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公开(公告)号：CN100334632C
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200410031494.6
申请日：2001-05-11
Applicant: TDK株式会社
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/258 , G11B7/00454 , G11B7/126 , G11B7/24 , G11B7/243 , G11B7/257 , G11B7/2585 , G11B7/259 , G11B7/26 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316
Abstract: 提供可提高传输速度且可减小重放信号的跳动的光记录媒体。该光记录媒体是具有相变型记录层的光记录媒体，其中：若稀土元素用R表示，Ag、In和Ge中的至少一种元素用M表示，上述光记录媒体的记录层的构成元素的原子比用(RaTebSbc)1-xMx表示，a+b+c＝1，则a＞0，0.4≤c≤0.95，a/b≤1.2，a/c≤0.7，0≤x≤0.1。
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公开(公告)号：CN1618096A
公开(公告)日：2005-05-18
申请号：CN03802400.4
申请日：2003-01-10
Applicant: TDK株式会社
IPC: G11B7/0045
CPC classification number: G11B7/0062 , G11B7/00456
Abstract: 本发明涉及一种将信息记录到一个光记录介质的方法，该方法可降低当相邻记录标记形成时导致的热量的影响，并能够防止信息的串扰和交叉消去。根据本发明，当通过将一束脉冲调制的激光光束照射到其上来在光记录介质上形成记录标记时，由于一个起始脉冲和一个末尾脉冲的记录功率被设置为Pw2，低于任何中间脉冲的记录功率Pw1，并且一个冷却脉冲的宽度Tcl被设置为等于或宽于1.0T，宽于记录功率的一个脉冲的宽度，因此可能在记录标记形成时改善冷却效率，从而降低记录标记之间的热干扰，并且实现高密度记录和高数据传输速率。
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公开(公告)号：CN1380855A
公开(公告)日：2002-11-20
申请号：CN01801244.2
申请日：2001-05-11
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G11B7/2433 , G11B7/259 , G11B7/26 , G11B2007/24306 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/25708 , G11B2007/2571 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715
Abstract: 一种光记录媒体,其中:具有以Sb作为主成分的相变型记录层,该记录层结晶化时,结晶化区域含有基本上由Sb构成的菱形晶体,且基本上不包含除基本上由Sb构的菱形晶体以外的结晶相。本发明的光记录媒体可以提高转输速度,并且记录层的热稳定性良好。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107735841B
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201680037978.2
申请日：2016-12-08
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明的透明导电体(100)依次具备透明树脂基材(10)、第一金属氧化物层(12)、包含银合金的金属层(16)和第二金属氧化物层(14)。第一金属氧化物层(12)含有氧化锌、氧化铟和氧化钛，并且，将氧化锌、氧化铟、氧化钛和氧化锡这4种成分分别换算成ZnO、In2O3、TiO2和SnO2时，相对于4种成分的合计，SnO2的含量为40mol％以下。第二金属氧化物层(14)含有上述4种成分，并且，将该4种成分分别换算成ZnO、In2O3、TiO2和SnO2时，相对于4种成分的合计，SnO2的含量为12～40mol％。
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公开(公告)号：CN107735841A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201680037978.2
申请日：2016-12-08
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明的透明导电体(100)依次具备透明树脂基材(10)、第一金属氧化物层(12)、包含银合金的金属层(16)和第二金属氧化物层(14)。第一金属氧化物层(12)含有氧化锌、氧化铟和氧化钛，并且，将氧化锌、氧化铟、氧化钛和氧化锡这4种成分分别换算成ZnO、In2O3、TiO2和SnO2时，相对于4种成分的合计，SnO2的含量为40mol％以下。第二金属氧化物层(14)含有上述4种成分，并且，将该4种成分分别换算成ZnO、In2O3、TiO2和SnO2时，相对于4种成分的合计，SnO2的含量为12～40mol％。
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公开(公告)号：CN104795131B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201510023209.4
申请日：2015-01-16
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G06F3/044 , C23C14/08 , C23C14/3414 , G06F1/16
Abstract: 本发明提供透明导电体以及触摸面板。本发明的透明导电体的特征在于：透明基材、第1金属氧化物层、金属层以及第2金属氧化物层按顺序层叠，第1金属氧化物层以及第2金属氧化物层中的至少一方含有Al2O3、ZnO、SnO2以及Ga2O3这四种成分，在将Al2O3和ZnO的合计、SnO2以及Ga2O3相对于四种成分的合计的摩尔比率分别设定为X、Y以及Z时，X,Y,Z位于图2的三角图所示的(X,Y,Z)坐标中，由连接点a(71.2,3.8,25.0)、点b(85.5,4.5,10.0)、点c(76.0,19.0,5.0)、点d(66.5,28.5,5.0)、点e(59.5,25.5,15.0)、以及点f(67.5,7.5,25.0)的线段所围的区域内或者该线段上，Al2O3相对于四种成分的摩尔比率为1.5～3.5mol％。
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公开(公告)号：CN105700735A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201510898460.5
申请日：2015-12-08
Applicant: TDK株式会社
Inventor： 新开浩
IPC: G06F3/041
CPC classification number: G06F3/0412 , G06F2203/04103
Abstract: 本发明提供一种能够通过蚀刻容易地除去金属氧化物层和金属层并且耐碱性优异的透明导电体。本发明提供一种透明导电体(100)，其依次层叠有透明树脂基材(10)、第1金属氧化物层(12)、含有银合金的金属层(16)、以及第2金属氧化物层(14)，第2金属氧化物层(14)含有ZnO作为主成分，并且含有In2O3和TiO2作为副成分，TiO2的含量相对于ZnO、In2O3以及TiO2这3种成分的合计为6～15mol％。
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公开(公告)号：CN105590662A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201510744779.2
申请日：2015-11-05
Applicant: TDK株式会社
Inventor： 新开浩
CPC classification number: H01B1/08 , G06F3/0412 , H01B5/14
Abstract: 本发明提供一种透明导电体100，其特征在于：透明树脂基材10、第1金属氧化物层12、含有银合金的金属层16、以及第2金属氧化物层14按上述顺序进行层叠，其中，第2金属氧化物层14含有ZnO作为主成分并且含有Ga2O3以及GeO2作为副成分。
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