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公开(公告)号：CN109641741A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201780053215.1
申请日：2017-07-05
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
Inventor： J·克拉森
CPC classification number: B81C1/00309 , B81B3/0005 , B81B7/0051 , B81B7/0061 , B81B7/007 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81B2207/012 , B81C1/00301 , B81C1/00325 , B81C1/00968 , B81C2201/0125 , B81C2201/0132 , B81C2201/0178 , B81C2201/112 , B81C2203/0118 , B81C2203/0792 , H04R19/005 , H04R31/006
Abstract: 本发明涉及一种用于制造微机械传感器的方法(100)，所述方法具有以下步骤：提供具有MEMS衬底(1)的MEMS晶片(10)，其中，在所述MEMS衬底(1)中在膜片区域(3a)中构造限定数量的蚀刻沟，其中，所述膜片区域构造在第一硅层(3)中，该第一硅层以与所述MEMS衬底(1)隔开限定的间距的方式布置；提供罩晶片(20)；将所述MEMS晶片(10)与所述罩晶片(20)键合；并且通过所述MEMS衬底(1)的磨削构造通向所述膜片区域(3a)的介质入口(6)。
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公开(公告)号：CN105637405B
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201480057389.1
申请日：2014-11-07
Applicant: 住友精密工业株式会社
IPC: G02B26/08 , B81C1/00 , H01L21/3065
CPC classification number: B81C1/00492 , B81B3/0086 , B81B2201/042 , B81B2203/0136 , B81C1/00404 , B81C1/00603 , B81C2201/0102 , B81C2201/0132 , B81C2201/0198 , G02B26/0841
Abstract: 在从第一硅层(210)侧对SOI基板(200)进行蚀刻的第一蚀刻工序中，将第一结构体中的由第一硅层(210)所构成的部分形成为具有比最终形状还大的形状的预结构。在将最终掩模(390)形成在SOI基板(200)的第二硅层(230)侧的掩模形成工序中，将与第一结构体的最终形状对应的第一掩模(391)形成为布置在预结构内。在从第二硅层(230)侧对SOI基板(200)进行蚀刻的第二蚀刻工序中，通过利用第一掩模(391)对第二硅层(230)和预结构进行蚀刻，从而形成第一结构体的最终形状。
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公开(公告)号：CN107836036A
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201680040930.7
申请日：2016-07-07
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC: H01L21/52
CPC classification number: B81C1/00873 , B81B7/007 , B81B2201/0214 , B81B2201/0235 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81B2201/0278 , B81B2201/0292 , B81B2201/047 , B81B2207/07 , B81B2207/098 , B81C1/00333 , B81C2201/0125 , B81C2201/0132 , B81C2201/0159 , B81C2201/0181 , B81C2201/0188 , B81C2203/0136 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L21/6836 , H01L23/3121 , H01L24/19 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L2221/68359 , H01L2224/04105 , H01L2224/96 , H01L2924/351 , H01L2924/3511
Abstract: 在所描述的用于以面板形式制造具有开口腔(110a)的封装的半导体器件的方法的示例中，此方法包括：将具有平坦焊盘(230)的金属块的面板大小的网格和对称放置的垂直柱体(231)放置在粘合承载胶带上；将半导体芯片(101)附加到胶带上，其中传感器系统面朝下；层压并减薄低CTE绝缘材料以填充芯片和网格之间的间隙；翻转组件以移除胶带；等离子-清洗组件正面，穿过组件溅射和图案化均匀的金属层，并可选择地电镀金属层以形成针对组件的重布迹线和延伸接触焊盘；穿过面板层压(212)绝缘增强板；在增强板中使腔开口(213)以进入传感器系统；并通过切割金属块来切单(214)封装器件。
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公开(公告)号：CN107434239A
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201710613928.0
申请日：2017-07-25
Applicant: 清华大学
CPC classification number: B81B7/02 , A61N1/0541 , B81B7/04 , B81B2201/06 , B81B2203/04 , B81C1/00214 , B81C1/00349 , B81C1/00531 , B81C2201/0107 , B81C2201/0132 , B81C2201/0147 , B81C2201/0174
Abstract: 本发明公开了一种可应用于人工耳蜗的MEMS薄膜电极阵列与加工方法。包括：所述薄膜电极阵列采用直线型结构，薄膜平面内电极形状为圆形，垂直于平面方向电极具有凸起形状；薄膜电极阵列内电极的尺寸根据人工耳蜗激励电流要求与电极材料电荷密度安全值设计，其中，电极中心间距≥150μm，每个电极暴露面积直径≥70μm。本发明引入MEMS微加工技术，提升了电极阵列的电极密度，降低了手工加工的加工成本。
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公开(公告)号：CN107064555A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710140855.8
申请日：2017-03-10
Applicant: 中国科学院地质与地球物理研究所
CPC classification number: G01P15/08 , B81B7/02 , B81C1/00142 , B81C1/00349 , B81C1/00531 , B81C1/00539 , B81C2201/0132 , B81C2201/0133 , G01P2015/0862
Abstract: 本发明涉及传感器领域，尤其涉及一种MEMS加速度计，上盖板、器件层以及下盖板；所述器件层包括：锚点、质量块、解耦梁以及加速度检测结构；所述解耦梁用于连接所述锚点以及所述质量块，所述加速度检测结构轴对称设置在所述质量块中，所述加速度检测结构包括：谐振梁以及驱动电极；所述谐振梁的两侧形成有梳齿；所述谐振梁一侧的梳齿与所述驱动电极相叠加；另一侧的梳齿与所述质量块上的梳齿相叠加；所述驱动电极向所述谐振梁施加电驱动信号，所述加速度检测结构通过检测谐振梁的谐振频率来检测加速度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107055460A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201610867595.X
申请日：2016-09-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81B3/001 , B81C1/0092 , B81C1/00936 , B81C1/00944 , B81C1/00952 , B81C1/0096 , B81C1/00984 , B81C1/00992 , B81C2201/0132 , B81C2201/056 , B81C1/00912 , B81B7/02
Abstract: 本发明涉及形成一种制造微电子机械系统(MEMS)器件的方法。在第一衬底的第一侧中形成多个开口。在该衬底的第一侧上方形成介电层。介电层的多个部段填充开口。第一衬底的第一侧粘合至包括空腔的第二衬底。执行粘合使得介电层的部段设置在空腔上方。第一衬底的设置在空腔上方的一部分转化成MEMS器件的多个可移动的组件。可移动的组件与介电层物理接触。随后，在没有使用液态化学品的情况下去除介电层的一部分。本发明的实施例还提供了另一种制造微电子机械系统(MEMS)器件的方法以及一种装置。
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公开(公告)号：CN106995204A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201610970705.5
申请日：2016-11-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B81B7/02
CPC classification number: B81B3/0005 , B81B3/001 , B81B2203/04 , B81B2207/012 , B81B2207/07 , B81C1/00984 , B81C2201/0132 , B81C2203/037 , B81C2203/0785 , B81B7/02 , B81C2203/01 , B81C2203/0172 , B81C2203/0707
Abstract: 本发明实施例涉及具有粗糙金属抗静摩擦层以改善静摩擦特性的MEMS封装和相关联形成方法。在一些实施例中，所述MEMS封装包括接合到CMOS IC的MEMS IC。所述CMOS IC具有CMOS衬底及安置在所述CMOS衬底上方的互连结构。所述互连结构包括安置在多个介电层内的多个金属层。所述MEMS IC接合到所述互连结构的上表面并与所述CMOS IC合作而围封所述MEMS IC与所述CMOS IC之间的空腔。所述MEMS IC具有布置在所述空腔中的可移动块状物。所述MEMS封装进一步包括抗静摩擦层，其安置于所述互连结构的所述上表面之上、在所述可移动块状物之下。所述抗静摩擦层由金属制成并具有粗糙顶表面。
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公开(公告)号：CN106816373A
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201610830422.0
申请日：2016-09-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L22/26 , B81C1/00587 , B81C2201/0112 , B81C2201/0132 , H01J37/32963 , H01J37/32972 , H01L21/30655
Abstract: 本发明提供一种制造半导体装置的方法。所述方法包括以下步骤。(a)将衬底图案化。(b)在所述图案化的衬底上形成聚合物层。(c)将所述聚合物层图案化。交替重复步骤(a)、(b)与(c)。检测等离子与步骤(a)、(b)与(c)产生的产物反应所发生的发射光的强度。所述强度的采样速度范围大体上为1pt/20ms到1pt/100ms。使用平滑函数处理所述等离子与所述产物的所述反应所发生的所述发射光的所述强度。
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公开(公告)号：CN103159163B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201110424013.8
申请日：2011-12-19
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
CPC classification number: B81C1/00531 , B81C1/00619 , B81C99/0025 , B81C2201/0132 , H01L21/30655
Abstract: 本发明提出一种基片刻蚀方法和基片处理设备。所述基片刻蚀方法包括：S1：将待处理的基片放入反应腔室；S2：向所述反应腔室输入刻蚀气体；S3：开启激励电源以在所述反应腔室内产生等离子体；S4：开启偏压电源以向所述基片施加偏压功率；S5：关闭所述偏压电源且同时向所述反应腔室内输入沉积气体；S6：停止向所述反应腔室内输入沉积气体且同时开启所述偏压电源；和S7：重复步骤S5-S6直至完成刻蚀工艺。根据本发明，在整个刻蚀工艺过程中始终保持等离子体的存在，并在刻蚀工艺过程之中穿插沉积步骤，因此在沉积步骤时也可以将部分的沉积聚合物刻蚀掉。从而基片的最终刻蚀剖面具有很好的连续性，实现了刻蚀剖面侧壁的平滑。
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公开(公告)号：CN105431376A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201480042006.3
申请日：2014-07-23
Applicant: 3M创新有限公司
CPC classification number: C23C16/0245 , B81C1/00031 , B81C2201/0132 , C09J7/22 , C09J2201/606 , C23C16/50 , H01J37/32082 , H01J37/32541 , H01J2237/3321 , H01J2237/3341
Abstract: 本发明公开了一种制备纳米结构和纳米结构化制品的方法，该方法通过以下方式：由从气态混合物进行的等离子体化学气相沉积来将层沉积到基底的主表面上同时基本上同时用反应性物质蚀刻该表面。该方法包括提供基底；将在形成为等离子体时能够将层沉积到基底上的第一气态物质与在形成为等离子体时能够蚀刻基底的第二气态物质混合，从而形成气态混合物；将气态混合物形成为等离子体；以及使基底的表面暴露于等离子体，其中表面被蚀刻，并且层被基本上同时沉积在经蚀刻的表面的至少一部分上，从而形成纳米结构。基底可为(共)聚合物材料、无机材料、合金、固溶体或它们的组合。沉积的层可以包括使用反应性气体进行的等离子体化学气相沉积的反应产物，该反应性气体包括选自以下的化合物：有机硅化合物、金属烷基化合物、金属异丙氧化物化合物、金属乙酰丙酮化物、金属卤化物以及它们的组合。可以制备具有高纵横比并且在至少一个维度上并且优选在三个正交维度上任选地具有无规维度的纳米结构。
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