公开(公告)号：CN102544135B

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201110441952.3

申请日：2011-12-26

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 河廷珉 ,  黄圣贤 ,  安俊勇 ,  金振镐 ,  李永贤

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/022425 ,  H01L31/022433 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/547

Abstract: 一种太阳能电池及其制造方法。太阳能电池包括：基板；位于所述基板处的发射极区，其具有第一薄层电阻率；位于所述基板处的第一高掺杂区，其具有小于所述第一薄层电阻率的第二薄层电阻率；第一电极，其位于所述基板处并且连接到所述发射极区和所述第一高掺杂区；以及第二电极，其位于所述基板处并且连接到所述基板，其中，所述第一高掺杂区与所述第一电极交叉，并且连接到所述第一电极，所述第一高掺杂区的上表面从所述发射极区的上表面向所述基板的光入射表面突出，以及所述第一高掺杂区的下表面具有与所述发射极区的下表面相同的高度。

公开(公告)号：CN102113131B

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN200980129536.0

申请日：2009-06-19

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 郑柱和 ,  安俊勇 ,  郑智元 ,  朴铉定 ,  李圣恩

IPC: H01L31/042

CPC classification number: H01L31/02363 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/50 ,  Y02E10/52

Abstract: 本发明涉及太阳能电池及其制造方法，所述制造方法包括在基板的表面上不均匀地形成锯齿状部分、在所述基板中形成第一型半导体和第二型半导体、形成与所述第一型半导体接触的第一电极和形成与所述第二型半导体接触的第二电极。在制造太阳能电池的湿式蚀刻过程中所用的蚀刻剂基于所述蚀刻剂的总重量包含约0.5重量％～10重量％的HF、约30重量％～60重量％的HNO3和至多为约30重量％的乙酸。

公开(公告)号：CN102113131A

公开(公告)日：2011-06-29

申请号：CN200980129536.0

申请日：2009-06-19

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 郑柱和 ,  安俊勇 ,  郑智元 ,  朴铉定 ,  李圣恩

IPC: H01L31/042

CPC classification number: H01L31/02363 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/50 ,  Y02E10/52

Abstract: 本发明涉及太阳能电池及其制造方法，所述制造方法包括在基板的表面上不均匀地形成锯齿状部分、在所述基板中形成第一型半导体和第二型半导体、形成与所述第一型半导体接触的第一电极和形成与所述第二型半导体接触的第二电极。在制造太阳能电池的湿式蚀刻过程中所用的蚀刻剂基于所述蚀刻剂的总重量包含约0.5重量％～10重量％的HF、约30重量％～60重量％的HNO3和至多为约30重量％的乙酸。

公开(公告)号：CN101878536A

公开(公告)日：2010-11-03

申请号：CN200880118116.8

申请日：2008-11-05

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 安俊勇 ,  郭桂荣 ,  郑柱和

IPC: H01L31/042

CPC classification number: H01L31/0684 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 公开了硅太阳能电池和其制造方法。所述硅太阳能电池包括：掺杂有第一导电杂质的硅半导体基板；所述基板上的掺杂有第二导电杂质的发射极层，所述第二导电杂质的极性与所述第一导电杂质的极性相反；所述基板的整个表面上的防反射层；穿过所述防反射层并连接到所述发射极层的上电极；以及连接到所述基板的下部的下电极。所述发射极层包括重掺杂有所述第二导电杂质的第一发射极层、和轻掺杂有所述第二导电杂质的第二发射极层。所述第二发射极层的表面电阻在100Ohm/sq至120Ohm/sq的范围内。