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公开(公告)号：JP2015192111A
公开(公告)日：2015-11-02
申请号：JP2014070198
申请日：2014-03-28
Applicant: JSR株式会社
IPC: B82Y30/00 , B82Y40/00 , C08L53/00 , C08F8/00 , C08F2/38 , C08J7/00 , C08F299/02 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/0274 , C08F297/026 , C08K5/42 , G03F7/0002 , G03F7/0035 , G03F7/2041 , G03F7/322 , G03F7/36 , G03F7/38 , G03F7/40 , H01L21/0271 , H01L21/31133 , H01L21/31138 , C08L53/00
Abstract: 【課題】相分離構造における欠陥抑制性、パターン形状の矩形性及び自己組織化膜のエッチング耐性に優れるパターン形成用組成物及びパターン形成方法の提供を目的とする。 【解決手段】本発明は、ブロック共重合体、及び溶媒を含有するパターン形成用組成物であって、上記ブロック共重合体が、主鎖の少なくとも一方の末端に反応性基を含む基を有することを特徴とする。上記ブロック共重合体が、ブロック共重合の重合停止剤として、反応性基及び炭素−ハロゲン結合を有する化合物を用いることにより得られるとよい。上記ブロック共重合体が上記反応性基を含む基を一方の末端にのみ有することが好ましい。 【選択図】図4
Abstract translation: 要解决的问题：提供：抑制相分离结构中的缺陷的能力优异的图案形成用组合物，图案形状的矩形性和自组织膜的耐蚀刻性; 和图案形成方法。解决方案：本发明涉及含有嵌段共聚物和溶剂的图案形成用组合物。 嵌段共聚物在主链的至少一个末端具有包含反应性基团的基团。 通过使用具有反应性基团和碳 - 卤键的化合物作为嵌段共聚的聚合终止剂，可以有利地获得嵌段共聚物。 嵌段共聚物有利地具有仅在一个末端具有反应性基团的基团。
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公开(公告)号：JP2015144262A
公开(公告)日：2015-08-06
申请号：JP2014258126
申请日：2014-12-19
Applicant: JSR株式会社
IPC: G03F7/40 , B82Y30/00 , B05D7/00 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/0388 , C08F220/14 , C09D125/14 , C09D133/06 , C09D133/12 , G03F7/0002 , G03F7/11
Abstract: 【課題】自己組織化による相分離構造を良好に形成させ、かつ矩形のパターンを形成させることができる下地膜形成用組成物を提供する。 【解決手段】自己組織化リソグラフィープロセスにおいてケイ素原子を含有する層と自己組織化膜との間に配置される下地膜を形成するための組成物であって、Si−OH又はSi−Hと反応し得る基を有する化合物、及び溶媒を含有し、上記下地膜の純水との後退接触角が70°以上90°以下である下地膜形成用組成物である。上記化合物としては下記式(1)で表されることが好ましい。式(1)中、Aは、(m+n)価の連結基である。Dは、炭素数10以上の1価の有機基である。EはSi−OH又はSi−Hと反応し得る基である。m及びnは、それぞれ独立して、1〜200の整数である。 【選択図】なし
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种通过自组装能够令人满意地形成相分离结构的底膜形成用组合物，能够形成矩形图案。本发明的基础成膜用组合物是形成用组合物 在自组织光刻工艺中设置在包括硅原子的层和自组织膜之间的基膜。 该组合物包含：具有能够与Si-OH或Si-H反应的基团的化合物; 和溶剂。 基膜与纯水的还原接触角为70-90°。 该化合物优选由下式（1）表示。 在式（1）中，“A”表示（m + n）价的偶联基团; “D”表示碳原子数为10以上的1价有机基团， “E”表示可与Si-OH或Si-H反应的基团; 和“m”和“n”各自为1-200的整数，它们彼此独立。
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公开(公告)号：JP2015062072A
公开(公告)日：2015-04-02
申请号：JP2014220794
申请日：2014-10-29
Applicant: JSR株式会社
IPC: G03F7/039 , H01L21/027 , C08F20/18 , G03F7/004
CPC classification number: G03F7/0392 , G03F7/0035 , G03F7/0397 , G03F7/40 , H01L21/0273 , Y10S430/106
Abstract: 【課題】より微細なパターンを簡便かつ効率的に形成可能であるとともに、半導体の製造プロセスに適用することのできる、実用性の高い感放射線性樹脂組成物を提供する。 【解決手段】(A)一般式(1)で表される繰り返し単位を有する樹脂と、(D)酸発生剤と、(E)一般式(8)で表される光崩壊性塩基と、を含有する感放射線性樹脂組成物(但し、一般式(1)中、R 2 は、炭化水素基を示す。一般式(8)中、R 18 〜R 20 は、相互に独立して、アルキル基、アルコキシル基、ヒドロキシル基、又はハロゲン原子を示し、Z − はOH − 、R−COO − 、R−SO 3 − (但し、Rはアルキル基、アリール基、又はアルカリール基を示す。)等のアニオンを示す。)。 【選択図】なし
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种高效实用的辐射敏感性树脂组合物，其可以方便且有效地形成更精细的抗蚀剂图案并应用于半导体制造工艺。解决方案：辐射敏感性树脂组合物包含：（A）包括 由通式（1）表示的重复单元; （D）光致酸发生器; 和（E）由通式（8）表示的光可降解碱。 （通式（1）中，R表示烃基，通式（8）中，Rto各自表示烷基，烷氧基，羟基或卤素原子，Z表示阴离子，例如OH ，R-COO和R-SO，其中R表示烷基，芳基或烷芳基。
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公开(公告)号：JPWO2018180308A1
公开(公告)日：2020-02-06
申请号：JP2018008774
申请日：2018-03-07
Applicant: JSR株式会社
Abstract: EUV、電子線、イオンビーム、KrFエキシマレーザー及びArFエキシマレーザー等の250nm以下の波長を有する放射線を利用したパターン形成技術において、高い感度と優れたリソグラフィー特性の両方を高水準に達成可能なレジスト材料の提供を目的とする。本発明は、一部照射工程と、全面照射工程と、加熱工程と、現像工程とを備えるリソグラフィープロセスにおいて、上記感光性樹脂組成物として使用される化学増幅型レジスト材料であって、(1)酸の作用により上記現像液に可溶又は不溶となるベース成分と、(2)放射線照射により感放射線性増感体及び酸を発生する成分とを含み、上記(2)成分が、下記(a)及び(b)成分、下記(b)及び(c)成分、又は下記(a)〜(c)成分の全てを含有し、上記(b)成分が、酸の作用により分解し下記式(A)で表される化合物を生じる前駆体を含む化学増幅型レジスト材料である。
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公开(公告)号：JP2019168475A
公开(公告)日：2019-10-03
申请号：JP2016156024
申请日：2016-08-08
Applicant: JSR株式会社 , 国立大学法人大阪大学 , 東京エレクトロン株式会社
Abstract: 【課題】高い感度及び優れたリソグラフィ性能を得ることが可能な化学増幅型レジスト材料及びこの化学増幅型レジスト材料を用いたレジストパターン形成方法を提供する。 【解決手段】本発明に係る化学増幅型レジスト材料は、(1)酸の作用により現像液に可溶又は不溶となる重合体成分と、(2)露光により感放射線性増感体及び酸を発生する成分と、(3)上記(2)成分が発生する酸に対して相対的に塩基性を有する成分とを含み、上記(2)成分が、下記(a)成分、下記(a)〜(c)成分中の任意の2つの成分、又は下記(a)〜(c)成分の全てを含有し、上記(a)成分又は(c)成分が、感放射線性酸発生基を有する第1化合物を有し、上記(3)成分が、下記(d)成分である第2化合物を含有する。 (a)感放射線性酸−増感体発生剤 (b)感放射線性増感体発生剤 (c)感放射線性酸発生剤 (d)感放射線性光崩壊性塩基 【選択図】なし
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：JP6319291B2
公开(公告)日：2018-05-09
申请号：JP2015505425
申请日：2014-03-05
Applicant: JSR株式会社
IPC: G03F7/039 , C07D309/04 , C07D339/08 , C07C309/19 , C07C309/24 , G03F7/004
CPC classification number: C07C309/19 , C07D309/04 , C07D339/08 , G03F7/0045 , G03F7/0397
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公开(公告)号：JP2018017780A
公开(公告)日：2018-02-01
申请号：JP2016145732
申请日：2016-07-25
Applicant: JSR株式会社
Abstract: 【課題】感度、解像性、エッチング耐性及び基板汚染抑制性に優れる感放射線性組成物及びパターン形成方法の提供を目的とする。 【解決手段】本発明は、金属酸化物を含む金属含有成分と、有機溶媒とを含有し、上記金属含有成分が少なくとも第1金属含有成分及び第2金属含有成分の2種を有し、上記第1金属含有成分が、スズ、インジウム、アンチモン、ビスマス、ガリウム、ゲルマニウム、アルミニウム又はこれらの組み合わせである第1金属原子を含み、上記第2金属含有成分が、上記第1金属原子を含まず、第3族、第4族、第5族、第6族、第7族、第8族、第9族、第10族、第11族の原子又はこれらの組み合わせである第2金属原子を含む感放射線性組成物である。上記第2金属原子は、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、タンタル、タングステン又はこれらの組み合わせが好ましい。 【選択図】なし
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公开(公告)号：JP2017054048A
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：JP2015178982
申请日：2015-09-10
Applicant: JSR株式会社
IPC: G03F7/004 , G03F7/38 , G03F7/20 , C08F220/28 , C08F212/14 , C08F234/00 , C08F220/24 , G03F7/039
CPC classification number: G03F7/0397 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0392 , G03F7/203 , G03F7/322 , G03F7/38
Abstract: 【課題】EUV光等の250nm以下の波長を有する放射線をパターン露光光として用いた場合における感度及びリソグラフィ性能を両立可能な化学増幅型レジスト材料及びこの化学増幅型レジスト材料を用いたレジストパターン形成方法の提供を目的とする。 【解決手段】本発明に係る化学増幅型レジスト材料は、(1)酸の作用により現像液に可溶又は不溶となる重合体成分と、(2)露光により感放射線性増感体及び酸を発生する成分とを含み、上記(1)重合体成分が、フッ素原子を含み、かつ塩構造を含まない第1構造単位を有する第1重合体、又はフッ素原子及び塩構造を含む第2構造単位を有する第2重合体を含み、上記(2)成分が、(a)成分、(a)〜(c)成分中の任意の2つの成分、又は(a)〜(c)成分のすべてを含有する。 【選択図】なし
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公开(公告)号：JP5924428B2
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：JP2015008179
申请日：2015-01-19
Applicant: JSR株式会社
IPC: C08F220/28
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