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公开(公告)号：CN106504973A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201710000666.0
申请日：2017-01-03
Applicant: 公安部第一研究所 , 北京中盾安民分析技术有限公司
CPC classification number: H01J49/06 , H01J49/02 , H01J49/107
Abstract: 本发明公开了一种基于陶瓷材料的一体化的离子迁移管，包括陶瓷管、电离室、真空紫外电离源、离子门、离子探测装置；所述陶瓷管内部的一端为电离室，所述电离室内的顶部和底部分别设有相对的上真空紫外电离源和下真空紫外电离源；所述陶瓷管内部的另一端为采集区，所述采集区内设有所述离子探测装置；所述陶瓷管内部电离室和采集区之间的部分为迁移区；所述迁移区和电离室之间设有离子门；所述电离室设有迁移气出口和载气入口；所述采集区设有迁移气入口；所述电离室、迁移区和采集区同轴设置。本发明利用陶瓷材料优秀的绝缘性能、优良的力学性能、适合的表面光洁度、良好的热导率等特点制作一体式的离子迁移管。
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公开(公告)号：CN103996597B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201410050376.3
申请日：2014-02-13
Applicant: 塞莫费雪科学(不来梅)有限公司
IPC: H01J49/06
CPC classification number: H01J49/0031 , H01J49/022 , H01J49/06 , H01J49/4215
Abstract: 公开一种质谱法中操作滤质器的方法，包括：将离子从一个离子源传输穿过一个滤质器例如，四极杆）；在该滤质器下游的一个不连续的离子光学装置中处理从该滤质器接收的离子；在一个质荷比（m/z）过滤模式下操作该滤质器多个周期，以便将在一个或多个选择的m/z范围内的离子传输至该不连续的离子光学装置；并且在其中该不连续的离子光学装置不处理来自该滤质器的离子的一个或多个周期的过程中，在一个宽质量范围模式下操作该滤质器，该宽质量范围模式传输的离子的质量范围比在该m/z过滤模式下传输的任何质量范围实质上更宽。当在该宽质量范围模式下操作时，减少了该滤质器中的污染，例如，每当该不连续的离子光学装置不接受离子时，允许大部分离子传输穿过该过滤器并且因此不撞击该滤质器的表面并且不沉积在其上。
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公开(公告)号：CN105938789A
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201610111525.1
申请日：2016-02-29
Applicant: 薛富盛
CPC classification number: H01J49/168 , H01J49/0422 , H01J49/06 , H01J49/26 , H01J49/02 , H01J49/16
Abstract: 本发明提供一种聚焦游离装置，包括一表面布满凹窝的球体，以及一位于该球体一侧且能产生电晕放电的金属针。该聚焦游离装置用以设置于一质谱仪中，使该球体位于一气态分析物的喷洒路径上，该金属针则邻近一质量分析器的进样口。当喷洒的气态分析物流经该球体时，气态分析物会被聚集至该金属针周围而被电离成为分析物离子，再进入质量分析器中进行分析。由此，本发明的聚焦游离装置能够有效提高进入质量分析器的分析物离子的量，以提升离子传输效率，使得配备有本发明的聚焦游离装置的质谱仪能够具有信号强度增加、检测误差降低与检测极限降低等优势。
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公开(公告)号：CN105869983A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201610082658.0
申请日：2016-02-05
Applicant: 布鲁克道尔顿有限公司
Inventor： 梅尔文·安德鲁·帕克 , 迈克尔·舒伯特
CPC classification number: G01N27/622 , H01J49/0031 , H01J49/004 , H01J49/06 , H01J49/061 , H01J49/02 , H01J49/04 , H01J49/0459
Abstract: 本发明涉及俘获离子迁移谱仪的操作，该俘获离子迁移谱仪通过气流对抗反作用直流电场势垒来推动离子，优选的是与作为离子检测器的质量分析器相结合。本发明提供了一种位于俘获离子迁移谱仪上游的附加射频离子阱，其中，该射频离子阱作为积聚单元而与俘获离子迁移谱仪并行工作，从而能够在离子迁移谱仪中分析第一组离子，同时在积聚单元中收集来自离子源的第二组离子。
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公开(公告)号：CN103460330B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201280005990.7
申请日：2012-01-20
Applicant: 史密斯探测-沃特福特有限公司
Inventor： J·R·阿特金森
CPC classification number: H01J49/06 , G01N27/622 , H01J49/061
Abstract: 一种检测设备，包括离子化区域、包含两个电极的离子门、包含两个电极的离子改变器、漂移腔和集电极。所述离子门和所述离子改变器被结合在一起，以使所述离子门是所述离子改变器的电极中的一者。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104204791B
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201280071666.5
申请日：2012-03-22
Applicant: 株式会社岛津制作所
Inventor： 向畑和男
CPC classification number: H01J49/06 , G01N27/62 , H01J49/062 , H01J49/10
Abstract: 调整对象的m/z越大，则相对于电压变化表示强度变化的峰的宽度越宽，因此即使扩大搜索最佳电压时的电压步宽也不会看漏最大强度。在此，将针对低m/z提供窄的电压步宽、针对高m/z提供宽的电压步宽的关系式预先存储到电压步级信息存储部(32)，在电压自动调整时，最佳电压调整控制部(31)利用该存储信息来求出与调整对象的m/z相应的最佳电压步宽，控制电源部(21)使得对第一离子导向器(8)施加的电压阶段性地变化。判断施加电压每次变化时获得的离子强度，求出提供最大强度的电压值并保存到最佳电压信息存储部(33)。由此，当对离子导向器等离子输送光学元件施加的电压自动调整时，不会看漏提供最大离子强度的最佳电压值，并且能够缩短调整所需的时间。
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公开(公告)号：CN105453215A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201380078720.3
申请日：2013-08-08
Applicant: 株式会社岛津制作所
Inventor： 上田学
IPC: H01J49/42
CPC classification number: H01J49/4215 , H01J49/005 , H01J49/06 , H01J49/24
Abstract: 本发明的三重四级杆质谱仪求出前体离子的质荷比或者产物离子的质荷比等参数与在MRM测定中赋予最大信号强度的最佳碰撞气体压力的关系而导出近似计算公式，并将该计算公式的信息存储在最佳碰撞气体压力计算信息存储部(52)中。测定时，分析人员输入目标化合物的前体离子或产物离子的质荷比。所述最佳碰撞气体压力计算部(51)根据从所述存储部(52)中读出的近似计算公式求出与所指定的前体离子或产物离子相对应的最佳碰撞气体压力，将其设定为装置的测定条件。由此，分析人员无须进行预测定即可设定针对目标化合物的最佳碰撞气体压力，所以测定的吞吐量提高。
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公开(公告)号：CN103415909B
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201180069042.5
申请日：2011-12-29
Applicant: 普度研究基金会
Inventor： 罗伯特·格雷厄姆·库克斯 , 李光涛 , 厉欣 , 欧阳证
IPC: H01J49/26
CPC classification number: H01J49/0459 , G01N33/28 , H01J49/0031 , H01J49/0431 , H01J49/06 , H01J49/42 , Y10T436/214 , Y10T436/24 , Y10T436/25875
Abstract: 本发明大体上涉及用于样品分析的系统和方法。在某些实施例中，本发明提供一种用于分析样品的系统，其包括：包括连接到高压电源的材料的探针、用于产生加热气体的装置和质量分析器。
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公开(公告)号：CN105209898A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201480028334.8
申请日：2014-03-18
Applicant: 蒙特利尔史密斯安检仪公司
Inventor： B·阿塔曼丘卡 , V·邦达连科 , V·瑟奇耶夫 , H·扎列斯基 , D·莱文 , M·品尼尔斯基 , I·库贝利克 , Q·卞 , S·费尔德贝格 , D·J·格林 , B·博索 , A·J·帕特尔
CPC classification number: G01N27/622 , H01C3/06 , H01J49/0018 , H01J49/06 , H01J49/062 , H05K1/118
Abstract: 本发明公开了一种离子检测组件，该离子检测组件包括迁移腔室、入口组件以及收集组件。所述迁移腔室由大致绝缘材料和/或半导体材料形成。图案化电阻轨迹设置在所述迁移腔室的内表面或外表面中的一者或者多者上。所述图案化电阻轨迹设置为连接至电能供应源。所述入口组件和所述收集组件与所述迁移腔室流体连通。所述入口组件包括用于接收样品的入口、用于使所述样品电离的反应区以及用于控制电离的样品进入所述迁移腔室的门。所述收集组件包括用于在电离的样品穿过所述迁移腔室后收集所述电离的样品。
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公开(公告)号：CN104916511A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201510234588.1
申请日：2015-05-08
Applicant: 清华大学深圳研究生院
IPC: H01J9/00
Abstract: 本发明公开一种BN离子门的制作方法，包括：S1、提供绝缘基板、第一和第二金属网和夹具，将绝缘基板定位在夹具上；S2、将第一金属网定位在绝缘基板上并固定在夹具上；S3、将第一金属网焊接在绝缘基板上，并去除第一金属网上多余的部分；S4、将第二金属网定位在绝缘基板上并固定在夹具上，第二金属网的金属线与第一金属网的金属线交替平行等间距排列；S5、将第二金属网焊接在绝缘基板上，并去除第二金属网上多余的部分，使第一金属网和第二金属网之间相互绝缘；S6、从夹具上取出绝缘基板，得到BN离子门。本发明的方法适用于制作任何尺寸的BN离子门，工艺简单、高效，能保证BN离子门的各金属丝共面、平行等间距且张紧状态一致，径向电场均匀、稳定。
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