统和方法。 在本发明的一个实施例中，光子系统1000和1500包括被配置为传输多个电磁波的第一波导1002。 光子系统1000和1500包括具有谐振腔1014和1504的光子晶体1004和1502，并且一个或多个电磁波在第一波导1002中耦合到谐振腔1014 如图1504所示。 光子系统1000和1500还包括第二波导1006，其被布置为经由衰减耦合来从谐振腔1014和1504传输和提取一个或多个电磁波。

公开(公告)号：KR1020110015603A

公开(公告)日：2011-02-16

申请号：KR1020107027412

申请日：2008-05-05

Applicant: 휴렛-팩커드 디벨롭먼트 컴퍼니, 엘.피.

Inventor： 왕,시-유안 ,  탄,마이클알.

IPC: H01L31/105

CPC classification number: H01L31/105 ,  B82Y20/00

Abstract: 나노와이어-기반 포토다이오드(100) 및 인터디지털 pin 포토다이오드(200)는 포토다이오드(100, 200)의 i-영역에서 i-형 반도체 나노와이어(140, 240)를 이용한다. 상기 나노와이어-기반 포토다이오드(100, 200)는 p-형 도펀트로 도핑된 제1 반도체의 제1 측벽(110, 212, 210), n-형 도펀트로 도핑된 제1 반도체의 제2 측벽(120, 222, 220), 및 상기 제1 및 제2 측벽들 사이에서 트렌치(130, 230)를 가교하는 진성 반도체 나노와이어(140, 240)를 포함한다. 상기 트렌치는 기판(150, 160, 250)에 인접한 하단에서보다 상단에서 더 넓다. 상기 제1 측벽 및 상기 제2 측벽 중 하나 또는 둘다의 상기 제1 반도체는 단결정이며 상기 제1 측벽, 상기 나노와이어 및 상기 제2 측벽은 함께 상기 포토다이오드의 pin 반도체 접합을 형성한다.

公开(公告)号：KR1020100051833A

公开(公告)日：2010-05-18

申请号：KR1020107004424

申请日：2008-07-30

Applicant: 휴렛-팩커드 디벨롭먼트 컴퍼니, 엘.피.

Inventor： 탄,마이클 ,  왕,시-유안 ,  스튜어트,던칸 ,  파탈,데이비드

IPC: H01S3/08 ,  H01S3/109

CPC classification number: H01S5/1075 ,  B82Y20/00 ,  G02B6/12007 ,  H01S5/026 ,  H01S5/0424 ,  H01S5/1032 ,  H01S5/1042 ,  H01S5/34306

Abstract: Various embodiments of the present invention are related to microresonator systems and to methods of fabricating the microresonator systems. In one embodiment, a microresonator system comprises a substrate (206) having a top surface layer (204) and at least one waveguide (214,216) embedded in the substrate and positioned adjacent to the top surface layer of the substrate. The microresonator system also includes a microresonator (202) having a top layer (218), an intermediate layer (222), a bottom layer (220), a peripheral region, and a peripheral coating (224). The bottom layer (220) of the microresonator is attached to and in electrical communication with the top surface layer (204) of the substrate. The microresonator is positioned so that at least a portion of the peripheral region is located above the at least one waveguide (214, 216). The peripheral coating (224) covers at least a portion of the peripheral surface and has a relatively lower index of refraction than the top, intermediate, and bottom layers of the microresonator.

Abstract translation: 本发明的各种实施例涉及微谐振器系统和制造微谐振器系统的方法。 在一个实施例中，微谐振器系统包括具有顶表面层（204）的衬底（206）和嵌入衬底中的至少一个波导（214,216），并且邻近衬底的顶表面层定位。 微谐振器系统还包括具有顶层（218），中间层（222），底层（220），周边区域和外围涂层（224）的微谐振器（202）。 微谐振器的底层（220）附着到衬底的顶表面层（204）并且与衬底的顶表面层（204）电连通。 微谐振器被定位成使得周边区域的至少一部分位于至少一个波导（214,216）之上。 周边涂层（224）覆盖周边表面的至少一部分并且具有比微谐振器的顶层，中间层和底层更低的折射率。