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公开(公告)号：WO2007114191A1
公开(公告)日：2007-10-11
申请号：PCT/JP2007/056723
申请日：2007-03-28
CPC classification number: G01F1/692 , B81B2201/0278 , B81B2203/0127 , B81C1/00666 , B81C2201/0169 , B81C2201/0178 , C23C16/402 , C23C16/56 , Y10T428/24488 , Y10T428/24612
Abstract: 製作が容易で、断熱性、品質に優れたメンブレン構造素子及びその製造方法を提供する。 酸化ケイ素膜で形成されたメンブレンと、前記メンブレンの周辺の一部を支持することによってメンブレンを中空状態で支持する基板とを備えたメンブレン構造素子の製造方法である。シリコン基板２の表面側に、プラズマＣＶＤ法により熱収縮可能な酸化ケイ素膜１３を形成する膜形成工程と、前記基板１に形成された前記酸化ケイ素膜１３を熱収縮させる加熱処理を施す加熱処理工程と、前記酸化ケイ素膜１３のメンブレン対応部をメンブレンとして基板２に対して中空状態で支持されるように前記基板２の一部を除去し、凹部４を形成する除去工程を備える。
Abstract translation: 提供了可以容易地制造的膜结构元件，具有优异的绝缘特性和高质量。 还提供了一种制造这种膜结构元件的方法。 膜结构元件设置有由氧化硅膜形成的膜，以及用于通过支撑膜的周边的一部分来将膜支撑在中空状态的基板。 该膜的制造方法具有通过等离子体CVD法在硅衬底（2）的表面侧形成热收缩性氧化硅膜（13）的成膜工序; 进行热处理的热处理步骤使得形成在基板（1）上的氧化硅膜（13）热收缩; 以及去除所述基板（2）的一部分以使得所述膜的所述氧化硅膜（13）的相应部分以中空状态作为膜被支撑到所述基板（2）的去除步骤，并且形成凹陷 第（4）节。
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公开(公告)号：WO2005077815A1
公开(公告)日：2005-08-25
申请号：PCT/DE2004/002777
申请日：2004-12-20
Applicant: ROBERT BOSCH GMBH , BAER, Hans-Peter , HOECHST, Arnim
Inventor： BAER, Hans-Peter , HOECHST, Arnim
IPC: B81B3/00
CPC classification number: B81C1/00182 , B81B2201/0292 , B81B2203/0127 , B81B2203/0315 , B81B2203/0353 , B81C2201/0178
Abstract: Die Erfindung betrifft einen mikromechanischen Sensor und eine Verfahren zu seiner Herstellung. Erfindungsgemäß wird eine sichere Membraneinspannung unabhängig von prozesstechnisch bedingten Schwankungen des Kavernenätzprozesses und eine freie Gestaltung der Membranform ermöglicht, indem eine geeignete Anbindung der Membran in einer durch lokale Oxidation erzeugten Oxidschicht ausgebildet wird. Der mikromechanischer Sensor weist mindestens auf: ein Substrat (1), eine in einem lateral äußeren Bereich (4) in dem Substrat (1) ausgebildete äußere Oxidschicht (9), eine in einem lateral inneren Membranbereich (5) ausgebildete Membran (15) mit mehreren Perforationslöchern (16), eine in das Substrat (1) unterhalb der Membran (15) geätzte Kaverne (14), wobei die Membran (15) in einem Aufhängungsbereich (10) der äußeren Oxidschicht (9) aufgehängt ist, der sich zu Anbindungspunkten (12) der Membran (15) hin verjüngt, und die Membran (15) in ihrer vertikalen Höhe zwischen einer Oberseite (17) und einer Unterseite (19) der äußeren Oxidschicht (9) angeordnet ist.
Abstract translation: 本发明涉及一种微机械传感器，以及用于其生产的方法。 根据本发明的一个安全的锥体悬浮液成为可能而不管Kavernenätzprozesses的工艺技术的波动和由所述膜的适当的连接将膜形式的自由设计形成在由局部氧化氧化物层中产生的。 微机械传感器至少包括：一个衬底（1），一个在衬底中的横向外区域（4）（1）形成的外部氧化物层（9）形成一个在一个横向内膜区域（5）膜（15） 的多个穿孔（16），一个在该膜下方的衬底（1）（15）被蚀刻腔体（14），所述外部氧化物层（9）的膜（15）（10）悬浮在悬浮区的连接点， 隔膜（15）逐渐变细，并且在顶侧（17）和所述外部氧化物层（9）的底部（19）之间的其垂直水平的膜（15）根据（12）布置。
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23.发明公开
公开(公告)号：EP2456714A1
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：EP10751817.7
申请日：2010-07-20
Applicant: Montres Breguet SA
Inventor： KARAPATIS, Nakis
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00682 , B81B2201/035 , B81C1/00674 , B81C2201/0178 , Y10T29/49986
Abstract: The invention relates to a method for manufacturing a micromechanical part made of reinforced silicon, comprising the steps of: micromachining the part, or a batch of parts, in a silicon wafer; forming, in one or more steps and over the entire surface of the part, a layer of silicon dioxide, so as to obtain a thickness of silicon dioxide that is at least five times greater than the thickness of native silicon dioxide; and removing the layer of silicon dioxide by chemical attack.
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24.发明公开Procede de fabrication d'une piece micromecanique en silicium renforce 审中-公开Verfahren zur Herstellung eines mikromechanischen Teils ausverstärktemSilizium
公开(公告)号：EP2277822A1
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：EP09166269.2
申请日：2009-07-23
Applicant: MONTRES BREGUET S.A.
Inventor： Karapatis, Nakis
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00682 , B81B2201/035 , B81C1/00674 , B81C2201/0178 , Y10T29/49986
Abstract: Le procédé de fabrication d'une pièce micromécanique en silicium renforcé comporte les étapes de :
- micro-usiner la pièce, ou un lot de pièces dans une plaquette de silicium ;
- former, sur toute la surface de la pièce, en une ou plusieurs étapes, une couche de dioxyde de silicium, de manière à obtenir une épaisseur de dioxyde de silicium au moins cinq fois supérieure à l'épaisseur d'un dioxyde de silicium natif ;
- retirer la couche de dioxyde de silicium par attaque chimique.Abstract translation: 该方法包括用硅芯（1）或硅晶片中的一批部件微加工微机械部件。 在900〜1200摄氏度的温度范围内，在一个步骤或不同步骤中，在表面的整个表面上形成二氧化硅层，以获得二氧化硅的厚度比二氧化硅厚度高五倍 天然二氧化硅的厚度。 该层被化学侵蚀除去。 在表面上形成具有高于晶体硅的摩擦学特性的材料中的涂层。
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25.发明公开VERFAHREN ZUM ERZEUGEN VON OPTISCH TRANSPARENTEN BEREICHEN IN EINEM SILIZIUMSUBSTRAT 有权一种用于在硅衬底的制造光学透明区域的方法
公开(公告)号：EP1390988A2
公开(公告)日：2004-02-25
申请号：EP02727197.2
申请日：2002-03-05
Applicant: ROBERT BOSCH GMBH
Inventor： BENZEL, Hubert , WEBER, Heribert , ARTMANN, Hans , SCHAEFER, Frank
IPC: H01L31/18 , H01L31/028 , B28B1/00
CPC classification number: B81B3/0083 , B81B2203/0315 , B81C2201/0114 , B81C2201/0115 , B81C2201/0178 , C25F3/12 , C25F3/14 , H01L21/306 , H01L21/3081
Abstract: The invention relates to a simple and cost-effective method for producing optically transparent regions (5, 6) in a silicon substrate (1) with which the optically transparent regions can be realized with any thickness and can be provided above a cavity located in the silicon substrate. To this end, at least one defined region (5, 6) of the silicon substrate (1) is firstly etched whereby rendering it porous. Afterwards, the defined porous region (5, 6) of the silicon substrate (1) is oxidized.
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Patent Agency Ranking26.发明公开Forming a silicon diaphragm in a cavity by anodizing, oxidizing, and etching or by directly etching the porous silicon 失效通过阳极氧化处理，氧化，和蚀刻或通过多孔硅的直接蚀刻在空腔形成硅膜
公开(公告)号：EP0747686A1
公开(公告)日：1996-12-11
申请号：EP96401129.0
申请日：1996-05-24
Applicant: SSI TECHNOLOGIES, INC.
Inventor： Seefeldt, James D. , Mattes, Michael F.
CPC classification number: B81C1/00158 , B81B2203/0315 , B81C2201/0115 , B81C2201/0178 , G01L9/0042 , G01L9/0055 , G01P15/0802 , G01P15/123 , Y10S438/96
Abstract: Method of forming a diaphragm (11) supported in a cavity (22), comprising the steps of:
a. implant in a substrate (8) a p-type layer (50);
b. deposit an n-type epitaxial layer (18) on the substrate (8);
c. implant spaced sinkers (58) through the epitaxial layer (18) and into electrical connection with the layer (50);
d. anodize the substrate (8) to form porous silicon of the sinkers (58) and said layer (50);
e. oxidize the porous silicon to form silicon dioxide ; and
f. etch the silicon dioxide to form the cavity (22) and diaphragm (11). A direct etching of porous silicon is also proposed.Abstract translation: 形成包括以下步骤中的腔体（22）支撑的隔膜（11）的方法，包括：一个。 在衬底中注入层（8）的p型（50）; 湾 在n型外延层（18）的存款衬底（8）; 温度。 植入物隔开沉降片（58）穿过所述外延层（18）和与所述层（50）电连接; 天。 阳极氧化基片（8），以形成沉降片的多孔硅（58）和所述层（50）; 即 氧化多孔硅以形成二氧化硅; 和f。 蚀刻二氧化硅以形成空腔（22）和隔膜（11）。 因此多孔硅的直接蚀刻提议。
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27.发明授权
公开(公告)号：EP2456714B1
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：EP10751817.7
申请日：2010-07-20
Applicant: Montres Breguet SA
Inventor： KARAPATIS, Nakis
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00682 , B81B2201/035 , B81C1/00674 , B81C2201/0178 , Y10T29/49986
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公开(公告)号：EP2001062A4
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：EP07740161
申请日：2007-03-28
Applicant: KOBE STEEL LTD
Inventor： HIRANO TAKAYUKI , KAWAKAMI NOBUYUKI , KANNAKA MASATO
CPC classification number: G01F1/692 , B81B2201/0278 , B81B2203/0127 , B81C1/00666 , B81C2201/0169 , B81C2201/0178 , C23C16/402 , C23C16/56 , Y10T428/24488 , Y10T428/24612
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公开(公告)号：EP1716070A1
公开(公告)日：2006-11-02
申请号：EP04802963.1
申请日：2004-12-20
Applicant: Robert Bosch GmbH
Inventor： BAER, Hans-Peter , HOECHST, Arnim
IPC: B81B3/00
CPC classification number: B81C1/00182 , B81B2201/0292 , B81B2203/0127 , B81B2203/0315 , B81B2203/0353 , B81C2201/0178
Abstract: The invention concerns a micromechanical sensor and a method for the production thereof. According to the invention, the diaphragm can be reliably mounted regardless of process-related vibrations of the cavern etching process and the diaphragm can be provided in any shape due to the fact that a suitable binding of the diaphragm in an oxide layer produced by local oxidation is formed. The micromechanical sensor comprises: at least one substrate (1); an outer oxide layer (9) formed in a laterally outer region (4) in the substrate (1); a diaphragm (15) formed in a laterally inner diaphragm region (5) and having a number of perforations (16), and; a cavern (14) etched into the substrate (1) underneath the diaphragm (15), said diaphragm (15) being suspended in a suspending region (10) of the outer oxide layer (9), this region tapering toward the binding points (12) of the diaphragm (15), and the diaphragm (15) is, in the vertical height thereof, placed between a top side (17) and an underside (19) of the outer oxide layer (9).
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30.发明授权Verfahren zum Erzeugen von optisch transparenten Bereichen in einem Siliziumsubstrat 有权一种用于在硅衬底的制造光学透明区域的方法
公开(公告)号：EP1390988B1
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：EP02727197.2
申请日：2002-03-05
Applicant: ROBERT BOSCH GMBH
Inventor： BENZEL, Hubert , WEBER, Heribert , ARTMANN, Hans , SCHAEFER, Frank
IPC: H01L31/18 , H01L31/028 , B28B1/00
CPC classification number: B81B3/0083 , B81B2203/0315 , B81C2201/0114 , B81C2201/0115 , B81C2201/0178 , C25F3/12 , C25F3/14 , H01L21/306 , H01L21/3081
Abstract: The invention relates to a simple and cost-effective method for producing optically transparent regions (5, 6) in a silicon substrate (1) with which the optically transparent regions can be realized with any thickness and can be provided above a cavity located in the silicon substrate. To this end, at least one defined region (5, 6) of the silicon substrate (1) is firstly etched whereby rendering it porous. Afterwards, the defined porous region (5, 6) of the silicon substrate (1) is oxidized.
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