公开(公告)号：FR2947096A1

公开(公告)日：2010-12-24

申请号：FR0954115

申请日：2009-06-18

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： CONSTANCIAS CHRISTOPHE ,  DALZOTTO BERNARD ,  FOURNEL FRANCK ,  MICHALLON PHILIPPE ,  MORICEAU HUBERT ,  POUTEAU VALERIE

IPC: H01L21/027 ,  G03F1/16

Abstract: Procédé de réalisation d'une membrane comportant les étapes suivantes : i. fourniture d'une couche mince (40), provenant d'un substrat (10) de type SOI, en matériau semi-conducteur, ayant une épaisseur (e) donnée, solidaire d'un cadre (2) muni d'une ouverture (7) ayant, deux dimensions surfaciques (a , b), dont une (a) est inférieure ou égale à l'autre, telle que : E, &ngr;, &rgr; étant respectivement le module d'Young, le coefficient de Poisson et la densité du matériau de la couche mince, g étant l'accélération due à la gravité, &bgr;, C et C* étant des coefficient relatifs à des facteurs de forme, k.e étant une valeur limite de planéité visée, k étant compris entre 0,05% et 20%, ii. libération d'au moins une portion de la couche mince (40), au niveau de l'ouverture (7), la portion de couche mince (40) ainsi libérée, formant la membrane. La membrane présente, une fois libérée, une contrainte de compensation en tension vérifiant