换能器层压板
    25.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108028308B

    公开(公告)日:2019-07-23

    申请号:CN201680042574.2

    申请日:2016-07-21

    Abstract: 本发明涉及一种换能器层压板,其中,电导体(C1、C2)与换能器层(TY)之间进行电接触。换能器层压板包括两个粘合剂涂覆的箔片(F1、F2),所述箔片的粘合剂涂层(AC1、AC2)被布置为彼此面对。在沿着两个电导体(C1、C2)的长度的第一位置(A‑A')处,两个电导体(C1、C2)被夹持在两个粘合剂涂覆的箔片的粘合剂涂层(AC1、AC2)之间,并且换能器层(TY)也被夹持在两个电导体(C1、C2)之间,使得与换能器层(TY)上的电极(E1、E2)进行电接触。在沿着两个电导体(C1、C2)的长度的第二位置(B‑B')处,两个电导体(C1、C2)被夹持在两个粘合剂涂覆的箔片的粘合剂涂层(AC1、AC2)之间,并且没有换能器层(TY)被夹持在两个电导体(C1、C2)之间。

    两端子CMUT设备
    26.
    发明授权

    公开(公告)号:CN106999984B

    公开(公告)日:2019-06-28

    申请号:CN201580067115.5

    申请日:2015-11-30

    Abstract: 本发明涉及一种超声系统,包括:超声阵列,其包括至少一个电容性微机械超声换能器设备,所述至少一个电容性微机械超声换能器设备包括:薄膜,所述薄膜被耦合到第一电极;衬底,所述衬底与所述薄膜相对并且被耦合到第二电极和第三电极,在所述衬底与所述薄膜之间存在气体或真空腔,其中,所述第二电极在外围区域中与所述第一电极相对,并且所述第三电极在中心区域中与所述第一电极相对;至少一个驱动电路,其被耦合到所述阵列。所述系统还包括:高阻抗电阻器,当所述CMUT设备的所述薄膜处在所述塌陷状态中并且所述CMUT设备在操作频率处被激活时,所述高阻抗电阻器被电气地耦合到所述第二电极与所述第三电极并且具有比所述第一电极与所述第二电极之间的AC阻抗更高的阻抗值。

    换能器层压板
    27.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108028308A

    公开(公告)日:2018-05-11

    申请号:CN201680042574.2

    申请日:2016-07-21

    Abstract: 本发明涉及一种换能器层压板,其中,电导体(C1、C2)与换能器层(TY)之间进行电接触。换能器层压板包括两个粘合剂涂覆的箔片(F1、F2),所述箔片的粘合剂涂层(AC1、AC2)被布置为彼此面对。在沿着两个电导体(C1、C2)的长度的第一位置(A‑A')处,两个电导体(C1、C2)被夹持在两个粘合剂涂覆的箔片的粘合剂涂层(AC1、AC2)之间,并且换能器层(TY)也被夹持在两个电导体(C1、C2)之间,使得与换能器层(TY)上的电极(E1、E2)进行电接触。在沿着两个电导体(C1、C2)的长度的第二位置(B‑B')处,两个电导体(C1、C2)被夹持在两个粘合剂涂覆的箔片的粘合剂涂层(AC1、AC2)之间,并且没有换能器层(TY)被夹持在两个电导体(C1、C2)之间。

    一种无铅压电单晶高频超声换能器及其制备方法

    公开(公告)号:CN107008636A

    公开(公告)日:2017-08-04

    申请号:CN201710329558.8

    申请日:2017-05-11

    CPC classification number: B06B1/0644 B06B2201/55 B06B2201/76 H01L41/33

    Abstract: 本发明一种无铅压电单晶高频超声换能器及其制备方法,涉及高频超声换能器技术领域。所述高频超声换能器由声匹配层(1),发声材料(2),背衬层(3),金属外壳(4)组成,工作频率为20MHz至300MHz。其中,声匹配层(1)为聚对二甲苯;发声材料(2)为无铅压电单晶高频压电元件;背衬层(3)为导电胶;金属外壳(4)为不锈钢材料。高频超声换能器的制备方法,包括步骤:a.采用高居里温度的无铅压电单晶材料至l.将单晶元件封装在金属外壳内……。特别通过机械减薄‑化学机械减薄‑反应离子刻蚀相结合的减薄方法,将无铅压电单晶材料制成一种高性能无铅单晶元件,并以此元件制备一种换能器,解决了高频与铅污染问题。

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