公开(公告)号：CN1499574A

公开(公告)日：2004-05-26

申请号：CN03147935.9

申请日：2003-06-27

Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社

Inventor： 金彬 ,  金海烈 ,  裵钟旭

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02672 ,  C30B1/023 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/2022 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675

Abstract: 一种形成多晶硅层的方法，包括：在衬底上形成一个非晶硅层；在非晶硅层上沉积一种催化剂金属；沿第一方向设置接触非晶硅层的第一和第二电极；在第一温度下加热非晶硅层，并同时对第一和第二电极施加第一电压而形成初次结晶非晶硅层；沿第二方向设置接触初次结晶非晶硅层的第三和第四电极，第二方向与第一方向不同；并且在第二温度下加热初次结晶非晶硅层并同时对第三和第四电极施加第二电压而形成二次结晶非晶硅层。

公开(公告)号：CN1319123C

公开(公告)日：2007-05-30

申请号：CN03147935.9

申请日：2003-06-27

Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社

Inventor： 金彬 ,  金海烈 ,  裵钟旭

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02672 ,  C30B1/023 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/2022 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675

Abstract: 一种形成多晶硅层的方法，包括：在衬底上形成一个非晶硅层；在非晶硅层上沉积一种催化剂金属；沿第一方向设置接触非晶硅层的第一和第二电极；在第一温度下加热非晶硅层，并同时对第一和第二电极施加第一电压而形成初次结晶非晶硅层；沿第二方向设置接触初次结晶非晶硅层的第三和第四电极，第二方向与第一方向不同；并且在第二温度下加热初次结晶非晶硅层并同时对第三和第四电极施加第二电压而形成二次结晶非晶硅层。