公开(公告)号：CN101097692A

公开(公告)日：2008-01-02

申请号：CN200610135778.9

申请日：2006-10-19

Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社

Inventor： 金彬 ,  文泰雄

IPC: G09G3/36 ,  G09G3/34 ,  G09G3/20 ,  G02F1/133 ,  G11C19/00

CPC classification number: G09G3/3674 ,  G09G3/006 ,  G09G2300/0426 ,  G09G2310/0281 ,  G09G2310/0286 ,  G11C19/28

Abstract: 本发明公开了一种具有能够高效地利用液晶板的非显示区面积的结构的移位寄存器。该移位寄存器包括多个级，所述多个级用于按次序输出多个输出脉冲并将所述多个输出脉冲顺序地提供给显示区中的多条选通线。所述多个级中的每一个都包括：第一节点控制器，其用于对第一节点的信号状态进行控制；至少一个上拉开关器件，其用于根据所述第一节点的信号状态输出所述多个输出脉冲中的一对应输出脉冲，并将所述对应输出脉冲提供给所述多条选通线中的一对应选通线的一侧；第二节点控制器，其用于对第二节点的信号状态进行控制；以及第一下拉开关器件，其用于根据所述第二节点的信号状态输出放电电压，并将该放电电压提供给所述对应选通线的另一侧。

公开(公告)号：CN1319123C

公开(公告)日：2007-05-30

申请号：CN03147935.9

申请日：2003-06-27

Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社

Inventor： 金彬 ,  金海烈 ,  裵钟旭

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02672 ,  C30B1/023 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/2022 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675

Abstract: 一种形成多晶硅层的方法，包括：在衬底上形成一个非晶硅层；在非晶硅层上沉积一种催化剂金属；沿第一方向设置接触非晶硅层的第一和第二电极；在第一温度下加热非晶硅层，并同时对第一和第二电极施加第一电压而形成初次结晶非晶硅层；沿第二方向设置接触初次结晶非晶硅层的第三和第四电极，第二方向与第一方向不同；并且在第二温度下加热初次结晶非晶硅层并同时对第三和第四电极施加第二电压而形成二次结晶非晶硅层。