公开(公告)号：CN101933140A

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：CN200880126070.4

申请日：2008-01-30

Applicant: 惠普发展公司 ,  有限责任合伙企业

Inventor： S-Y·王 ,  M·R·T·谭

IPC: H01L23/48 ,  H01L29/06 ,  B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  C23C16/00 ,  G05F1/00

CPC classification number: B81C1/00142 ,  B81C2201/0171 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/068 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/105 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E10/50 ,  H01L2924/00

Abstract: 纳米结构(10，10’，10”，10”’)包括高度导电的微晶层(18)、双极纳米线(16)以及另一个层(18，30)。高度导电的微晶层(18)包括微晶材料和金属。使双极纳米线(16)的一个末端附接到高度导电的微晶层(18)，并使其另一个末端附接到其它的层(18，30)。

公开(公告)号：CN106458572A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201580030959.2

申请日：2015-05-29

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： D·本德施

IPC: B81B7/00

CPC classification number: B81B7/0016 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/053 ,  B81B2207/015 ,  B81C1/00682 ,  B81C2201/0171

Abstract: 微机械结构(100)，具有：至少一个可弹性变形的第一区域(10)，该区域至少分段地具有一个定义的压电掺杂的第二区域(10a)；至少一个第四区域(30)，在第二区域(10a)内产生的电荷可导出到该区域中；和至少一个与第二和第四区域(10a,30)电连接的第三区域(20)，在该区域中流过的电流转换成热能。

公开(公告)号：CN104851753B

公开(公告)日：2018-04-24

申请号：CN201510083334.4

申请日：2015-02-16

Applicant: 亚德诺半导体集团

Inventor： C·F·李 ,  R·C·格金 ,  P·L·菲兹格拉德

IPC: H01H59/00

CPC classification number: H01H1/0036 ,  B81B7/0064 ,  B81B2201/014 ,  B81B2207/03 ,  B81B2207/07 ,  B81B2207/115 ,  B81C1/00698 ,  B81C2201/0171 ,  B81C2203/075 ,  H01H59/0009 ,  H01P1/127

Abstract: 一种MEMS设备具有衬底、输入节点、输出节点以及处于输入节点和输出节点之间的MEMS开关。所述开关对输入节点和输出节点进行有选择地连接，在所述开关断开时所述输入节点和输出节点电隔离。所述设备还具有处于衬底内的输入掺杂区域和处于衬底内的输出掺杂区域。所述输入掺杂区域和输出掺杂区域通过衬底电隔离，即，它们之间的电阻遏制了两个掺杂区域之间的不可忽略的电流的流动。所述输入掺杂区域与输入节点形成了输入电容，而所述输出掺杂区域与输出节点形成了输出电容。

公开(公告)号：CN104851753A

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201510083334.4

申请日：2015-02-16

Applicant: 亚德诺半导体集团

Inventor： C·F·李 ,  R·C·格金 ,  P·L·菲兹格拉德

IPC: H01H59/00

CPC classification number: H01H1/0036 ,  B81B7/0064 ,  B81B2201/014 ,  B81B2207/03 ,  B81B2207/07 ,  B81B2207/115 ,  B81C1/00698 ,  B81C2201/0171 ,  B81C2203/075 ,  H01H59/0009 ,  H01P1/127

Abstract: 一种MEMS设备具有衬底、输入节点、输出节点以及处于输入节点和输出节点之间的MEMS开关。所述开关对输入节点和输出节点进行有选择地连接，在所述开关断开时所述输入节点和输出节点电隔离。所述设备还具有处于衬底内的输入掺杂区域和处于衬底内的输出掺杂区域。所述输入掺杂区域和输出掺杂区域通过衬底电隔离，即，它们之间的电阻遏制了两个掺杂区域之间的不可忽略的电流的流动。所述输入掺杂区域与输入节点形成了输入电容，而所述输出掺杂区域与输出节点形成了输出电容。

公开(公告)号：CN101933140B

公开(公告)日：2012-02-29

申请号：CN200880126070.4

申请日：2008-01-30

Applicant: 惠普发展公司 ,  有限责任合伙企业

Inventor： S-Y·王 ,  M·R·T·谭

IPC: H01L23/48 ,  H01L29/06 ,  B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  C23C16/00 ,  G05F1/00

CPC classification number: B81C1/00142 ,  B81C2201/0171 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/068 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/105 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E10/50 ,  H01L2924/00

Abstract: 纳米结构(10，10’，10”，10”’)包括高度导电的微晶层(18)、双极纳米线(16)以及另一个层(18，30)。高度导电的微晶层(18)包括微晶材料和金属。使双极纳米线(16)的一个末端附接到高度导电的微晶层(18)，并使其另一个末端附接到其它的层(18，30)。

公开(公告)号：WO2015179421A1

公开(公告)日：2015-11-26

申请号：PCT/US2015/031610

申请日：2015-05-19

Applicant: UCHICAGO ARGONNE, LLC

Inventor： SUMANT, Anirudha V. ,  BUJA, Federico ,  VAN SPENGEN, Willem Merlijn

IPC: B32B3/00 ,  C22C26/00 ,  C22C49/11

CPC classification number: B81B3/0024 ,  B81B3/0075 ,  B81C1/0038 ,  B81C2201/013 ,  B81C2201/017 ,  B81C2201/0171 ,  B81C2201/0176 ,  C23C14/16

Abstract: Nanocrystalline diamond coatings exhibit stress in nano/micro-electro mechanical systems (MEMS). Doped nanocrystalline diamond coatings exhibit increased stress. A carbide forming metal coating reduces the in-plane stress. In addition, without any metal coating, simply growing UNCD or NCO with thickness in the range of 3-4 micron also reduces inplane stress significantly. Such coatings can be used in MEMS applications.

Abstract translation: 纳米/微机电系统（MEMS）中的纳米晶金刚石涂层表现出应力。 掺杂的纳米晶体金刚石涂层表现出增加的应力。 碳化物形成金属涂层减少了面内应力。 此外，没有任何金属涂层，简单地生长厚度在3-4微米范围内的UNCD或NCO也显着降低了平面内的应力。 这种涂层可用于MEMS应用。

公开(公告)号：JP2011514656A

公开(公告)日：2011-05-06

申请号：JP2010544943

申请日：2008-01-30

Applicant: ヒューレット−パッカード デベロップメント カンパニー エル.ピー.

Inventor： タン，マイケル，レネー，タイ ,  ワン，シー−ユアン

IPC: H01L29/06 ,  B82B1/00 ,  B82B3/00

CPC classification number: B81C1/00142 ,  B81C2201/0171 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/068 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/105 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E10/50 ,  H01L2924/00

Abstract: 高導電性の微結晶層（１８）、双極性ナノワイヤ（１６）、及びもう１つの層（１８，３０）を含むナノ構造（１０、１０'、１０''、１０'''）。 高導電性の微結晶層（１８）は、微結晶材料、及び金属を含む。 双極性ナノワイヤ（１６）は、その一端が、高導電性の微結晶層（１８）に取り付けられ、他端が、もう１つの層（１８，３０）に取り付けられる。
【選択図】図４

公开(公告)号：JP2009128362A

公开(公告)日：2009-06-11

申请号：JP2008294283

申请日：2008-11-18

Applicant: Robert Bosch Gmbh ,  ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツングRobert Bosch Gmbh

Inventor： GRAF ALEXANDER

IPC: G01J1/02 ,  G01J3/02 ,  G01N21/35

CPC classification number: G01J5/0014 ,  B81B3/0083 ,  B81B2201/0278 ,  B81B2201/047 ,  B81C2201/0171 ,  G01J5/0215 ,  G01J5/04 ,  G01J5/045 ,  G01J5/048 ,  G01J5/08 ,  G01J5/0806 ,  G01J5/0868 ,  G01N21/3504

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To improve the cost and convenience of a sensor element for spectroscopic or optical measurement and a method for manufacturing the same. SOLUTION: A sensor element for spectroscopic/optical measurement includes: a sensor chip 2 having a measuring device 3 for sensing a beam 10; a cap chip 6 fixed to a sensor chip via a vacuum-sealing connector 5; a free space 7 formed between the cap chip and the measuring device and sealed with the connector 5; and a Fresnel zone structure 12 that focuses the incident beam 10 on the measuring device. A Fresnel lens is not realized as a three-dimensional structure on an upper surface of the chip but realized inside of the cap chip. That is, the Fresnel zone structure is formed inside of the cap chip. Therefore, the present invention makes it possible to realize a Fresnel lens, integrated on a cap wafer, which has a flat surface. It is possible to avoid a Fresnel lens taking the form of a three-dimensional structure and to realize the Fresnel lens in a cap wafer or a cap chip. COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：为了提高用于光谱或光学测量的传感器元件的成本和便利性及其制造方法。 解决方案：用于分光/光学测量的传感器元件包括：具有用于感测光束10的测量装置3的传感器芯片2; 通过真空密封连接器5固定到传感器芯片的盖芯片6; 形成在盖芯片和测量装置之间并用连接器5密封的自由空间7; 以及将入射光束10聚焦在测量装置上的菲涅耳带结构12。 菲涅尔透镜在芯片的上表面上没有实现为三维结构，而是在盖芯片的内部实现。 也就是说，菲涅尔区域结构形成在盖芯片的内部。 因此，本发明使得可以实现具有平坦表面的集成在盖晶片上的菲涅耳透镜。 可以避免采用三维结构形式的菲涅耳透镜，并且可以在盖晶片或盖芯片中实现菲涅耳透镜。 版权所有（C）2009，JPO＆INPIT

公开(公告)号：US11965797B1

公开(公告)日：2024-04-23

申请号：US18372687

申请日：2023-09-25

Applicant: Wuxi Sencoch Semiconductor Co., Ltd.

Inventor： Tongqing Liu

IPC: G01L9/06 ,  B81C1/00

CPC classification number: G01L9/065 ,  B81C1/00539 ,  B81C2201/0133 ,  B81C2201/016 ,  B81C2201/0171

Abstract: The present disclosure discloses a bipolar transistor type MEMS pressure sensor and a preparation method thereof. The bipolar transistor type MEMS pressure sensor includes a thin film, a cantilever beam and a bipolar transistor. The bipolar transistor includes a base region, a collector region and an emitter region. The base region is configured to sense deformation of the thin film through a change in resistance value. For the bipolar transistor type MEMS pressure sensor of the disclosure, sensitivity of the sensor can be effectively improved without changing the performance indicators such as the measurement range and nonlinearity. Meanwhile, the bipolar transistor is used as a pressure-sensitive element, so that temperature drift of the sensor can be effectively inhibited.

公开(公告)号：US11685650B2

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：US16983141

申请日：2020-08-03

Applicant: SiTime Corporation

Inventor： Aaron Partridge ,  Markus Lutz ,  Pavan Gupta

IPC: H01L23/051 ,  B81C1/00 ,  H01L41/113 ,  B81B7/00

CPC classification number: B81C1/00277 ,  B81B7/007 ,  B81B7/0035 ,  B81B7/0058 ,  B81C1/00269 ,  B81C1/00301 ,  H01L23/051 ,  H01L41/1136 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/04 ,  B81B2207/07 ,  B81C2201/0171 ,  B81C2203/031 ,  B81C2203/036 ,  B81C2203/037 ,  B81C2203/038 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: A semiconductor layer having an opening and a MEMS resonator formed in the opening is disposed between first and second substrates to encapsulate the MEMS resonator. An electrical contact that extends from the opening to an exterior of the MEMS device is formed at least in part within the semiconductor layer and at least in part within the first substrate.