公开(公告)号：DE112012000648T5

公开(公告)日：2013-11-07

申请号：DE112012000648

申请日：2012-01-17

Applicant: IBM

Inventor： RASSEL ROBERT M ,  STIDHAM MARK E

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/328

Abstract: Es sind Ausführungsformen einer Schottky-Barrieren-Diode (100) offenbart. Diese Schottky-Barrieren-Diode kann in einem Halbleitersubstrat (101) ausgebildet sein, das einen dotierten Bereich (110) mit einem ersten Leitfähigkeitstyp aufweist. Eine Grabenisolationsstruktur (120) kann einen Teilbereich (111) des dotierten Bereichs an der Oberseite (102) des Substrats seitlich umgeben. Auf der Oberseite des Substrats kann eine Halbleiterschicht (150) angeordnet sein. Diese Halbleiterschicht kann einen Schottky-Barrierenanteil (151) über dem definierten Teilbereich (111) des dotierten Bereichs und einen Schutzringelektrodenanteil (152) über der Grabenisolationsstruktur aufweisen, der den Schottky-Barrierenanteil seitlich umgibt. Der Schottky-Barrierenanteil kann den ersten Leitfähigkeitstyp aufweisen, und der Schutzringelektrodenanteil kann einen zweiten Leitfähigkeitstyp aufweisen, der sich von dem ersten Leitfähigkeitstyp unterscheidet. Über der Halbleiterschicht kann eine Metallsilicidschicht (140) liegen. Außerdem sind Ausführungsformen eines Verfahrens zum Bilden dieser Schottky-Barrieren-Diode und einer Entwurfsstruktur für die Schottky-Barrieren-Diode offenbart.