公开(公告)号：CN103548156A

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN201280010124.7

申请日：2012-02-25

Applicant: 传感器电子技术股份有限公司

Inventor： M·舒尔 ,  R·格斯卡

IPC: H01L33/04 ,  H01L33/06

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12 ,  H01S5/0224 ,  H01S5/0422 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/32341

Abstract: 提供一种改进的发光异质结构。该异质结构包括有源区，该有源区具有一组势垒层和一组量子阱，每个量子阱与势垒层邻接。量子阱具有位于其中的δ掺杂的p型子层，其导致量子阱的带结构的改变。该改变可以减小量子阱中的极化效应，这可以提供来自有源区的改进的光发射。

公开(公告)号：CN102569550A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201110403030.3

申请日：2011-12-07

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 柏木淳一 ,  冈本国美 ,  田中岳利 ,  久保田将司

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/02 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/02 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01S5/0202 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0287 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/22 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/305 ,  H01S5/3063 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/34333 ,  H01S2301/176

Abstract: 本发明提供一种半导体激光元件，包括由III族氮化物半导体构成的半导体层叠构造。半导体层叠构造包括：包含In的发光层；配置于该发光层的一侧的p型引导层；配置于上述发光层的另一侧的n型引导层；配置于上述p型引导层的与上述发光层相反一侧的p型包层；和配置于上述n型引导层的与上述发光层相反一侧的n型包层。半导体层叠构造包括：与c轴在上述晶体生长面上的投影矢量平行地形成的直线状的波导；和由与上述投影矢量垂直的解理面构成的一对激光谐振面。半导体层叠构造也可以由将半极性面作为晶体生长面的III族氮化物半导体构成。

公开(公告)号：CN102484047A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201080037288.X

申请日：2010-08-23

Applicant: 加利福尼亚大学董事会

Inventor： 太田裕朗 ,  武凤 ,  阿努拉格·蒂雅吉 ,  阿尔潘·查克拉伯蒂 ,  詹姆斯·S·斯佩克 ,  斯蒂芬·P·登巴尔斯 ,  中村修二 ,  埃林·C·永

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/0254 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/34333 ,  H01S2301/173

Abstract: 本发明涉及一种通过在空间上限制异质界面周围的错配位错制作的具有驰豫晶格常数的无位错高质量模板。此可用作高In成份装置的模板层。具体来说，本发明制备高质量InGaN模板(In成份约为5％到10％)，且可在这些模板上生长In成份比原本将可能的情况高得多的InGaN量子阱QW(或多量子阱MQW)。

公开(公告)号：CN101316026B

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN200810099971.0

申请日：2008-05-29

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 山下文雄 ,  伊藤茂稔 ,  山本秀一郎 ,  川上俊之

IPC: H01S5/30 ,  H01S5/22 ,  H01S5/10 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01S5/22 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0201 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/34333

Abstract: 在一种具有抑制氮化物半导体层上的台阶生成的结构的氮化物半导体激光器芯片中，衬底以(1-100)面为主表面，谐振器端面垂直于主表面，而且，在形成谐振器端面的解理表面中，至少在条带形波导的一边，形成刻入部分，作为朝向氮化物半导体层的表面开口的刻入区域。

公开(公告)号：CN101689749B

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN200880017940.4

申请日：2008-05-28

Applicant: 康宁股份有限公司

Inventor： R·巴特 ,  J·内皮尔拉 ,  D·兹佐夫 ,  C-E·扎

IPC: H01S5/323 ,  H01S5/343 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/183 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3216 ,  H01S2301/173

Abstract: 提出了一种Ga(In)N基激光器结构及其相关制造方法，其中Ga(In)N基半导体激光器以避免半导体结构中不适当的拉伸应力所需要的方式形成在AlN或GaN衬底(20)上。根据本发明的一个实施例，Ga(In)N基半导体激光器提供在具有AlGaN晶格调整层(30)的AlN或GaN衬底上，其中激光器的衬底(20)、晶格调整层(30)、下覆区(60)、有源波导区(40)、上覆区(50)以及N和P型接触区(70，60)在半导体激光器中形成一结构连续。公开并要求保护了另外的实施例。

公开(公告)号：CN100435436C

公开(公告)日：2008-11-19

申请号：CN200510056521.X

申请日：2000-10-08

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中村真嗣 ,  石田昌宏 ,  折田贤儿 ,  今藤修 ,  油利正昭

IPC: H01S5/00 ,  H01L21/00

CPC classification number: C30B25/183 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/025 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3203 ,  H01S5/32341

Abstract: 一种半导体基板的制造方法，其特征在于包括准备晶体生长用基板的工序、在上述晶体生长用基板上沉积具有六方晶的结晶构造的第1半导体层的工序、通过对上述第1半导体层的一部分进行蚀刻使面方位为(1，-1，0，n)，这里n为整数，的面或与此等价的面外露的工序、在上述外露工序后在上述第1半导体层的表面上沉积具有六方晶的结晶构造的第2半导体层的工序。

公开(公告)号：CN1525612A

公开(公告)日：2004-09-01

申请号：CN200410003721.4

申请日：1996-11-06

Applicant: 日亚化学工业株式会社

Inventor： 中村修二 ,  长滨慎一 ,  岩佐成人

IPC: H01S5/343 ,  H01L33/00 ,  H01L31/00

CPC classification number: H01S5/343 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/02 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01L33/325 ,  H01S5/2004 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2202 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3206 ,  H01S5/321 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/3404 ,  H01S5/3412 ,  H01S5/3413 ,  H01S5/34333

Abstract: 一种具有氮化物半导体层结构的氮化物半导体器件。该层结构包括含铟氮化物半导体构成的量子阱结构的有源层(16)。提供具有比有源层(16)大的带隙能量的第一氮化物半导体层(101)，使之与有源层(16)接触。在第一层(101)之上提供具有比第一层(101)小的带隙能量的第二氮化物半导体层(102)。另外，在第二层(102)之上提供具有比第二层(102)大的带隙能量的第三氮化物半导体层(103)。

公开(公告)号：CN1465123A

公开(公告)日：2003-12-31

申请号：CN02802449.4

申请日：2002-06-04

Applicant: 索尼公司

Inventor： 冨谷茂隆 ,  日野智公

IPC: H01S5/343

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/1082 ,  H01S5/3072 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/321 ,  H01S5/3213 ,  H01S5/3409 ,  H01S5/34333 ,  H01S2301/173 ,  H01S2304/12 ,  Y10S438/962

Abstract: 一种氮化物半导体激光器，具有平坦劈开端面，并且可以抑制操作期间所产生的激光器端面的破坏，从而延长使用寿命，并且包括在活性层与覆盖层之间提供的压力集中抑制层。

公开(公告)号：CN1285034A

公开(公告)日：2001-02-21

申请号：CN98813831.X

申请日：1998-12-28

Applicant: 核心科技公司

Inventor： P·塔耶巴蒂 ,  M·阿兹米 ,  王培栋 ,  D·瓦克肖里

IPC: G01B9/02 ,  G02B26/00 ,  H01S5/32 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01S5/18388 ,  G01J3/26 ,  G02B6/4203 ,  G02B26/001 ,  G02B26/0816 ,  G02B2006/12104 ,  G02B2006/12121 ,  H01S5/02284 ,  H01S5/0614 ,  H01S5/18366 ,  H01S5/3201

Abstract: 提供了一种方法可以精确地控制横向和纵向尺寸来制作微机电调谐垂直腔面发射激光器和微机电调谐法布里－珀罗滤光器。应变的反射介质膜堆用于多量子阱结构以对量子阱进行电子学的能带加工。也利用反射介质膜层中的适当应变而在一个反射介质膜堆中产生适当的弯曲,从而在垂直腔面发射激光器或滤光器的平面反射介质膜堆和曲面反射介质膜堆间形成共焦腔。也提供了微机电调谐垂直腔面发射激光器和滤光器结构,它包含一悬膜结构,这是由介质/金属膜或金属薄膜制成的,在其周围被金属支柱固定时,悬膜结构支持着腔调谐反射介质膜堆。空腔的精确长度和横向尺寸是使用微机械的聚酰亚胺或铝盘作牺牲层的微模铸法来实现的。而且,控制静电场使腔调谐反射介质膜堆平移来实现调谐。

公开(公告)号：CN1141524A

公开(公告)日：1997-01-29

申请号：CN96105880.3

申请日：1996-05-10

Applicant: 摩托罗拉公司

Inventor： 贾玛·兰达尼 ,  迈克尔斯·S·蕾比 ,  彼椎·格罗津斯

IPC: H01S3/19 ,  H01S3/085

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/0211 ,  H01S5/0212 ,  H01S5/183 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/32333 ,  H01S5/34326

Abstract: 提供了一种短波长垂直腔表面发射激光器(101)。衬底(102)具有一个表面(103)，衬底(102)是由镓砷磷构成的。形成了一个覆盖在衬底(102)的第一表面(103)上的第一反射堆(106)。第一覆盖区(107)是通过覆盖在第一反射堆(106)上形成的。激发区(108)是覆盖在第一覆盖区(107)上形成的。第二覆盖区(109)是覆盖在激发区(108)上形成的。第二反射堆(110)是覆盖在第二覆盖区(109)上形成的。接触层(126)是覆盖在第二反射堆(110)上形成的。