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公开(公告)号：CN105324838B
公开(公告)日：2016-10-19
申请号：CN201580000889.6
申请日：2015-03-31
Applicant: 日铁住金新材料股份有限公司 , 新日铁住金高新材料株式会社
CPC classification number: H01L24/45 , B21C1/00 , B21C1/003 , B23K35/0227 , B23K35/3006 , C22C5/06 , C22C5/08 , C22F1/00 , C22F1/14 , H01L24/43 , H01L2224/4321 , H01L2224/43848 , H01L2224/45012 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2224/45664 , H01L2924/00011 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01046 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/013 , H01L2924/10253 , H01L2924/201 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109 , H01L2924/2011 , H01L2924/20111 , H01L2924/01049 , H01L2924/01045 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01016 , H01L2924/01017 , H01L2924/00015 , H01L2924/01201
Abstract: 本发明为了同时抑制倾斜不良和弹回不良，提供一种半导体装置用接合线，其特征在于，(1)在包含线中心、并与线长度方向平行的截面(线中心截面)中，不存在长径a与短径b之比a/b为10以上且面积为15μm2以上的晶粒(纤维状组织)；(2)测定线中心截面中的线长度方向的晶体取向的结果，相对于所述线长度方向角度差为15°以下的晶体取向 的存在比率以面积比率计为50％以上且90％以下；(3)测定线表面中的线长度方向的晶体取向的结果，相对于所述线长度方向角度差为15°以下的晶体取向 的存在比率以面积比率计为50％以上且90％以下。在拉丝工序中进行至少1次减面率为15.5％以上的拉丝加工，将最终热处理温度和最终热处理之前的离最终热处理最近的那次热处理的温度设为规定范围。
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公开(公告)号：CN105247668A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201580000862.7
申请日：2015-03-31
Applicant: 日铁住金新材料股份有限公司 , 新日铁住金高新材料株式会社
CPC classification number: H01L24/45 , B21C1/00 , B21C1/003 , C22C5/06 , C22C5/08 , C22F1/00 , C22F1/14 , H01L24/43 , H01L2224/4321 , H01L2224/43848 , H01L2224/43986 , H01L2224/45012 , H01L2224/45015 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2924/00011 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01046 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/10253 , H01L2924/201 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109 , H01L2924/2011 , H01L2924/20111 , H01L2924/00 , H01L2924/01201 , H01L2924/01016 , H01L2924/01017 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/12044 , H01L2924/00015 , H01L2224/45664 , H01L2924/01049 , H01L2924/01045 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005
Abstract: 本发明为了同时抑制倾斜不良和弹回不良，提供一种半导体装置用接合线，其特征在于，(1)在包含线中心、并与线长度方向平行的截面(线中心截面)中，不存在长径a与短径b之比a/b为10以上且面积为15μm2以上的晶粒(纤维状组织)；(2)测定线中心截面中的线长度方向的晶体取向的结果，相对于所述线长度方向角度差为15°以下的晶体取向＜100＞的存在比率以面积比率计为10％以上且小于50％；(3)测定线表面中的线长度方向的晶体取向的结果，相对于所述线长度方向角度差为15°以下的晶体取向＜100＞的存在比率以面积比率计为70％以上。在拉丝工序中进行至少1次减面率为15.5％以上的拉丝加工，将最终热处理温度和最终热处理之前的离最终热处理最近的那次热处理的温度设为规定范围。
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公开(公告)号：CN103928418A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410012444.7
申请日：2014-01-10
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: H01L24/45 , B32B15/01 , H01B1/02 , H01B1/023 , H01L24/48 , H01L24/85 , H01L2224/45014 , H01L2224/45015 , H01L2224/45028 , H01L2224/45138 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45155 , H01L2224/4516 , H01L2224/45164 , H01L2224/45169 , H01L2224/45171 , H01L2224/45173 , H01L2224/45176 , H01L2224/45178 , H01L2224/4518 , H01L2224/45181 , H01L2224/45184 , H01L2224/45218 , H01L2224/45223 , H01L2224/45224 , H01L2224/45238 , H01L2224/45239 , H01L2224/45244 , H01L2224/45247 , H01L2224/45255 , H01L2224/4526 , H01L2224/45264 , H01L2224/45269 , H01L2224/45271 , H01L2224/45273 , H01L2224/45276 , H01L2224/45278 , H01L2224/4528 , H01L2224/45281 , H01L2224/45284 , H01L2224/4556 , H01L2224/45565 , H01L2224/45618 , H01L2224/45623 , H01L2224/45624 , H01L2224/45638 , H01L2224/45639 , H01L2224/45644 , H01L2224/45647 , H01L2224/45655 , H01L2224/4566 , H01L2224/45664 , H01L2224/45666 , H01L2224/45669 , H01L2224/45671 , H01L2224/45673 , H01L2224/45676 , H01L2224/45678 , H01L2224/4568 , H01L2224/45681 , H01L2224/4847 , H01L2924/00011 , H01L2924/01004 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/01201 , H01L2924/01049 , H01L2924/01005 , H01L2924/01039
Abstract: 本发明涉及一种键合引线（1）包括由第一材料制成的一根或多根单丝（10-17），该一根或多根单丝嵌入到由第二材料制成的基体（20）中。该单丝（10-17）中的每一根在1013.25hPa的压力下具有第一熔融温度。该基体（20）在1013.25hPa的压力下具有第二熔融温度。该第一熔融温度比该第二熔融温度高出至少450℃。
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公开(公告)号：CN101390202B
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN200780006581.8
申请日：2007-01-22
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
IPC: H01L21/44
CPC classification number: H01L24/05 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L2224/02166 , H01L2224/04042 , H01L2224/05082 , H01L2224/05083 , H01L2224/05124 , H01L2224/05166 , H01L2224/05181 , H01L2224/05624 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48463 , H01L2224/48507 , H01L2224/48624 , H01L2224/48799 , H01L2224/85205 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01031 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01044 , H01L2924/01045 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01058 , H01L2924/01073 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01083 , H01L2924/01201 , H01L2924/01327 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/10329 , H01L2924/14 , H01L2924/19043 , H01L2924/00014 , H01L2924/01203 , H01L2224/05147 , H01L2924/00 , H01L2224/48824 , H01L2924/01202
Abstract: 用于诸如集成电路的电子器件(10)的键合焊盘(25)经由互连层(16)与下面的器件(14)实现电气连接。键合焊盘具有材料为铝和铜的第一层(24)和第一层(26)上面的，材料是铝并且完全不含铜的第二材料的第二层(26)。第二层(26)作为第一层(24)的盖，用于防止第一层(24)中的铜因残留的化学元素而被腐蚀。诸如金引线的引线(32)可以键合到键合焊盘的第二层(26)。
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公开(公告)号：CN102136469A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN201010610706.1
申请日：2010-11-19
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: H01L24/40 , H01L23/24 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/37 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L25/072 , H01L2224/04026 , H01L2224/05647 , H01L2224/2908 , H01L2224/2919 , H01L2224/29339 , H01L2224/32225 , H01L2224/371 , H01L2224/37147 , H01L2224/40095 , H01L2224/40225 , H01L2224/45014 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/4846 , H01L2224/48472 , H01L2224/49111 , H01L2224/73265 , H01L2224/83205 , H01L2224/8382 , H01L2224/83825 , H01L2224/8384 , H01L2224/8385 , H01L2224/84205 , H01L2224/84801 , H01L2224/8484 , H01L2224/8485 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01068 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/0781 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13062 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/19107 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2924/01201 , H01L2924/01202 , H01L2924/01203
Abstract: 本发明涉及功率半导体模块以及操作功率半导体模块的方法。本发明涉及功率半导体模块(100)，其包括被设置在绝缘载体(20)的金属化层(22)上的功率半导体芯片(8)。在连接位置(8c)处，连接导体(85)被接合至功率半导体芯片(8)的背离电路载体(2)的那一面。封装化合物(5)从电路载体(2)延伸至至少在功率半导体芯片(8)的背离电路载体(2)的那一面上，并完全覆盖所述面。此外，封装化合物至少在连接位置(8c)的区域中包围连接导体(85)。封装化合物依照DIN ISO 2137在25℃温度下具有小于或等于30的穿透率。在功率半导体模块工作期间，功率半导体芯片(8)以至少20秒的持续时间工作在不低于150℃的结温度下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1085739C
公开(公告)日：2002-05-29
申请号：CN98122942.5
申请日：1998-11-27
Applicant: W·C·贺利氏股份有限两合公司
IPC: C22C5/02
CPC classification number: C22C5/02 , H01L24/43 , H01L24/45 , H01L2224/05624 , H01L2224/43 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/48624 , H01L2924/00011 , H01L2924/01005 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01018 , H01L2924/0102 , H01L2924/01021 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01031 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/01039 , H01L2924/0104 , H01L2924/01041 , H01L2924/01044 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01056 , H01L2924/01057 , H01L2924/01058 , H01L2924/01059 , H01L2924/0106 , H01L2924/01063 , H01L2924/01066 , H01L2924/01068 , H01L2924/01074 , H01L2924/01076 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01105 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/19043 , H01L2924/20753 , H01L2924/01201 , H01L2924/01202 , H01L2924/01203 , H01L2924/01004 , H01L2924/013 , H01L2924/00013 , H01L2924/01061 , H01L2924/01062 , H01L2924/01064 , H01L2924/01065 , H01L2924/01067 , H01L2924/01069 , H01L2924/0107 , H01L2924/01071 , H01L2924/00 , H01L2924/01006
Abstract: 本发明涉及一种金合金细丝，该合金含有0.5-0.9%(重量)铜和少量铂或至少一种碱土金属和稀土金属族的元素，该细丝显示出与金相近的比电阻和良好的强度/拉伸比。因而适宜作连接丝以及制造倒装晶片中的接触凸点。
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公开(公告)号：CN1326516A
公开(公告)日：2001-12-12
申请号：CN99813254.3
申请日：1999-09-14
Applicant: 库利克及索发投资有限公司
Inventor： T·W·艾利斯
CPC classification number: H01L24/43 , C22C5/02 , C22C9/00 , H01L24/45 , H01L2224/43 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01037 , H01L2924/0104 , H01L2924/01041 , H01L2924/01042 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/01052 , H01L2924/01055 , H01L2924/01057 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/01075 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/30107 , Y10T428/1216 , Y10T428/12222 , H01L2924/00015 , H01L2224/48 , H01L2924/00 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/20753 , H01L2924/20754 , H01L2924/01201 , H01L2924/01204 , H01L2924/013 , H01L2924/00013
Abstract: 一种金属合金复合材料包括一基质形态的高电导基底金属相和一处于该基质内的另一金属相,所述基底金属以主要量存在,另一金属以次要量存在,该合金复合材料可被成形为非常细的金属丝,用于半导体场合,包括终端组件,所述组件包括一个与传导部件传导接触的导电终端和另一个与半导体传导接触的导电终端,所述终端均通过所述合金复合材料金属丝连接,基底金属的实例有金、铜和铝。
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公开(公告)号：CN1235376A
公开(公告)日：1999-11-17
申请号：CN99106482.8
申请日：1999-05-13
Applicant: W·C·贺利氏股份有限两合公司
CPC classification number: H01L24/45 , H01L24/43 , H01L2224/4321 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01018 , H01L2924/01021 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01038 , H01L2924/01039 , H01L2924/0104 , H01L2924/01041 , H01L2924/01042 , H01L2924/01044 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01056 , H01L2924/01057 , H01L2924/01058 , H01L2924/01059 , H01L2924/0106 , H01L2924/01063 , H01L2924/01068 , H01L2924/01076 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01083 , H01L2924/01105 , H01L2924/01202 , H01L2924/01203 , H01L2924/01204 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/19043 , H01L2924/20752 , H01L2924/20753 , H01L2924/30107 , Y10T428/12431 , H01L2924/01046 , H01L2924/01201 , H01L2924/01004 , H01L2924/0102 , H01L2924/01026 , H01L2924/01013 , H01L2924/01033 , H01L2924/01061 , H01L2924/01062 , H01L2924/01064 , H01L2924/01065 , H01L2924/01066 , H01L2924/01067 , H01L2924/01069 , H01L2924/0107 , H01L2924/01071 , H01L2924/013 , H01L2924/00 , H01L2224/48 , H01L2924/00013
Abstract: 本发明涉及由金及0.6—2重量%的镍制成的合金或用金及0.1—2重量%的镍、0.0001—0.1重量%的碱土金属和/或稀土金属、以及有时还加入0.1—1.0重量%的铂和/或钯制成的细导线,其特征是具有优良的导电性能及良好的强度/伸长率关系。它们适宜作连接导线,还可在倒装技术(Flip-Chips)中用于制成接触凸缘。
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公开(公告)号：CN106486450B
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201610730700.5
申请日：2016-08-26
Applicant: 田中电子工业株式会社
IPC: H01L23/49
CPC classification number: B23K35/0227 , B21C1/02 , B23K35/302 , B32B15/018 , C22C5/02 , C22C5/04 , C22C9/00 , C22C9/06 , C22F1/08 , C22F1/14 , C23C14/165 , C23C14/35 , C23C26/00 , C25D3/50 , H01L2224/05624 , H01L2224/45 , H01L2224/45015 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2224/45664 , H01L2924/00011 , H01L2924/10253 , H01L2924/01201 , H01L2924/00012 , H01L2924/01016 , H01L2924/01005 , H01L2924/01015 , H01L2924/01006 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/01004 , H01L2924/013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01029 , H01L2924/01028 , H01L2924/01078 , H01L2924/01203 , H01L2924/01206
Abstract: 本发明提供了一种球焊用钯(Pd)被覆铜线，其用以解决“CuAl的金属间化合物在初期形成于量产的接合线的FAB所形成的熔融焊球与铝垫的接合界面”这样的课题，并且可使钯(Pd)微粒子均匀分散于熔融焊球的表面，而适用于量产化。本发明的球焊用钯(Pd)被覆铜线，其为线径在10～25μm的球焊用钯(Pd)被覆铜线，于纯铜(Cu)或铜(Cu)纯度为98质量％以上的铜合金所构成的芯材上形成有钯(Pd)延伸层，其中该钯(Pd)延伸层为含有硫(S)、磷(P)、硼(B)或碳(C)的钯(Pd)层。
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公开(公告)号：CN104603921B
公开(公告)日：2018-07-24
申请号：CN201280075614.5
申请日：2012-09-04
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/05 , H01L23/498 , H01L24/01 , H01L24/03 , H01L24/08 , H01L24/11 , H01L24/16 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L2224/034 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05083 , H01L2224/05124 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/0603 , H01L2224/16113 , H01L2224/16245 , H01L2224/29101 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73251 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/01042 , H01L2924/01047 , H01L2924/01079 , H01L2924/07025 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/2064 , H01L2924/20641 , H01L2924/20642 , H01L2924/20643 , H01L2924/20644 , H01L2924/20645 , H01L2924/20646 , H01L2924/20647 , H01L2924/20648 , H01L2924/20649 , H01L2924/2065 , H01L2924/351 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2924/014 , H01L2924/00012 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2924/01201 , H01L2924/01014
Abstract: 本申请的发明所涉及的半导体装置，其特征在于，具有：半导体元件；表面电极，其形成在该半导体元件的表面；金属膜，其形成在该表面电极上，具有接合部、以及以与该接合部接触并且包围该接合部的方式形成的应力缓和部；焊料，其避开该应力缓和部而与该接合部接合；以及外部电极，其经由该焊料而与该接合部接合。
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