-
公开(公告)号：CN1264259C
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：CN03800137.3
申请日：2003-02-20
Applicant: 索尼公司
CPC classification number: B82Y20/00 , G11B7/127 , G11B7/1275 , H01S5/026 , H01S5/22 , H01S5/2201 , H01S5/34313 , H01S5/34326 , H01S5/4056 , H01S5/4087
Abstract: AlGaInP激光装置(24)和AlGaAs激光装置(26)布置成使相应的带(28，30)相互平行。在当从激光主发射侧(011)(22c)观察时，AlGaInP激光装置(24)布置在相对于基板的中心线的(011)平面(22b)侧而AlGaAs激光装置26布置在相对于基板中心线的(011)平面(22a)侧。基板22是一倾斜基板并相对(100)面由(011)面(22a)侧以在2度到15度范围内的一确定角度，向(011)平面(22b)侧倾斜。AlGaInP激光装置(24)的光轴L1平行于AlGaAs激光装置(26)的光轴L2或以大约0.5度靠近。
-
公开(公告)号：CN1799171A
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN200480015121.8
申请日：2004-05-27
Applicant: 夏普株式会社 , 住友电气工业株式会社
IPC: H01S5/343 , H01L21/205
CPC classification number: B82Y20/00 , H01L21/0237 , H01L21/0254 , H01L21/02636 , H01S5/2201 , H01S5/34333 , H01S2304/12
Abstract: 本发明公开了一种氮化物半导体发光器件，其中，衬底或氮化物半导体层具有缺陷集中区域和低缺陷区域，低缺陷区域对应于除缺陷集中区域外的区域。包括衬底或氮化物半导体层的缺陷集中区域的部分具有比低缺陷区域要深的沟槽区域。于是，通过在缺陷集中区域中挖掘出沟槽，可以使生长方向均匀和表面平整度提高。晶片表面内的特性的均匀性导致产率的提高。
-
公开(公告)号：CN1447485A
公开(公告)日：2003-10-08
申请号：CN03108827.9
申请日：2003-03-26
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01S5/32341 , B82Y20/00 , H01L21/28575 , H01L29/2003 , H01L29/66462 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/14 , H01L33/32 , H01L33/40 , H01S5/0425 , H01S5/2201 , H01S5/305 , H01S5/34333 , H01S2304/04
Abstract: 本发明提供一种氮化物系半导体元件的制造方法，它可降低氮化物系半导体基板等的氮面与电极之间的接触电阻。该方法具有浸蚀由纤锌矿结构的n型氮化物系半导体层和氮化物系半导体基板中的任一个构成的第1半导体层的背面的工序和在该浸蚀过的第1半导体层背面上形成n侧电极的工序。
-
公开(公告)号：CN104868360B
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201410708671.3
申请日：2014-11-28
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/34
CPC classification number: H01S5/34313 , G02B6/122 , H01S5/026 , H01S5/0265 , H01S5/0421 , H01S5/1007 , H01S5/101 , H01S5/1014 , H01S5/1028 , H01S5/2086 , H01S5/2201 , H01S5/2222 , H01S5/2275 , H01S5/3202 , H01S5/34306
Abstract: 提供一种半导体装置的制造方法，其能够一边抑制活性层的露出以及上部半导体层的蚀刻量，一边将化合物半导体层的凸部去除，而不会产生问题，该半导体装置的制造方法具有：激光部形成工序，该工序在衬底的一部分处形成激光部，该激光部具有活性层、在该成活性层上形成的上部半导体层、以及在该上部半导体层上形成的掩模；半导体层形成工序，该工序由含有In的材料形成化合物半导体层，该化合物半导体层与该激光部的侧面接触，在与该激光部接触的部分处具有凸部；以及湿蚀刻工序，该工序通过包含氢溴酸和醋酸在内的蚀刻剂，将该凸部去除，并将该化合物半导体层平坦化。而且，通过该湿蚀刻工序，在该掩模下的该上部半导体层形成(111)A面。
-
公开(公告)号：CN104868360A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201410708671.3
申请日：2014-11-28
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/34
CPC classification number: H01S5/34313 , G02B6/122 , H01S5/026 , H01S5/0265 , H01S5/0421 , H01S5/1007 , H01S5/101 , H01S5/1014 , H01S5/1028 , H01S5/2086 , H01S5/2201 , H01S5/2222 , H01S5/2275 , H01S5/3202 , H01S5/34306
Abstract: 提供一种半导体装置的制造方法，其能够一边抑制活性层的露出以及上部半导体层的蚀刻量，一边将化合物半导体层的凸部去除，而不会产生问题，该半导体装置的制造方法具有：激光部形成工序，该工序在衬底的一部分处形成激光部，该激光部具有活性层、在该成活性层上形成的上部半导体层、以及在该上部半导体层上形成的掩模；半导体层形成工序，该工序由含有In的材料形成化合物半导体层，该化合物半导体层与该激光部的侧面接触，在与该激光部接触的部分处具有凸部；以及湿蚀刻工序，该工序通过包含氢溴酸和醋酸在内的蚀刻剂，将该凸部去除，并将该化合物半导体层平坦化。而且，通过该湿蚀刻工序，在该掩模下的该上部半导体层形成(111)A面。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104737394A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201380053924.1
申请日：2013-07-24
Applicant: 住友电气工业株式会社
Inventor： 高木慎平
IPC: H01S5/343 , G01B11/26 , H01L21/301 , H01S5/02
CPC classification number: H01S5/34333 , G01N21/958 , H01S5/0014 , H01S5/0202 , H01S5/0206 , H01S5/028 , H01S5/0425 , H01S5/2201 , H01S5/3202 , H01S5/32341
Abstract: 在III族氮化物的c轴向m轴的方向倾斜的基板的半极性面上具有能够减少反馈光的扰乱的激光谐振器的III族氮化物半导体激光器中，在角度ALPHA为71度以上且79度以下的范围时，角度α1为10度以上且25度以下的范围，角度β1为0度以上且5度以下的范围。在与外延面靠近的第一面附近的第一端面中，在m-n面内，第一法线矢量ENV1与c+轴矢量VC+所成的角度具有接近角度α1的值(例如10度以上且25度以下的范围)。在基板背面附近的第一端面中，在m-n面内，第二法线矢量ENV2与c+轴矢量VC+所成的角度具有接近角度β1的值(例如0度以上且5度以下的范围)。
-
公开(公告)号：CN101615764B
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN200910139684.2
申请日：2005-06-08
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 神川刚
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/0201 , H01S5/0206 , H01S5/0207 , H01S5/0224 , H01S5/02272 , H01S5/2201 , H01S5/2214 , H01S5/2231 , H01S5/34333 , H01S2301/173 , H01S2304/04 , H01S2304/12
Abstract: 本发明提供了一种半导体元件及其制造方法。该半导体器件包括：已处理衬底，具有作为其至少一部分表面的氮化物半导体层，所述已处理衬底具有在其上形成的包括至少一个凹陷部分的刻槽区域和作为非刻槽区域的脊部分；以及氮化物半导体分层结构部分，包括至少一种类型的氮化物半导体薄膜，且设置在所述刻槽区域中和在所述脊部分的表面上。所述已处理衬底具有多个具有变化面积的非刻槽区域。设置在非刻槽区域上的氮化物分层结构的、从所述脊部分的表面到所述氮化物半导体分层结构部分的表面测量的厚度，根据所述脊部分的表面的面积而变化。
-
公开(公告)号：CN102934302A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201080067314.3
申请日：2010-12-27
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01S5/343
CPC classification number: H01S5/1085 , B82Y20/00 , H01L33/0045 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01S5/0202 , H01S5/0208 , H01S5/2201 , H01S5/3202 , H01S5/3404 , H01S5/34333
Abstract: 提供一种可提高谐振镜的平坦性且可降低阈值电流的III族氮化物半导体激光器元件的制作方法。将基板产物(SP)的刻划槽(65a)的方向对准支撑装置(71)的边缘(71b)的延伸方向，以支撑装置(71)的边缘(71b)为基准将基板产物(SP)定位。基板产物(SP)以沿边缘(71b)延伸的基准线(X坐标A1)为界分为第1区域(70a)及第2区域(70b)。利用支撑面(70a)支撑基板产物(SP)的第1区域(70a)并按压第2区域(70b)而进行基板产物(SP)的分离，形成另一基板产物(SP1)及激光条(LB1)。将致断装置(69)的边缘(69a)的方向对准边缘(71b)的延伸方向，自与第2面(63b)交叉的方向将致断装置(69)的边缘(69a)抵压到基板产物(SP)。
-
公开(公告)号：CN101728762B
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN200910204064.2
申请日：2009-10-12
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 高平宜幸
CPC classification number: H01S5/22 , B82Y20/00 , H01L24/32 , H01S5/0021 , H01S5/0224 , H01S5/02272 , H01S5/028 , H01S5/0425 , H01S5/2009 , H01S5/2201 , H01S5/2214 , H01S5/3063 , H01S5/34333
Abstract: 本发明提供一种能够解决在固定构件上安装氮化物半导体激光元件的结构中的成品率下降问题的半导体激光装置及其制造方法。该氮化物半导体激光装置具备：子固定件(2)；和利用焊锡(4)被安装在子固定件(2)的表面且氮化物半导体从侧面露出的氮化物半导体激光元件(1)。焊锡(4)位于子固定件(2)与氮化物半导体激光元件(1)之间，且具有比氮化物半导体激光元件(1)的横宽(W4)窄的宽度(W3)。
-
公开(公告)号：CN101505036B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN200910001675.7
申请日：2009-01-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/4031 , B82Y20/00 , H01S5/162 , H01S5/2004 , H01S5/2201 , H01S5/2231 , H01S5/3202 , H01S5/34313 , H01S5/34326 , H01S5/4087 , H01S2301/185
Abstract: 稳定实现CW光输出200mW以上的集成型双波长半导体激光器。双波长半导体激光器装置具备：第1半导体激光器元件，具备第1导电型的第1包覆层、由AlGaAs混晶构成的第1引导层、具有由AlGaAs混晶构成的势垒层的第1量子阱活性层、由AlGaAs混晶构成的第2引导层、和第2导电型的第2包覆层；和第2半导体激光器元件，具备第1导电型的第3包覆层、由AlGaInP混晶构成的第3引导层、具有由AlGaInP混晶构成的势垒层的第2量子阱活性层、由AlGaInP混晶构成的第4引导层、和第2导电型的第4包覆层。至少构成第1量子阱活性层的势垒层、第1引导层及第2引导层各自的Al组成大于0.47且0.60以下。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
1350
records
(took 0.041 seconds)
