公开(公告)号：CN100561604C

公开(公告)日：2009-11-18

申请号：CN200510080911.0

申请日：2005-06-28

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 宫内泰治 ,  岚友宏

IPC: H01B3/12 ,  H01B3/02 ,  C04B35/00 ,  C04B35/46

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的是提供具有受控的线性热膨胀系数且具有高介电常数的低温共烧陶瓷材料，并且在即使烧制产品在其中不同组成的玻璃-陶瓷混合层被层叠的多层配线板中具有非对称层叠结构时也能减小其翘曲。根据本发明的低温共烧陶瓷材料包括：基于SiO2-B2O3-Al2O3-碱土金属氧化物的玻璃、氧化铝、氧化钛和堇青石；玻璃、氧化钛和堇青石；或者玻璃、氧化钛和莫来石。当多层配线板由该低温共烧陶瓷材料制成时，调节基板材料中堇青石或莫来石的含量，以将基板材料中的层间的线性热膨胀系数差控制为不大于0.25×10-6/℃。

公开(公告)号：CN100537474C

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200680001481.1

申请日：2006-03-14

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 岚友宏 ,  宫内泰治

IPC: C04B35/462 ,  C04B35/16 ,  H01B3/12 ,  H01P7/10

Abstract: 本发明的电介质陶瓷组合物，作为主成分，以规定比率含有BaO、Nd2O3、TiO2、MgO和SiO2；作为前述电介质陶瓷组合物的副成分，以规定比率含有ZnO、B2O3、CuO和碱土类金属氧化物RO(R：碱土类金属)，进一步优选作为副成分含有Ag而构成，所以可以使低温下的烧结性更加稳定·可靠，所以能够可靠地将Ag或以Ag为主成分的合金等导体作为内部导体使用。

公开(公告)号：CN101209929A

公开(公告)日：2008-07-02

申请号：CN200710307201.6

申请日：2007-12-26

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 宫内泰治 ,  铃木利幸 ,  平川昌治 ,  中村知子 ,  宫越俊伸 ,  畑中洁

IPC: C04B37/04

CPC classification number: H05K3/38 ,  H01L21/4807 ,  H01L23/15 ,  H01L23/49822 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H05K1/0306 ,  H05K1/092 ,  H05K3/4611 ,  H05K3/4629 ,  H05K2201/017 ,  H05K2203/1163 ,  H05K2203/308 ,  Y10T428/31678 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种在初始状态以及经过一段时间后(例如PCT后)可充分地确保表面导体的粘合强度，且可靠性高的多层陶瓷基板。其是在层叠有多层陶瓷基板层的层叠体的至少一侧的表面上具有表面导体的多层陶瓷基板。由陶瓷基板层中的陶瓷成分和表面导体中的玻璃成分发生反应而形成的反应相，在陶瓷基板层和表面导体的界面上析出。例如陶瓷基板层中的氧化铝充填物和表面导体中的Zn发生反应后，ZnAl2O4作为反应相而形成。

公开(公告)号：CN101031524A

公开(公告)日：2007-09-05

申请号：CN200580033116.4

申请日：2005-09-29

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 岚友宏 ,  宫内泰治

IPC: C04B35/46 ,  H01B3/12

Abstract: 通过本发明可提供一种通过以规定的比例含有BaO、Nd2O3、TiO2、MgO及SiO2作为电介质陶瓷组合物的主成分，以规定的比例含有ZnO、B2O3及CuO作为所述电介质陶瓷组合物的副成分，可以得到在低温下的烧结性更为稳定和可靠的产品，实现Ag或以Ag为主成分的合金等导体作为内部导体进行使用的产品。进一步，还可以得到温度变化引起的共振频率数的变化小、具有比BaO－稀土类氧化物－TiO2类电介质陶瓷组合物的比介电常数更低的比介电常数电介质陶瓷组合物，并为形成多层型设备提供适用的电介质陶瓷组合物。

公开(公告)号：CN1315134C

公开(公告)日：2007-05-09

申请号：CN200410008685.0

申请日：2004-03-16

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 宫内泰治 ,  岚友宏

IPC: H01B3/12 ,  C04B35/46 ,  C04B35/16 ,  H01P7/10

CPC classification number: H01P7/10 ,  C04B35/20 ,  C04B35/465 ,  C04B35/6262 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  H01B3/12

Abstract: 本发明提供可控制相对介电系数εr和温度系数τf的、具有例如适合于准毫米波以及毫米波频带的相对介电系数εr以及接近零的温度系数τf的电介质瓷器组合物。通过在MgTiO3中加入Mg2SiO4，控制相对介电系数εr。例如，当MgTiO3的摩尔比为a，Mg2SiO4的摩尔比为b时，通过a+b＝1、0.5≤b≤1，实现小于等于12的相对介电系数εr。另一方面，通过在MgTiO3中加入CaTiO3，控制温度系数τf。例如，当MgTiO3的摩尔比为a，CaTiO3的摩尔比为c时，通过a+c＝1、0≤c≤0.15，实现±55ppm/K的温度系数τf，通过0.03≤c≤0.08，实现±30ppm/K的温度系数τf。而且，温度系数τf控制在零附近。

公开(公告)号：CN1530964A

公开(公告)日：2004-09-22

申请号：CN200410008685.0

申请日：2004-03-16

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 宫内泰治 ,  岚友宏

IPC: H01B3/12 ,  C04B35/46 ,  C04B35/16 ,  H01P7/10

CPC classification number: H01P7/10 ,  C04B35/20 ,  C04B35/465 ,  C04B35/6262 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  H01B3/12

Abstract: 本发明提供可控制相对介电系数εr和温度系数τf的、具有例如适合于准毫米波以及毫米波频带的相对介电系数εr以及接近零的温度系数τf的电介质瓷器组合物。通过在MgTiO3中加入Mg2SiO4，控制相对介电系数εr。例如，当MgTiO3的摩尔比为a，Mg2SiO4的摩尔比为b时，通过a+b＝1、0.5≤b≤1，实现小于等于12的相对介电系数εr。另一方面，通过在MgTiO3中加入CaTiO3，控制温度系数τf。例如，当MgTiO3的摩尔比为a，CaTiO3的摩尔比为c时，通过a+c＝1、0≤c≤0.15，实现±55ppm/K的温度系数τf，通过0.03≤c≤0.08，实现±30ppm/K的温度系数τf。而且，温度系数τf控制在零附近。