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    High Voltage High Current Regulator
    21.
    发明申请
    High Voltage High Current Regulator 有权
    高压大电流调节器

    公开(公告)号：US20120081097A1

    公开(公告)日：2012-04-05

    申请号：US13253877

    申请日：2011-10-05

    Applicant: Curtis A. Birnbach

    Inventor： Curtis A. Birnbach

    IPC: G05F3/02 ,  H01J5/02 ,  H01J7/16

    CPC classification number: H01G4/35 ,  G05F1/10 ,  H01J5/02 ,  H01J7/16 ,  H01J19/24 ,  H01J19/42 ,  H01J19/54 ,  H01J19/70 ,  H01J19/82 ,  H01J21/10 ,  H02H3/08 ,  H02H9/02 ,  H02H9/08

    Abstract: High voltage high current regulator circuit for regulating current is interposed between first and second terminals connected to an external circuit and comprises at least one main-current carrying cold-cathode field emission electron tube conducting current between the first and second terminals. First and second grid-control cold-cathode field emission electron tubes provide control signals for first and second grids of the at least one main-current carrying cold-cathode field emission electron tube for positive and negative excursions of voltage on the first and second terminals, respectively. The current regulator circuit may be accompanied by a voltage-clamping circuit that includes at least one cold-cathode field emission electron tube. At least two cold-cathode field emission electron tubes, configured to operate at high voltage and high current, are preferably contained within a single vacuum enclosure and are interconnected to provide a circuit function, so as to form a high voltage high current vacuum integrated circuit.

    Abstract translation: 用于调节电流的高压大电流调节器电路被插入在连接到外部电路的第一和第二端子之间，并且包括在第一和第二端子之间传导电流的至少一个主电流负载冷阴极场致发射电子管。 第一和第二格栅控制冷阴极场发射电子管提供用于至少一个主电流负载冷阴极场发射电子管的第一和第二栅极的控制信号，用于在第一和第二端子上的正和负偏移电压 ， 分别。 电流调节器电路可以伴随着包括至少一个冷阴极场发射电子管的电压钳位电路。 配置为在高电压和高电流下操作的至少两个冷阴极场发射电子管优选地包含在单个真空外壳内并且互连以提供电路功能，以便形成高压大电流真空集成电路 。

    Vacuum device having a getter
    22.
    发明授权
    Vacuum device having a getter 有权
    具有吸气剂的真空装置

    公开(公告)号：US07045958B2

    公开(公告)日：2006-05-16

    申请号：US10413048

    申请日：2003-04-14

    Applicant: Sriram Ramamoorthi ,  Zhizhang Chen ,  John Liebeskind ,  Ronald L. Enck ,  Jennifer Shih

    Inventor： Sriram Ramamoorthi ,  Zhizhang Chen ,  John Liebeskind ,  Ronald L. Enck ,  Jennifer Shih

    IPC: H01J17/24 ,  H01J19/70 ,  H01J61/26

    CPC classification number: H01J7/186 ,  F04B37/02 ,  H01J19/70

    Abstract: A vacuum device, including a substrate and a support structure having a support perimeter, where the support structure is disposed over the substrate. In addition, the vacuum device also includes a non-evaporable getter layer having an exposed surface area. The non-evaporable getter layer is disposed over the support structure, and extends beyond the support perimeter, in at least one direction, of the support structure forming a vacuum gap between the substrate and the non-evaporable getter layer increasing the exposed surface area.

    Abstract translation: 一种真空装置，包括基底和具有支撑周边的支撑结构，其中所述支撑结构设置在所述基底上。 此外，真空装置还包括具有暴露表面积的不可蒸发的吸气剂层。 不可蒸发的吸气剂层设置在支撑结构上方，并且在支撑结构的至少一个方向上延伸超过支撑周边，所述支撑结构在衬底和非蒸发性吸气剂层之间形成真空间隙，增加暴露的表面积。

    真空管
    24.
    发明专利
    真空管 有权

    公开(公告)号：JP2016134298A

    公开(公告)日：2016-07-25

    申请号：JP2015008345

    申请日：2015-01-20

    Applicant: ノリタケ伊勢電子株式会社 ,  株式会社ノリタケカンパニーリミテド

    Inventor： 龍田 和典 ,  前田 忠己 ,  山中 美沙

    IPC: H01J21/20 ,  H01J19/08 ,  H01J21/36 ,  H01J19/70 ,  H01J19/42

    CPC classification number: H01J21/06 ,  H01J19/32 ,  H01J19/38 ,  H01J19/70 ,  H01J21/10

    Abstract: 【課題】安価で入手しやすい蛍光表示管に近い構造であって、アナログ増幅器として動作する真空管を提供する。 【解決手段】本発明が対象とする真空管は、熱電子を放出する直線状に張られたフィラメントと、フィラメントと平行に配置されたアノードと、フィラメントとアノードの間にアノードと対向するように配置されたグリッドとを備える。そして、本発明は、フィラメントとグリッドの間隔が0.2mm以上0.6mm以下であることを第1の特徴とする。本発明は、アノードとグリッドの間隔が0.15mm以上0.35mm以下であることを第2の特徴とする。本発明は、フィラメントは、固有振動の基本周波数が3kHz以上であることを第3の特徴とする。 【選択図】図1

    Abstract translation: 要解决的问题：提供一种具有接近便宜且易于使用的荧光显示管的结构的真空管，并且用作模拟放大器。本发明的真空管包括发射热电子的丝线，并且是 线性拉伸，与灯丝平行设置的阳极，以及设置在灯丝和阳极之间的栅极，以面对阳极。 本发明具有第一特征，即灯丝与电网之间的间隔为0.2mm以上且0.6mm以下。 本发明具有第二特征，即阳极和电网之间的间隔范围为不小于0.15mm至不大于0.35mm。 本发明具有第三特征，即灯丝的自然振荡的基频等于3kHz以上。图1：

    Vacuum device having a getter
    26.
    发明申请
    Vacuum device having a getter 有权
    具有吸气剂的真空装置

    公开(公告)号：US20040201349A1

    公开(公告)日：2004-10-14

    申请号：US10413048

    申请日：2003-04-14

    Inventor： Sriram Ramamoorthi ,  Zhizhang Chen ,  John Liebeskind ,  Ronald L. Enck ,  Jennifer Shih

    IPC: H01K001/52 ,  H01J019/70

    CPC classification number: H01J7/186 ,  F04B37/02 ,  H01J19/70

    Abstract: A vacuum device, including a substrate and a support structure having a support perimeter, where the support structure is disposed over the substrate. In addition, the vacuum device also includes a non-evaporable getter layer having an exposed surface area. The non-evaporable getter layer is disposed over the support structure, and extends beyond the support perimeter, in at least one direction, of the support structure forming a vacuum gap between the substrate and the non-evaporable getter layer increasing the exposed surface area.

    Abstract translation: 一种真空装置，包括基底和具有支撑周边的支撑结构，其中所述支撑结构设置在所述基底上。 此外，真空装置还包括具有暴露表面积的不可蒸发的吸气剂层。 不可蒸发的吸气剂层设置在支撑结构上方，并且在支撑结构的至少一个方向上延伸超过支撑周边，所述支撑结构在衬底和非蒸发性吸气剂层之间形成真空间隙，增加暴露的表面积。

    Microdevice assembly having a fine grain getter layer for maintaining vacuum
    27.
    发明申请
    Microdevice assembly having a fine grain getter layer for maintaining vacuum 失效
    具有用于保持真空的细颗粒吸气剂层的微装置组件

    公开(公告)号：US20040189198A1

    公开(公告)日：2004-09-30

    申请号：US10403637

    申请日：2003-03-31

    Inventor： Joe P. Wang ,  Cheryl B. Field ,  Michael Pfeifer

    IPC: H01J019/70

    CPC classification number: B81B7/0038 ,  H01J19/70 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2924/00014

    Abstract: A microdevice assembly (20) that includes a device microstructure (22), a housing (30), and a fine grain getter layer (40). The housing (30) has a base portion (32) and a lid (34). The device microstructure (22) is attached to the base portion (32) and the lid (34) is hermetically sealed to the base portion (32). The housing (30) defines a cavity (38) surrounding the device microstructure (22). The fine grain getter layer (40) is on an interior side (42) of the lid (34) for maintaining a vacuum in the cavity (38) surrounding the device microstructure (22). The lid (34) may be made of metal or have at least a metallic surface in the region where the fine grain getter layer (40) is applied. The fine grain getter layer (40) has a sub-micron grain size. There is also a method for making the microdevice assembly (20).

    Abstract translation: 包括器件微结构（22），壳体（30）和细颗粒吸气剂层（40）的微器件组件（20）。 壳体（30）具有基部（32）和盖（34）。 装置微结构（22）附接到基部（32），并且盖（34）被气密地密封到基部（32）。 壳体（30）限定围绕器件微结构（22）的空腔（38）。 细颗粒吸气剂层（40）位于盖（34）的内侧（42）上，用于在包围装置微结构（22）的空腔（38）内保持真空。 盖（34）可以由金属制成，或者在施加微粒吸气剂层（40）的区域中至少具有金属表面。 细颗粒吸收剂层（40）具有亚微米粒度。 还有一种制造微型装置组件（20）的方法。

    Tube with bonded cathode and electrode structure and getter
    28.
    发明授权
    Tube with bonded cathode and electrode structure and getter 失效
    具有键合阴极和电极结构和吸气剂的管

    公开(公告)号：US4223243A

    公开(公告)日：1980-09-16

    申请号：US37256

    申请日：1979-05-09

    Applicant: David W. Oliver ,  Norman T. Lavoo

    Inventor： David W. Oliver ,  Norman T. Lavoo

    IPC: H01J19/42 ,  H01J19/70 ,  H01J23/02 ,  H01J1/88

    CPC classification number: H01J19/70 ,  H01J19/42 ,  H01J23/02

    Abstract: The variety of technologies that have been applied in the development of aonded grid cathode are described. These include chemical vapor deposition of tungsten, molybdenum, iridium BN, and Si.sub.3 N.sub.4 on both sides of a sintered tungsten cathode disk. Zirconium and titanium getters have been used to eliminate nitrogen evolution problems. The getter plates are also used as heat shields for the bonded heater. Films of Si.sub.3 N.sub.4 have been added to the insulation to prevent calcium and barium diffusion into the layer and maintain adequate resistivity and breakdown strength. Plasma etching was introduced as a method of removing Si.sub.3 N.sub.4 from the cathode pores.A new method, erosion lithography, is used for making the fine-detail grid structure, combining air erosion and lithographic techniques.

    Abstract translation: 描述了已经应用于开发粘合栅极阴极的各种技术。 这些包括在烧结钨阴极盘的两侧上的钨，钼，铱BN和Si 3 N 4的化学气相沉积。 已经使用锆和钛吸气剂来消除氮的进化问题。 吸气板也用作粘合加热器的隔热罩。 已经将Si3N4薄膜添加到绝缘层中，以防止钙和钡扩散到层中并保持足够的电阻率和击穿强度。 引入等离子体蚀刻作为从阴极孔除去Si 3 N 4的方法。 一种新的侵蚀光刻方法，用于制作精细细节的栅格结构，结合风蚀和光刻技术。

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