公开(公告)号：CN112189167A

公开(公告)日：2021-01-05

申请号：CN201980034001.9

申请日：2019-05-08

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 前田仁 ,  宍户博明 ,  桥本雅广

IPC: G03F1/32 ,  G03F1/58 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明提供一种具备相移膜的掩模坯料，上述相移膜兼具使ArF准分子激光的曝光光以给定的透射率透过的功能、和使该透过的ArF准分子激光的曝光光产生给定的相位差的功能，且上述相移膜的背面反射率得到了降低。该相移膜(2)包含从透光性基板侧起依次层叠有第1层(21)及第2层(22)的结构，第1层(21)与透光性基板(1)的表面相接地设置，将第1层(21)及第2层(22)在ArF准分子激光的曝光光的波长下的折射率分别设为n1、n2时，满足n1＜n2的关系，将第1层(21)及第2层(22)在上述曝光光的波长下的消光系数分别设为k1、k2时，满足k1＜k2的关系，将第1层(21)及第2层(22)的膜厚分别设为d1、d2时，满足d1＜d2的关系。

公开(公告)号：CN110383167A

公开(公告)日：2019-10-25

申请号：CN201880014226.3

申请日：2018-01-24

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 野泽顺 ,  大久保亮 ,  宍户博明

IPC: G03F1/48 ,  G03F1/20 ,  G03F1/24

Abstract: 在透光性基板(1)上层叠有由含有选自硅及钽中的一种以上的元素的材料构成的遮光膜(2)和由含有铬、氧以及碳的材料构成的硬质掩膜(3)。硬质掩膜(3)是在该表面及其附近区域具有氧含量增加的组分倾斜部的单层膜，通过X射线光电子能谱法分析而得到的(N1s)的窄谱的最大峰值为检测下限值以下，硬质掩膜(3)的除组分倾斜部之外的部分的铬含量为50原子％以上，在通过X射线光电子能谱法分析而得到的(Cr2p)的窄谱在574eV以下的结合能处具有最大峰值。

公开(公告)号：CN109643058A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201780050886.2

申请日：2017-08-02

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 宍户博明

IPC: G03F1/50 ,  G03F1/54 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明的目的在于提供一种掩模坯料(100)，遮光膜图案(2a)具有高ArF耐光性，且解决了使用波长为800nm以上900nm以下的长波长光进行标记检测时的检测灵敏度不足的课题。掩模坯料(100)在透光性基板(1)上具备遮光膜(2)，其特征在于，遮光膜为由含有硅和氮的材料形成的单层膜，对ArF准分子激光的曝光光的光学密度为2.5以上，表面反射率为40％以下，背面反射率为40％以下，对900nm波长的光的透过率为50％以下，消光系数为0.04以上，厚度为60nm以下。

公开(公告)号：CN102834773A

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201180018078.0

申请日：2011-04-08

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 野泽顺 ,  宍户博明 ,  酒井和也

IPC: G03F1/26 ,  C23C14/06

CPC classification number: G03F1/32 ,  B82Y30/00 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/0641 ,  G03F1/26 ,  G03F1/54 ,  G03F7/2041 ,  Y10S977/755

Abstract: 本发明的课题在于提供一种相移掩模坯料及其制造方法、以及相移掩模，其中，该相移掩模坯料可提高由以过渡金属、硅和氮为主要成分的材料构成的光学半透光膜(相移膜)对于波长为200nm以下的曝光光的耐光性，可以改善掩模寿命。本发明的相移掩模坯料是为了制作应用ArF准分子激光曝光光的相移掩模所使用的相移掩模坯料，其特征在于，在透光性基板上具备半透光膜，所述半透光膜由以过渡金属、硅和氮为主要成分的不完全氮化物膜构成，所述半透光膜的过渡金属在过渡金属和硅之间的含有比率小于9%。