公开(公告)号：CN119999361A

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202280100835.7

申请日：2022-10-07

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 许美姬 ,  黄圣贤 ,  姜秉俊 ,  朴炯兆

IPC: H10H29/30 ,  H01L25/075 ,  H10D86/60 ,  H10H29/49 ,  H10H20/831 ,  H10H20/84 ,  H10H20/832

Abstract: 显示装置包括：基板；第一组装配线和第二组装配线，位于所述基板上；分隔壁，具有位于第一组装配线和第二组装配线上的组装孔；凸出部，位于组装孔；半导体发光器件，具有凹槽以安置于凸出部；以及连接电极，位于半导体发光器件的下侧。

公开(公告)号：CN118248805A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202311689494.4

申请日：2023-12-11

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 姜秉俊 ,  全基成 ,  黄圣贤 ,  成俊昊 ,  许美姬 ,  李敏遇 ,  朴炯兆

IPC: H01L33/24 ,  H01L33/44 ,  H01L33/36 ,  H01L25/16

Abstract: 半导体发光器件可以包括发光层、位于发光层的上表面和侧表面上的钝化层、位于发光层的下表面和侧表面上的保护层、位于发光层与保护层之间的第一电极、以及位于发光层与钝化层之间的第二电极。发光层的侧表面与下表面之间的内角可以是钝角。

公开(公告)号：CN116508166A

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN202080107472.0

申请日：2020-11-25

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 黄圣贤 ,  许美姬 ,  全基成

IPC: H01L33/30

Abstract: 发光元件包括：活性层；复数个第一导电型半导体层，位于活性层的下方；以及复数个第二导电型半导体层，位于活性层上。复数个第一导电型半导体层包括与活性层隔开最远的吸附防止层。吸附防止层包含Alx1Ga1‑x1InP，x1可以为0.6以下，吸附防止层的厚度可以为2μm以下。

公开(公告)号：CN108963013B

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN201810478544.7

申请日：2018-05-18

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 李京洙 ,  黄圣贤 ,  朴相昱

IPC: H01L31/0236 ,  H01L31/18

Abstract: 太阳能电池及其制造方法。一种太阳能电池包括：半导体基板，其包括不平坦部分，该不平坦部分位于半导体基板的前表面或后表面中的至少一个上；钝化层，其被设置在不平坦部分上；以及氧化物层，其被设置在钝化层与半导体基板的不平坦部分之间，该氧化物层包括非晶氧化物。

公开(公告)号：CN108336170B

公开(公告)日：2021-08-27

申请号：CN201810039075.9

申请日：2018-01-16

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 李京洙 ,  黄圣贤 ,  朴相昱

IPC: H01L31/0376 ,  H01L31/18

Abstract: 公开了一种制造太阳能电池的方法。该制造太阳能电池的方法包括以下步骤：在半导体基板的表面上沉积本征非晶硅层；在所述本征非晶硅层上沉积包含杂质的非晶硅层以形成导电区域；以及形成与所述导电区域电连接的电极。沉积本征非晶硅层的步骤包括以0.5nm/秒至2.0nm/秒的沉积速率在所述半导体基板的表面上沉积所述本征非晶硅。

公开(公告)号：CN108963013A

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：CN201810478544.7

申请日：2018-05-18

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 李京洙 ,  黄圣贤 ,  朴相昱

IPC: H01L31/0236 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/02167 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/0488 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/202 ,  H01L31/208 ,  H01L31/1804

Abstract: 太阳能电池及其制造方法。一种太阳能电池包括：半导体基板，其包括不平坦部分，该不平坦部分位于半导体基板的前表面或后表面中的至少一个上；钝化层，其被设置在不平坦部分上；以及氧化物层，其被设置在钝化层与半导体基板的不平坦部分之间，该氧化物层包括非晶氧化物。

公开(公告)号：CN107768449A

公开(公告)日：2018-03-06

申请号：CN201710975923.2

申请日：2015-06-26

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 崔允硕 ,  金珍圣 ,  曹海宗 ,  吴东海 ,  李英植 ,  黄圣贤 ,  李贤镐 ,  宋元斗

IPC: H01L31/02 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/05 ,  H02S30/10

Abstract: 本申请涉及太阳能电池模块。该太阳能电池模块包括：上基板；下基板，其与所述上基板相对；太阳能电池面板，其放置在所述上基板和所述下基板之间，所述太阳能电池面板包括多个太阳能电池，所述多个太阳能电池以矩阵形式布置，并且通过接线构件彼此连接，以形成串；钝化层，其被构造成封装所述太阳能电池面板；框架，其被构造成围绕所述太阳能电池面板的外周；连接端子，其被构造成连接所述太阳能电池面板中两个相邻的串；以及盖构件，其被构造成覆盖所述连接端子。

公开(公告)号：CN106997906A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201710024078.0

申请日：2017-01-13

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 李承允 ,  池光善 ,  李洪哲 ,  黄圣贤

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/048

Abstract: 公开了一种太阳能电池，所述太阳能电池包括：第一导电类型的晶体半导体基板；前掺杂层，所述前掺杂层在所述半导体基板的前表面上并与所述半导体基板形成异质结；后掺杂层，所述后掺杂层在所述半导体基板的后表面上并与所述半导体基板形成异质结；前透明导电层，所述前透明导电层在所述前掺杂层上；后透明导电层，所述后透明导电层在所述后掺杂层下。所述前掺杂层和所述后掺杂层中的一个具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型，以与所述半导体基板形成p‑n结，而所述前掺杂层和所述后掺杂层中的另一个具有所述第一导电类型。所述前透明导电层的平面面积大于所述后透明导电层的平面面积。

公开(公告)号：CN108346710B

公开(公告)日：2021-07-20

申请号：CN201810366917.1

申请日：2015-07-07

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 张大熙 ,  金玟杓 ,  金珍圣 ,  黄圣贤 ,  曹海宗 ,  阳惠英 ,  吴东海 ,  林忠铉 ,  申太熙 ,  柳定勋

IPC: H01L31/05 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/042

Abstract: 一种太阳能电池模块，该太阳能电池模块包括：多个太阳能电池，其各自包括半导体基板、设置在半导体基板的前表面上的第一电极以及设置在半导体基板的后表面上的第二电极；以及多个布线构件，其将多个太阳能电池中的第一太阳能电池的第一电极连接到与第一太阳能电池相邻的第二太阳能电池的第二电极。第一电极的至少一部分包括布线构件与第一电极的交叉处的第一焊盘，第一焊盘中的每一个的宽度大于第一电极的宽度。第一焊盘中的至少一个的尺寸不同于其余的第一焊盘的尺寸。

公开(公告)号：CN105261663A

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201510395223.7

申请日：2015-07-07

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 张大熙 ,  金玟杓 ,  金珍圣 ,  黄圣贤 ,  曹海宗 ,  阳惠英 ,  吴东海 ,  林忠铉 ,  申太熙 ,  柳定勋

IPC: H01L31/05

CPC classification number: H01L31/0516 ,  H01L31/022433 ,  H01L31/042 ,  H01L31/0504 ,  Y02E10/50

Abstract: 一种太阳能电池模块，该太阳能电池模块包括：多个太阳能电池，其各自包括半导体基板、设置在半导体基板的前表面上的第一电极以及设置在半导体基板的后表面上的第二电极；以及多个布线构件，其将多个太阳能电池中的第一太阳能电池的第一电极连接到与第一太阳能电池相邻的第二太阳能电池的第二电极。第一电极的至少一部分包括布线构件与第一电极的交叉处的第一焊盘，第一焊盘中的每一个的宽度大于第一电极的宽度。第一焊盘中的至少一个的尺寸不同于其余的第一焊盘的尺寸。