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公开(公告)号：CN104114565B
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201380008964.4
申请日：2013-02-07
Applicant: 旭硝子株式会社
IPC: C07F7/18 , C08G65/336 , C09D5/00 , C09D171/00 , C09K3/18
CPC classification number: C09D7/63 , B05D1/005 , B05D1/02 , B05D1/18 , B05D1/28 , C07C43/126 , C07F7/1804 , C08G65/007 , C08G65/336 , C08G2650/48 , C09D5/1637 , C09D171/00 , C23C14/12 , Y10T428/31504
Abstract: 本发明提供可形成初期的拒水拒油性高且耐摩擦性、指纹污垢除去性良好的表面处理层的含氟醚化合物、含氟醚组合物及涂覆液以及具有表面处理层的基材及其制造方法。使用具有含碳数4的氧全氟亚烷基单元(α)和除该单元(α)以外的氧全氟亚烷基单元(β)的聚(氧全氟亚烷基)链(αβ)，且在该聚(氧全氟亚烷基)链(αβ)的至少一侧末端介以连结基团具有水解性硅烷基的含氟醚化合物。
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公开(公告)号：CN105372867A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201510872309.4
申请日：2015-12-02
Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司
IPC: G02F1/1335 , G02F1/13357
CPC classification number: G02F1/133516 , B05D1/005 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , G02F1/1335 , G02F1/133512 , G02F1/133528 , G02F1/133617 , G02F1/13394 , G02F1/1368 , G02F2001/133614 , G02F2001/13396 , G02F2202/36 , G02F1/133514
Abstract: 本发明提供一种量子点彩膜基板的制作方法，先在衬底基板上依次涂布形成黑色光刻胶层和透明光刻胶层，然后利用掩模板上不同灰度的第一、第二、第三图形图形化所述黑色光刻胶层和透明光刻胶层，得到对应所述第一图形的数条透明挡墙、对应所述第二图形且位于所述透明挡墙上的辅助间隔物、及对应所述第三图形且位于所述透明挡墙上的主间隔物，同时得到被所述数条透明挡墙所覆盖的数条黑色挡墙；所述数条黑色挡墙、及其上的数条透明挡墙共同构成像素挡墙；然后在数条像素挡墙围出的子像素区域内采用喷墨打印的方式形成图形化量子点层，喷墨打印的精度得到较大提升。
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公开(公告)号：CN105247697A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201480031180.8
申请日：2014-07-28
Applicant: 沙特基础工业全球技术公司
Inventor： 吉莉安·M·布里亚克 , 塔特·C·豪格 , S·M·易卜拉欣·拉菲亚 , 阿米特·K·捷夫蒂亚 , 艾哈迈德·I·阿卜杜勒拉赫曼 , 伊哈卜·乌达
IPC: H01L51/00 , H01B1/22 , H01L31/0224 , H01L51/42
CPC classification number: H01B13/0016 , B05D1/005 , B05D1/02 , B05D1/18 , B05D1/26 , B05D1/28 , B05D1/32 , B05D3/0254 , B05D3/12 , H01B13/0026 , H01L51/0021 , H01L51/0036 , H01L51/0037 , H01L51/4253 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 公开了用于制造导电材料的方法。通过使用相同的材料和设备但是改变工艺条件或所使用的材料的量，所述方法能够被用于制造透明的、不透明的或反射性电极。所述方法能够包括：(a)提供包括第一表面和相对的第二表面的基底，其中，在第一表面的至少一部分上布置有微米或纳米结构体，并且其中，第一表面没有被预处理来增加微米或纳米结构体和基底之间的附着；(b)施加热以将基底表面加热到大于基底的玻璃化转变温度或维卡软化温度且小于基底的熔点的温度；(c)施加压力，使得基底和微米或纳米结构体被压在一起；和(d)移除压力以获得导电材料。
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公开(公告)号：CN105093382A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510624340.6
申请日：2015-09-25
Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司
IPC: G02B5/30 , G02F1/1335
CPC classification number: G02B5/3041 , B05D1/005 , B05D1/02 , B32B7/06 , B32B7/12 , B32B33/00 , B32B2250/05 , B32B2307/202 , B32B2307/748 , G02B1/14 , G02B5/3033 , G02B5/3058 , G02F1/017 , G02F1/133528 , G02F2001/01791 , G02F2001/133614 , G02F2201/50
Abstract: 本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种适用于显示器的偏光片。根据本发明的偏光片包括至少下述结构的堆叠体：甲型功能层，其能够影响光波的偏振方向；乙型功能层，其能够转换光波的波长；以及保护层，所述保护层位于所述堆叠体的最外侧。如此，将两项重要的功能集成为一体，既可提高色域覆盖率、光能利用率，又可以保证出射光的偏振状态符合要求，可大力提升显示器的显示效果。
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公开(公告)号：CN104303103A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201380011365.8
申请日：2013-02-07
Applicant: 得克萨斯大学体系董事会
CPC classification number: G03F1/50 , B05D1/005 , B05D5/00 , B05D7/52 , B05D7/56 , B05D2252/02 , B81C1/00031 , B81C2201/0149 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C09D137/00 , C09D167/00 , G03F7/0002 , Y10T428/24802 , Y10T428/31663 , Y10T428/31855
Abstract: 本发明牵涉可旋涂在嵌段共聚物薄膜上的无规共聚物面涂层和用于控制面涂层-嵌段共聚物界面的界面能的用途。该面涂层可溶于含水弱碱中，且通过它们沉积在嵌段共聚物薄膜上，则表面能可发生变化。使用自组装的嵌段共聚物生产高级平版印刷图案依赖于它们在薄膜内的取向控制。该面涂层潜在地使嵌段共聚物的取向控制容易实现，否则嵌段共聚物的取向控制会十分困难。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104114565A
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201380008964.4
申请日：2013-02-07
Applicant: 旭硝子株式会社
IPC: C07F7/18 , C08G65/336 , C09D5/00 , C09D171/00 , C09K3/18
CPC classification number: C09D7/63 , B05D1/005 , B05D1/02 , B05D1/18 , B05D1/28 , C07C43/126 , C07F7/1804 , C08G65/007 , C08G65/336 , C08G2650/48 , C09D5/1637 , C09D171/00 , C23C14/12 , Y10T428/31504
Abstract: 本发明提供可形成初期的拒水拒油性高且耐摩擦性、指纹污垢除去性良好的表面处理层的含氟醚化合物、含氟醚组合物及涂覆液以及具有表面处理层的基材及其制造方法。使用具有含碳数4的氧全氟亚烷基单元(α)和除该单元(α)以外的氧全氟亚烷基单元(β)的聚(氧全氟亚烷基)链(αβ)，且在该聚(氧全氟亚烷基)链(αβ)的至少一侧末端介以连结基团具有水解性硅烷基的含氟醚化合物。
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公开(公告)号：CN104103653A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201310589075.3
申请日：2013-11-20
Applicant: 全视科技有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: G02B3/0018 , B05D1/005 , B29D11/00365 , B29D11/00384 , B29D11/00451 , G02B3/0043
Abstract: 本发明涉及一种形成用于图像传感器的双尺寸微透镜的方法。揭示一种形成用于具有至少一个大面积像素及至少一个小面积像素的图像传感器的微透镜的方法。所述方法包含在所述图像传感器的光入射侧上于所述大面积像素上方及所述小面积像素上方形成均匀微透镜材料层。所述方法还包含将所述微透镜材料层形成为安置于所述大面积像素上方的第一块及安置于所述小面积像素上方的第二块。还在所述第二块中形成空隙以减小所述第二块中所包含的微透镜材料的体积。接着，使所述第一及第二块回流以形成相应的第一微透镜及第二微透镜。所述第一微透镜具有与所述第二微透镜实质上相同的有效焦距。
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公开(公告)号：CN103525406A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310495376.X
申请日：2013-10-21
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
CPC classification number: C09K11/565 , B05D1/005 , C08G61/02 , C08G2261/1412 , C08G2261/3142 , C08G2261/5222 , C08G2261/95 , C08K3/30 , C08K2003/3036 , C09K11/06 , C09K2211/1416 , H01L33/06 , H01L51/0003 , H01L51/0039 , H01L51/502 , C08L65/00
Abstract: 本发明实施例提供了一种复合薄膜及其制作方法、光电元件和光电设备，涉及制作领域，可以避免团聚和荧光猝灭现象。所述复合薄膜的制作方法，包括：配置聚芴类化合物溶液，其中所述聚芴类化合物包括聚芴或聚芴衍生物；配置量子点溶液；将所述聚芴类化合物溶液和所述量子点溶液混合在一起制成混合溶液；去除所述混合溶液中的溶剂，制备成复合薄膜。
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公开(公告)号：CN103319931A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310201760.4
申请日：2013-02-08
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司 , 陶氏环球技术有限公司
IPC: C09D7/00 , H01L21/033 , B81C1/00
CPC classification number: H01L21/31058 , B05D1/005 , B05D3/0254 , B05D7/02 , B81C1/00031 , B81C2201/0149 , C08G77/442 , C09D151/08 , C09D183/10 , G03F7/0002 , H01L21/0337 , H01L21/31138
Abstract: 热退火工艺。提供一种加工基材的方法，所述方法包括：提供具有表面的基材；提供共聚物组合物，所述共聚物组合物包括聚(苯乙烯)-b-聚(二甲基硅氧烷)嵌段共聚物组分，其中聚(苯乙烯)-b-聚(二甲基硅氧烷)嵌段共聚物组分的数均分子量为25-1000kg/mol；应用共聚物组合物的薄膜至基材的表面；任选地，烘烤薄膜；在具有氧气浓度≤7.5ppm的气态气氛下在275-350℃加热该薄膜1秒至4小时；和，处理该退火了的薄膜以从该退火了的薄膜上除去聚(苯乙烯)和将该退火了的薄膜中的聚(二甲基硅氧烷)转换成SiOx。
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公开(公告)号：CN102917977A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201180026712.5
申请日：2011-03-30
Applicant: 南泰若股份有限公司
IPC: B82B1/00
CPC classification number: B05D1/40 , B05D1/005 , B05D1/02 , B05D1/18 , B05D1/28 , B05D1/32 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/168 , D04H1/4242 , D04H1/4382 , D04H1/4391 , D04H1/74
Abstract: 揭示了一种在纳米管织物层中对纳米管元件进行排列的方法。对纳米管织物层施加定向力使得织物层成为纳米管元件的有序网络。也就是说，纳米管元件网络沿其侧壁拉在一起，并且朝向是基本一致的方向。在一些实施方式中，通过使得圆柱形元件在织物层上滚动来施加该定向力。在其他实施方式中，通过使得摩擦材料经过纳米管织物层的表面来施加该定向力。在其他实施方式中，通过使得抛光材料在纳米管织物层上移动预定的时间来施加该定向力。还揭示了示例性的滚动、摩擦以及抛光设备。
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