公开(公告)号：WO2014048987A1

公开(公告)日：2014-04-03

申请号：PCT/EP2013/069964

申请日：2013-09-25

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BEHRINGER, Martin Rudolf ,  KLEMP, Christoph ,  BRÖLL, Markus

IPC: H01L33/44 ,  H01L33/02 ,  H01L33/20 ,  H01L23/544

CPC classification number: H01L33/20 ,  G06K19/06028 ,  G06K19/067 ,  H01L23/544 ,  H01L33/005 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/44 ,  H01L2223/54406 ,  H01L2223/54413 ,  H01L2223/5442 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2223/5448 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2924/00

Abstract: Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauteil (101, 301, 501), umfassend ein Substrat (103, 303, 503), auf welchem eine Halbleiterschichtenfolge (105, 305, 505) aufgebracht ist, wobei die Halbleiterschichtenfolge (105, 305, 505) zumindest einen Identifikator (115, 315) zum Identifizieren des Bauteils (101, 301, 501) aufweist. Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils (101, 301, 501).

Abstract translation: 本发明涉及一种光电子器件（101，301，501），其包括在其上施加的半导体层序列（105，305，505）的衬底（103，303，503），其中，至少在半导体层序列（105，305，505） 用于识别部件（101，301，501）的标识符（115，315）。 本发明还涉及一种用于制造光电子装置（101，301，501）的方法。

公开(公告)号：WO2012028511A1

公开(公告)日：2012-03-08

申请号：PCT/EP2011/064554

申请日：2011-08-24

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  KLEMP, Christoph ,  BRÜNINGHOFF, Stefanie ,  ENGL, Karl ,  MAUTE, Markus ,  WALTER, Robert ,  GUENTHER, Oliver

Inventor： KLEMP, Christoph ,  BRÜNINGHOFF, Stefanie ,  ENGL, Karl ,  MAUTE, Markus ,  WALTER, Robert ,  GUENTHER, Oliver

IPC: H01L33/40 ,  H01L33/42 ,  H01L33/38

CPC classification number: H01L33/405 ,  H01L33/382 ,  H01L33/42 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip mit einer Halbleiterschichtenfolge (1) mit einem aktiven Bereich (2) auf einem Substrat (5) und mit einer Spiegelschicht (3) angegeben, die vollständig in einer Schicht (4) mit einem transparenten leitenden Oxid eingebettet ist. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips angegeben.

Abstract translation: 提供了一种具有（1）具有的半导体层序列的光电子半导体芯片的有源区（2）的基板（5）上，并用一个反射镜层（3）完全在一个层（4）嵌入有透明导电氧化物。 此外，被指定用于制造光电子半导体芯片的方法。

公开(公告)号：EP3745472A1

公开(公告)日：2020-12-02

申请号：EP19177113.8

申请日：2019-05-28

Applicant: OSRAM Opto Semiconductors GmbH

Inventor： KREUTER, Philipp ,  BIEBERSDORF, Andreas ,  KLEMP, Christoph ,  EBBECKE, Jens ,  PIETZONKA, Ines ,  SUNDGREN, Petrus

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/30

Abstract: A method for manufacturing a semiconductor device, particularly an optoelectronic device, proposes to provide a growth substrate (10); to deposit an n-doped first layer (20) and an active region (30) on the n-doped first layer (20); then a second layer (50) is deposited onto the active region (30); the second layer is doped with Mg in the second layer (50); Subsequently to depositing Mg, Zn is deposited in the second layer (50) such that a concentration of Zn in the second layer is decreasing from a first value to a second value in a first area of the second layer adjacent to the active region, said first area in the range of 5 nm to 200 nm, in particularly less than 50nm.

公开(公告)号：EP2619807A1

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：EP11758444.1

申请日：2011-09-14

Applicant: OSRAM Opto Semiconductors GmbH

Inventor： BEHRINGER, Martin Rudolf ,  KLEMP, Christoph ,  RUPPRICH, Christoph

IPC: H01L33/40 ,  H01L33/38

CPC classification number: H01L33/405 ,  H01L33/38 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: An optoelectronic semiconductor chip (10) is provided which has a semiconductor layer stack (3) and a mirror (2). The semiconductor layer stack (3) has an active layer (3a) for producing electromagnetic radiation. The mirror (2) is arranged on an underside of the semiconductor layer stack (3). The mirror (2) has a first region (2a) and a second region (2b), wherein the first region (2a) contains silver and the second region (2b) contains gold. In addition, a method for fabricating such a semiconductor chip (10) is specified.

Abstract translation: 提供具有半导体层堆叠（3）和反射镜（2）的光电子半导体芯片（10）。 半导体层堆叠（3）具有用于产生电磁辐射的有源层（3a）。 反射镜（2）布置在半导体层堆叠（3）的下侧上。 反射镜（2）具有第一区域（2a）和第二区域（2b），其中第一区域（2a）包含银并且第二区域（2b）包含金。 此外，指定了制造这种半导体芯片（10）的方法。

公开(公告)号：EP3745471A1

公开(公告)日：2020-12-02

申请号：EP19177581.6

申请日：2019-05-31

Applicant: OSRAM Opto Semiconductors GmbH

Inventor： EBBECKE, Jens ,  KREUTER, Philipp ,  KLEMP, Christoph ,  BIEBERSDORF, Andreas ,  PIETZONKA, Ines ,  SUNDGREN, Petrus

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/268 ,  H01L21/18

Abstract: A method of treating a semiconductor wafer (10) comprising a set of Aluminum Gallium Indium Phosphide light emitting diodes or AlGaInP-LEDs to increase the light generating efficiency of the AlGaInP-LEDs,
wherein each ALGaInP-LED includes a core active layer for light generation sandwiched between two outer layers, the core active layer having a central light generating area (20) and a peripheral edge (22) surrounding the central light generating area,
the method comprising the step of treating the peripheral edge (22) of the core active layer of each AlGaInP-LED with a laser beam (L), thus increasing the minimum band gap in each peripheral edge (22) to such an extent that, during later operation of the AlGaInP-LED, the electron-hole recombination is essentially confined to the central light generating area.

公开(公告)号：EP2619807B1

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：EP11758444.1

申请日：2011-09-14

Applicant: OSRAM Opto Semiconductors GmbH

Inventor： BEHRINGER, Martin Rudolf ,  KLEMP, Christoph ,  RUPPRICH, Christoph

IPC: H01L33/40 ,  H01L33/38

CPC classification number: H01L33/405 ,  H01L33/38 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00