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公开(公告)号:CN1717437B
公开(公告)日:2012-03-28
申请号:CN200380102854.0
申请日:2003-10-31
Applicant: 佐治亚技术研究公司
Inventor: 保罗·A.·科尔 , 休安·比斯特鲁普·艾伦 , 克利福德·李·亨德森 , 约瑟夫·保罗·贾亚钱德兰 , 霍利·里德 , 切莱斯塔·E.·怀特
CPC classification number: B81C1/00476 , B81C2201/0108 , H01L21/7682 , Y10S430/114
Abstract: 本发明提供聚合物、其应用方法、以及其分解方法。其中一种聚合物实例包括含有牺牲聚合物以及光产酸源的组合物。
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公开(公告)号:CN101094804B
公开(公告)日:2011-12-28
申请号:CN200580015419.3
申请日:2005-03-15
Applicant: 佐治亚技术研究公司
CPC classification number: B81C1/00333 , B81C2201/0108 , B81C2203/0136 , B81C2203/0154 , H01L2224/48247 , H01L2224/49171 , H01L2924/1461 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明的各实施例提供了用于制造微机电器件封装件的系统和方法。在结构上综合地讲,所述系统的实施例之一包括微机电器件,其形成在基底层上;以及热分解性牺牲结构,其保护微机电器件的至少一部分,其中牺牲结构形成在基底层上并且包围凹腔,以封闭微机电器件的有效表面。还提供了其它系统和方法。
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公开(公告)号:CN100550429C
公开(公告)日:2009-10-14
申请号:CN02826974.8
申请日:2002-11-08
Inventor: 达纳·R·德吕斯
CPC classification number: B81B3/0024 , B81B3/0051 , B81B2201/014 , B81B2201/018 , B81B2203/0118 , B81B2203/04 , B81B2207/07 , B81C1/0015 , B81C2201/0107 , B81C2201/0108 , B81C2201/0109 , H01H1/04 , H01H1/504 , H01H59/0009 , H01H61/04 , H01H2001/0042 , H01H2001/0063 , H01H2001/0089 , H01H2059/0072 , H01H2061/006 , H01L23/3735 , H01L23/522 , H01L27/1203 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H02N1/006 , H02N10/00 , Y10T29/49222 , H01L2924/00
Abstract: 根据一个实施例,提供一种悬挂在基板上方的可移动MEMS部件。该部件可包括结构层,该结构层具有与基板分开一定间隙的可移动电极。该部件还可包括至少一个支座凸块,该支座凸块固定到结构层上并延伸到所述间隙中,当该部件移动时用于防止可移动电极与导电材料接触。
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公开(公告)号:CN101176040A
公开(公告)日:2008-05-07
申请号:CN200680016789.3
申请日:2006-04-14
Applicant: 哈佛大学
Inventor: 文森特·林德 , 拜伦·盖茨 , 德克兰·瑞安 , 巴巴克·阿米尔帕尔维兹 , 乔治·M·怀特塞兹
IPC: G03F7/00
CPC classification number: B81C1/00246 , B81C2201/0108 , B81C2203/0735 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002
Abstract: 本发明提供一种使用包含聚合物的牺牲材料的制造方法。在一些实施方案中,聚合物可经过处理以改变其相对于制造过程中所用至少一种溶剂(例如水溶液)的溶解度。所述牺牲材料可快速简单地制备,并且所述牺牲材料的溶解可在温和环境中进行。本发明的牺牲材料可用于表面微加工、本体微加工和其它微制造过程中,其中使用牺牲层来产生选定和对应的物理结构。
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公开(公告)号:CN1292447C
公开(公告)日:2006-12-27
申请号:CN02826914.4
申请日:2002-11-08
Inventor: 肖恩·J·坎宁安 , 达纳·R·德吕斯 , 苏巴哈姆·塞特 , 斯韦特兰娜·塔蒂克-卢奇克
IPC: H01H57/00
CPC classification number: B81B3/0024 , B81B3/0051 , B81B2201/014 , B81B2201/018 , B81B2203/0118 , B81B2203/04 , B81B2207/07 , B81C1/0015 , B81C2201/0107 , B81C2201/0108 , B81C2201/0109 , H01H1/04 , H01H1/504 , H01H59/0009 , H01H61/04 , H01H2001/0042 , H01H2001/0063 , H01H2001/0089 , H01H2059/0072 , H01H2061/006 , H01L23/3735 , H01L23/522 , H01L27/1203 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H02N1/006 , H02N10/00 , Y10T29/49222 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种悬挂在基板(102)上的活动的、三层微元件(108),并且包括第一导电层(116),将该第一导电层构图限定活动电极(114)。用间隙将基板(102)与第一金属层(116)分开。微元件(108)还包括在第一金属层(116)上形成并且一端相对于基板(102)固定的电介质层(112)。此外,微元件(102)包括在介质层(112)上形成的第二导电层(120),并且构图限定与活动电极(114)电连接的电极互连(124)。
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公开(公告)号:CN106276776A
公开(公告)日:2017-01-04
申请号:CN201510244071.0
申请日:2015-05-13
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
Inventor: 荆二荣
CPC classification number: B81C1/00182 , B81B7/02 , B81B2201/0207 , B81C1/00 , B81C1/0015 , B81C1/00476 , B81C2201/0108 , B81C2201/0109 , B81C2201/0132 , G01J5/20
Abstract: 一种MEMS双层悬浮微结构的制作方法,可以制作出具有双层的悬浮微结构,用该双层悬浮微结构(具备第一膜体和第二膜体的悬浮微结构)制作的红外探测器,由于第二膜体不需要制作悬臂梁,所以第二膜体可以制作得比第一膜体大,因而可以比单层悬浮微结构的红外探测器拥有更大的悬浮吸收区域,从而具备较高的红外响应率。此外,还公开一种MEMS红外探测器。
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公开(公告)号:CN105593157A
公开(公告)日:2016-05-18
申请号:CN201480054613.1
申请日:2014-09-15
Applicant: 卡文迪什动力有限公司
Inventor: 迈克·雷诺
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/0038 , B81C1/00801 , B81C2201/0108 , B81C2201/0176 , B81C2201/053
Abstract: 本发明总体涉及形成MEMS器件的方法以及通过该方法形成的MEMS器件。在形成MEMS器件时,在腔体内围绕开关元件沉积牺牲材料。所述牺牲材料最终被移除以释放腔内的开关元件。所述开关元件具有在其之上的薄介电层以阻止蚀刻剂与该开关元件的导电材料相互作用。在制造过程期间,介电层被沉积在牺牲材料之上。为了确保介电层和牺牲材料之间的良好粘附,在将介电层沉积在牺牲材料上之前在牺牲材料上沉积富含硅的氧化硅层。
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公开(公告)号:CN105164563A
公开(公告)日:2015-12-16
申请号:CN201480013898.4
申请日:2014-03-03
Applicant: 皮克斯特隆尼斯有限公司
Inventor: 蒂莫西·J·布罗斯尼汉 , 杰维尔·维拉瑞欧 , 迈克尔·安德鲁·金格拉斯
IPC: G02B26/02
CPC classification number: G02B5/005 , B29D11/0074 , B81C1/00317 , B81C2201/0108 , G02B26/023
Abstract: 本发明提供用于显示图像的系统、方法和设备。一些此类设备包含:显示元件阵列,其耦合到衬底;及提升光圈层EAL,其悬置于所述显示元件阵列上方。所述EAL耦合到所述衬底,且对于所述显示元件中的每一者,所述EAL包含至少一个光圈以用于允许光通过所述至少一个光圈。用于制造此设备的方法包含以下各者中的至少一者:形成穿过所述EAL的蚀刻孔;采用至少部分可升华的牺牲模具;采用二阶段释放过程;及释放所述设备,使得牺牲模具的一部分保持环绕所述设备的多个部分。
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公开(公告)号:CN104093662B
公开(公告)日:2015-11-25
申请号:CN201280060077.7
申请日:2012-12-06
Applicant: 佐治亚技术研究公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00261 , B81B3/0018 , B81C1/00333 , B81C2201/0108 , B81C2203/0154
Abstract: MEMS器件的可移动部分在呈晶片形式时被包封并保护,使得可以使用商品引线框架封装。外涂聚合物如环氧环己基多面体寡聚倍半硅氧烷(EPOSS)已用作图案化牺牲聚合物以及外涂空气腔室的掩模材料。所产生的空气腔室为清洁、无碎屑并且稳固的。腔室具有在MEMS器件的引线框架封装过程中耐受模塑压力的实质强度。已制造20μmx400μm至300μmx400μm的许多腔室且显示为机械稳定的。这些可能容纳许多尺寸的MEMS器件。已使用纳米压痕研究腔室的强度,并使用分析及有限元技术模拟。使用该方案封装的电容谐振器已显示清洁的感测电极和良好的功能。
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公开(公告)号:CN103732528A
公开(公告)日:2014-04-16
申请号:CN201280038717.4
申请日:2012-08-03
Applicant: 卡文迪什动力有限公司
Inventor: 布莱恩·I·特洛伊 , 迈克·雷诺 , 托马斯·L·麦圭尔 , 约瑟夫·达米安·戈登·拉西 , 詹姆斯·F·波比亚
CPC classification number: B81C1/00484 , B81B3/0008 , B81B2201/014 , B81B2201/018 , B81B2203/0118 , B81C2201/0108 , H01H1/0036 , H01H2001/0089
Abstract: 本发明通常涉及一种来自附着力促进剂材料的硅残留物从空腔底部减少或甚至消除的MEMS装置。附着力促进剂典型地用于将牺牲材料粘附到衬底上的材料。然后,将附着力促进剂与牺牲材料层一起移除。然而,在移除时附着力促进剂在空腔内留下基于硅的残留物。本发明人发现可以在沉积牺牲材料之前将附着力促进剂从空腔区域移除。残留在衬底的剩余部分上的附着力促进剂足以将牺牲材料粘附到衬底,而不用担心牺牲层脱层。因为在装置的空腔区域中不使用附着力促进剂,所以在解放MEMS装置的开关元件之后在空腔内不会存在硅残留物。
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