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公开(公告)号:CN106029759B
公开(公告)日:2019-08-16
申请号:CN201480075435.0
申请日:2014-12-10
CPC classification number: C09D187/005 , B01J31/06 , B05D3/06 , B81C1/00031 , B81C2201/0149 , C08F293/005 , C08F2438/02 , C08J9/26 , C09D153/00 , G03F7/0002 , H01L21/0271
Abstract: 本发明涉及用于在基底上制造自组装的嵌段共聚物膜的方法,所述方法由以下构成:借助于含不同化学性质且不混溶的嵌段共聚物和统计共聚物的混合物的溶液同时沉积嵌段共聚物和统计共聚物,然后实施退火处理以便促进嵌段共聚物的自组装体固有的相偏析。
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公开(公告)号:CN105307976B
公开(公告)日:2017-10-13
申请号:CN201480017158.8
申请日:2014-03-05
Applicant: 南洋理工大学
CPC classification number: G01N21/658 , B05D3/0486 , B05D3/066 , B81C1/00111 , B81C2201/0149 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及在基底上形成纳米棒单层的方法,其中所述纳米棒至少基本上垂直对齐,所述方法包括:在基底上提供包含所述纳米棒的溶液的小滴,以及控制所述溶液的温度和蒸发,使得所述小滴的内部区域保持在接近平衡的状态,以允许形成纳米棒单层。本发明还涉及在所述基底上如此得到的纳米棒单层。本发明还进一步涉及一种光学装置和所述光学装置的用途。
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公开(公告)号:CN106029759A
公开(公告)日:2016-10-12
申请号:CN201480075435.0
申请日:2014-12-10
CPC classification number: C09D187/005 , B01J31/06 , B05D3/06 , B81C1/00031 , B81C2201/0149 , C08F293/005 , C08F2438/02 , C08J9/26 , C09D153/00 , G03F7/0002 , H01L21/0271
Abstract: 本发明涉及用于在基底上制造自组装的嵌段共聚物膜的方法,所述方法由以下构成:借助于含不同化学性质且不混溶的嵌段共聚物和统计共聚物的混合物的溶液同时沉积嵌段共聚物和统计共聚物,然后实施退火处理以便促进嵌段共聚物的自组装体固有的相偏析。
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公开(公告)号:CN103839785B
公开(公告)日:2016-09-28
申请号:CN201310445648.5
申请日:2013-09-26
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/20 , H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: G03F7/0002 , B81B7/0006 , B81B2203/0353 , B81B2207/07 , B81C1/00031 , B81C2201/0149 , B81C2201/0198 , G03F7/0035 , G03F7/165 , H01L21/0337 , H01L21/3086 , H01L21/31144
Abstract: 本发明涉及形成构图结构的方法。在中性聚合物层之上形成模板层之后,自组装嵌段共聚物材料被施加并且自组装。该模板层包括第一线状部分、比所述第一线状部分短的第二线状部分、以及具有比所述第二线状部分大的宽度的块状模板结构。在远离在宽度方向上延伸的部分的区域中,该自组装嵌段共聚物材料被相分离成交替薄层。所述块状模板结构扰乱所述薄层并且引起所述薄层的终止。在聚合物嵌段成分被选择性地去除时,形成与所述第一和第二线状部分平行并且与块状模板结构自对准地终止的腔。所述腔的图形可以被反转并转移到材料层中以形成具有不同长度的鳍。
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公开(公告)号:CN105934455A
公开(公告)日:2016-09-07
申请号:CN201480074045.1
申请日:2014-12-08
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: C08F297/00 , C08F299/00 , C08F212/14 , C08F220/10 , C08F220/30 , C08F216/12 , C08L55/00 , C08J5/00 , C08J7/04
CPC classification number: C08F293/005 , B81C1/00428 , B81C1/00531 , B81C2201/0149 , B82Y40/00 , C07C35/48 , C07C43/215 , C07C43/225 , C07C217/84 , C07C2601/16 , C07D209/48 , C07F7/1804 , C08F12/20 , C08F12/22 , C08F12/26 , C08F12/32 , C08F212/14 , C08F220/10 , C08F220/30 , C08F2438/03 , C08J5/18 , C08J7/123 , C08J7/14 , C08J2353/00 , C09D153/00 , G03F7/0002 , G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/162
Abstract: 本发明可提供嵌段共聚物及其用途。本发明的嵌段共聚物具有优异的自组装特性和相分离特性,并且可具有必要时向其提供的多种所需功能。
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公开(公告)号:CN105899556A
公开(公告)日:2016-08-24
申请号:CN201480072759.9
申请日:2014-12-08
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: C08F297/00 , C08F299/00 , C08F212/14 , C08F212/12 , C08F220/10 , C08F220/30 , C08F216/12 , C08L55/00 , C08J5/00 , C08J7/04
CPC classification number: C08F293/005 , B81C1/00428 , B81C1/00531 , B81C2201/0149 , B82Y40/00 , C07C35/48 , C07C43/215 , C07C43/225 , C07C217/84 , C07C2601/16 , C07D209/48 , C07F7/1804 , C08F12/20 , C08F12/22 , C08F12/26 , C08F12/32 , C08F212/14 , C08F220/10 , C08F220/30 , C08F2438/03 , C08J5/18 , C08J7/123 , C08J7/14 , C08J2353/00 , C09D153/00 , G03F7/0002 , G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/162
Abstract: 本发明涉及单体、用于制备嵌段共聚物的方法、嵌段共聚物及其用途。本发明的单体可形成嵌段共聚物,所述嵌段共聚物具有优异的自组装特性并且必要时任选地向其提供多种所需的功能。
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公开(公告)号:CN103319931B
公开(公告)日:2015-06-17
申请号:CN201310201760.4
申请日:2013-02-08
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司 , 陶氏环球技术有限公司
IPC: C09D7/00 , H01L21/033 , B81C1/00
CPC classification number: H01L21/31058 , B05D1/005 , B05D3/0254 , B05D7/02 , B81C1/00031 , B81C2201/0149 , C08G77/442 , C09D151/08 , C09D183/10 , G03F7/0002 , H01L21/0337 , H01L21/31138
Abstract: 热退火工艺。提供一种加工基材的方法,所述方法包括:提供具有表面的基材;提供共聚物组合物,所述共聚物组合物包括聚(苯乙烯)-b-聚(二甲基硅氧烷)嵌段共聚物组分,其中聚(苯乙烯)-b-聚(二甲基硅氧烷)嵌段共聚物组分的数均分子量为25-1000kg/mol;应用共聚物组合物的薄膜至基材的表面;任选地,烘烤薄膜;在具有氧气浓度≤7.5ppm的气态气氛下在275-350℃加热该薄膜1秒至4小时;和,处理该退火了的薄膜以从该退火了的薄膜上除去聚(苯乙烯)和将该退火了的薄膜中的聚(二甲基硅氧烷)转换成SiOx。
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公开(公告)号:CN104395230A
公开(公告)日:2015-03-04
申请号:CN201380033534.8
申请日:2013-06-05
Applicant: 阿克伦大学
CPC classification number: B29C71/02 , B29C67/24 , B29C71/0072 , B29C2071/022 , B29K2096/04 , B29K2105/0085 , B29L2007/008 , B81C1/00031 , B81C2201/0149 , C08J5/18 , C08J2353/00 , C08J2383/10 , G03F7/0002
Abstract: 本发明提供定向取向嵌段共聚物薄膜和用于生产定向取向嵌段薄膜的区域退火工艺。所述区域退火工艺包括通过柔和剪切力工艺诱导水平取向嵌段共聚物的方法,以及借助于急剧动态区域退火来诱导垂直取向嵌段共聚物的方法。所述区域退火工艺能够实现定向取向嵌段薄膜的小规模及大规模生产。所述冷区退火工艺还能与图形外延方法组合使用。
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公开(公告)号:CN104380194A
公开(公告)日:2015-02-25
申请号:CN201380031543.3
申请日:2013-04-15
Applicant: 布鲁尔科技公司
IPC: G03F1/38 , H01L21/027
CPC classification number: B81C1/0038 , B81B1/00 , B81C1/00031 , B81C2201/0149 , G03F7/0002 , G03F7/26 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/0332 , H01L21/0337 , H01L21/31144 , Y10T428/24612 , Y10T428/24802 , G03F1/38 , H01L21/0274
Abstract: 提供了用于导向自组装图案化技术的组合物,其在工艺中无需独立的减反射涂层和刷中性层。还提供导向自组装的方法,其中可将自组装材料,例如导向自组装嵌段共聚物,直接施涂到硅硬掩模中性层,然后自组装以形成所需的图案。本文还批露了导向自组装图案化的结构。
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公开(公告)号:CN103980648A
公开(公告)日:2014-08-13
申请号:CN201410043788.4
申请日:2014-01-29
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司 , 陶氏环球技术有限公司
CPC classification number: C09D153/00 , B81C1/00031 , B81C2201/0149 , B82Y40/00 , C08F297/026 , G03F7/0002
Abstract: 本发明涉及一种导向自组装共聚物组合物及其相关方法,提供了一种共聚物组合物,该共聚物组合物包括具有聚(苯乙烯)嵌段和聚(丙烯酸甲硅烷基酯)嵌段的嵌段共聚物;其中所述嵌段共聚物的数均分子量MN是1-1000千克/摩尔;以及,其中所述嵌段共聚物的多分散性PD是1-2。还提供了用所述共聚物组合物处理的基材。
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