公开(公告)号：CN110137654A

公开(公告)日：2019-08-16

申请号：CN201910107853.8

申请日：2019-02-02

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 芦田裕太 ,  户莳重光 ,  二俣阳介 ,  高根晋 ,  宫内泰治 ,  木村一成

IPC: H01P7/10 ,  H01P1/20

Abstract: 本发明的电介质滤波器包括多个电介质谐振器。本发明的电介质滤波器包括：多个谐振器主体，其由具有第一相对介电常数的第一电介质构成并对应于多个电介质谐振器；周围电介质部，其由具有小于第一相对介电常数的第二相对介电常数的第二电介质构成并存在于多个谐振器主体部的周围；以及由导体构成的屏蔽部。25～85℃下的第一电介质的谐振频率的温度系数和第二电介质的谐振频率的温度系数中的一个为正值而另一个为负值。

公开(公告)号：CN102248723B

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201110084040.5

申请日：2011-03-31

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 樱井俊雄 ,  小更恒 ,  岚友宏 ,  中野贵弘 ,  宫内泰治

IPC: B32B18/00

CPC classification number: H05K1/0306 ,  H01G4/1209 ,  H01G4/20 ,  H01G4/30 ,  H01G4/33 ,  Y10T29/43

Abstract: 本发明涉及陶瓷电子部件和制造陶瓷电子部件的方法。一种陶瓷电子部件，其包括第一电介质层、第二电介质层和中间层。所述第一电介质层为包含BaO、Nd2O3和TiO2的层，所述第二电介质层为包含与所述第一电介质层材料不同的材料的层，和所述中间层为形成于所述第一电介质层和所述第二电介质层之间并且含有不共同包含于所述第一电介质层和所述第二电介质层中的主组分作为主组分的层。

公开(公告)号：CN102248719B

公开(公告)日：2014-07-30

申请号：CN201110056287.6

申请日：2011-03-09

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 樱井俊雄 ,  小更恒 ,  岚友宏 ,  畑中洁 ,  宫内泰治

IPC: B32B15/04 ,  B32B9/04 ,  C04B35/622

CPC classification number: H01G4/1227 ,  B32B18/00 ,  C04B35/20 ,  C04B35/462 ,  C04B35/6263 ,  C04B35/62675 ,  C04B35/62685 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3234 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3445 ,  C04B2235/36 ,  C04B2235/407 ,  C04B2235/408 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2237/341 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/58 ,  C04B2237/60 ,  H01G4/20 ,  H01G4/30 ,  Y10T428/12729 ,  Y10T428/12806

Abstract: 一种陶瓷电子部件，其包括第一电介质层、第二电介质层和边界反应层。所述第一电介质层为包含BaO、Nd2O3和TiO2的层，所述第二电介质层为包含与所述第一电介质层不同的材料的层，所述边界反应层为形成于所述第一电介质层和所述第二电介质层之间并包含Zn、Ti、Cu和Mg的至少一种的层。

公开(公告)号：CN102367211A

公开(公告)日：2012-03-07

申请号：CN201110185021.1

申请日：2011-06-30

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 樱井俊雄 ,  岚友宏 ,  小更恒 ,  中野贵弘 ,  中村知子 ,  宫内泰治

IPC: C04B35/16 ,  C04B35/622 ,  H01G4/12

CPC classification number: C04B35/20 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/36 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/96 ,  H05K1/0306

Abstract: 本发明涉及电介质陶瓷、电介质陶瓷的生产方法和电子部件。提供包括含有Mg2SiO4的主组分以及含有氧化锌和玻璃组分的添加剂的电介质陶瓷，其中在X射线衍射中，对于保持未反应的氧化锌的2θ为在31.0°至32.0°之间和在33.0°至34.0°之间的X射线衍射峰强度IB相对于对于作为主相的Mg2SiO4的2θ为在36.0°至37.0°之间的峰强度IA的峰强度比IB/IA为10％以下。所述电介质陶瓷具有96％以上的相对密度。

公开(公告)号：CN101090877A

公开(公告)日：2007-12-19

申请号：CN200680001481.1

申请日：2006-03-14

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 岚友宏 ,  宫内泰治

IPC: C04B35/462 ,  C04B35/16 ,  H01B3/12 ,  H01P7/10

Abstract: 本发明的电介质陶瓷组合物，作为主成分，以规定比率含有BaO、Nd2O3、TiO2、MgO和SiO2；作为前述电介质陶瓷组合物的副成分，以规定比率含有ZnO、B2O3、CuO和碱土类金属氧化物RO(R：碱土类金属)，进一步优选作为副成分含有Ag而构成，所以可以使低温下的烧结性更加稳定，可靠，所以能够可靠地将Ag或以Ag为主成分的合金等导体作为内部导体使用。

公开(公告)号：CN1716459A

公开(公告)日：2006-01-04

申请号：CN200510080911.0

申请日：2005-06-28

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 宫内泰治 ,  岚友宏

IPC: H01B3/12 ,  H01B3/02 ,  C04B35/00 ,  C04B35/46

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的是提供具有受控的线性热膨胀系数且具有高介电常数的低温共烧陶瓷材料，并且在即使烧制产品在其中不同组成的玻璃－陶瓷混合层被层叠的多层配线板中具有非对称层叠结构时也能减小其翘曲。根据本发明的低温共烧陶瓷材料包括：基于SiO2－B2O3－Al2O3－碱土金属氧化物的玻璃、氧化铝、氧化钛和堇青石；玻璃、氧化钛和堇青石；或者玻璃、氧化钛和莫来石。当多层配线板由该低温共烧陶瓷材料制成时，调节基板材料中堇青石或莫来石的含量，以将基板材料中的层间的线性热膨胀系数差控制为不大于0.25×10－6/℃。

公开(公告)号：CN112194374B

公开(公告)日：2022-10-21

申请号：CN202010645149.0

申请日：2020-07-07

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 高根晋 ,  二俣阳介 ,  宫内泰治

IPC: C03C10/04 ,  H05K1/03

Abstract: 本发明提供一种在10GHz以上的高频区域中介电损耗小，且相对于温度变化特性难以变动的玻璃陶瓷烧结体及使用其的配线基板。一种玻璃陶瓷烧结体，其含有：结晶化玻璃、氧化铝填料、二氧化硅以及钛酸锶。结晶化玻璃的含量为50质量％～80质量％，氧化铝填料的含量以Al2O3换算计为15.6质量％～31.2质量％，二氧化硅的含量以SiO2换算计为0.4质量％～4.8质量％，钛酸锶的含量以SrTiO3换算计为4质量％～14质量％。

公开(公告)号：CN102248719A

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN201110056287.6

申请日：2011-03-09

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 樱井俊雄 ,  小更恒 ,  岚友宏 ,  畑中洁 ,  宫内泰治

IPC: B32B15/04 ,  B32B9/04 ,  C04B35/622

CPC classification number: H01G4/1227 ,  B32B18/00 ,  C04B35/20 ,  C04B35/462 ,  C04B35/6263 ,  C04B35/62675 ,  C04B35/62685 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3234 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3445 ,  C04B2235/36 ,  C04B2235/407 ,  C04B2235/408 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2237/341 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/58 ,  C04B2237/60 ,  H01G4/20 ,  H01G4/30 ,  Y10T428/12729 ,  Y10T428/12806

Abstract: 一种陶瓷电子部件，其包括第一电介质层、第二电介质层和边界反应层。所述第一电介质层为包含BaO、Nd2O3和TiO2的层，所述第二电介质层为包含与所述第一电介质层不同的材料的层，所述边界反应层为形成于所述第一电介质层和所述第二电介质层之间并包含Zn、Ti、Cu和Mg的至少一种的层。

公开(公告)号：CN102219503A

公开(公告)日：2011-10-19

申请号：CN201110084126.8

申请日：2011-03-31

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 中野贵弘 ,  宫内泰治 ,  中村知子

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/622 ,  H01B3/12

CPC classification number: C04B35/4686 ,  C01G23/006 ,  C01P2002/74 ,  C01P2004/51 ,  C01P2004/62 ,  C01P2004/82 ,  C01P2006/12 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/6262 ,  C04B35/62635 ,  C04B35/62675 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5481 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/79 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96 ,  H01G4/1227

Abstract: 一种电介质陶瓷，其包括主组分和副组分。所述主组分包括BaTi4O9结晶相和Ba2Ti9O20结晶相，由(BaO·xTiO2)表示，具有4.6至8.0的TiO2相对于BaO的摩尔比x，并且在X-射线衍射中，具有1以上的BaTi4O9结晶相最大衍射峰强度(I14)与Ba2Ti9O20结晶相最大衍射峰强度(I29)的X-射线衍射峰强度比I29/I14。所述副组分包括硼氧化物和铜氧化物，其中所述硼氧化物含量在0.5至5.0质量份的范围内，相对于100质量份所述主组分，所述铜氧化物含量在0.1至3.0质量份的范围内，相对于100质量份所述主组分。

公开(公告)号：CN101754938A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200880100035.5

申请日：2008-07-18

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 铃木利幸 ,  宫内泰治 ,  金田功

IPC: C04B35/20 ,  H01L23/15 ,  H05K1/03

CPC classification number: H05K1/0306 ,  C04B35/20 ,  C04B35/6262 ,  C04B35/62655 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/96 ,  H01L23/15 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H05K2201/068 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供陶瓷基板及其制造方法以及电介质瓷器组合物，本发明的陶瓷基板的热膨胀系数α大、并具有适合于高频基板的特性、能够低温烧成，以及基板强度出色。陶瓷基板含有Mg2SiO4以及低温烧成成分作为主要组成，热膨胀系数α为9.0ppm/℃以上，并含有大于0且25体积％以下的ZnAl2O4、或者大于0且7体积％以下的Al2O3。本发明的电介质瓷器组合物能够在比Ag类金属的熔点更低的温度下进行烧成，而且即使是在低烧成温度下也能够获得充分的抗折强度。电介质瓷器组合物含有Mg2SiO4作为主成分，并且含有锌氧化物、硼氧化物、碱土类金属氧化物、铜化合物以及锂化合物作为副成分。