公开(公告)号：CN105765800B

公开(公告)日：2019-07-09

申请号：CN201480062289.8

申请日：2014-11-10

Applicant: 索尼公司

Inventor： 田才邦彦 ,  仲山英次 ,  中山雄介 ,  冨谷茂隆

IPC: H01S5/10 ,  H01S5/32 ,  H01S5/343 ,  H01S5/02

Abstract: 提供了一种发光元件，所述发光元件包括层合结构，所述层合结构包括具有第一导电类型的第一化合物半导体层、具有不同于所述第一导电类型的第二导电类型的第二化合物半导体层、形成在所述第一化合物半导体层和所述第二化合物半导体层之间并且包括有源层的第三化合物半导体层。所述第二化合物半导体层的第二端面和所述第三化合物半导体层的第三端面相对于所述层合结构的虚拟垂直方向形成为相应的第二角度θ2和第三角度θ3并且满足以下关系：“θ3的绝对值等于或大于0度且小于θ2的绝对值”。

公开(公告)号：CN102714393A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201180005910.3

申请日：2011-11-11

Applicant: 索尼公司

Inventor： 丹下贵志 ,  冨谷茂隆

IPC: H01S5/028 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01S5/0282 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0021 ,  H01S5/028 ,  H01S5/22 ,  H01S5/343

Abstract: 本发明涉及半导体激光器件和半导体激光器件制造方法。所述半导体激光器件能够可靠地抑制由于界面氧化和畸变出现而导致的端面劣化。所述半导体激光器件设置有具有相互面对的谐振器端面（108、109）的激光结构部（107），还设置有形成于所述相互面对的谐振器端面中的至少一者上的保护膜（110、120）。所述保护膜（110、120）是由具有多段结构的氮化物电介质膜形成的，所述多段结构的晶体结构从与所述谐振器端面相接触的那一侧起包含非晶层（111、121）和多晶层（112、122）。

公开(公告)号：CN1465123A

公开(公告)日：2003-12-31

申请号：CN02802449.4

申请日：2002-06-04

Applicant: 索尼公司

Inventor： 冨谷茂隆 ,  日野智公

IPC: H01S5/343

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/1082 ,  H01S5/3072 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/321 ,  H01S5/3213 ,  H01S5/3409 ,  H01S5/34333 ,  H01S2301/173 ,  H01S2304/12 ,  Y10S438/962

Abstract: 一种氮化物半导体激光器，具有平坦劈开端面，并且可以抑制操作期间所产生的激光器端面的破坏，从而延长使用寿命，并且包括在活性层与覆盖层之间提供的压力集中抑制层。

公开(公告)号：CN107534194A

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201680025591.5

申请日：2016-05-09

Applicant: 索尼公司

Inventor： 田中雅洋 ,  清水良史 ,  堀内优努 ,  冨谷茂隆

IPC: H01M10/48 ,  H01M10/44 ,  H02J7/00 ,  H01M10/42

Abstract: 提供了一种允许在不降低容积能量密度的情况下改善循环特性的技术。本技术提供了用于二次电池的评估方法，包括至少进行：确定步骤，确定进行电传导的离子的扩散缺陷程度；评估步骤，基于来自确定步骤的确定结果，评估二次电池的状态；以及控制步骤，在二次电池的充电期间或放电期间，基于来自评估步骤的评估结果，控制对二次电池的电流的施加和电压的施加的状态。

公开(公告)号：CN1203598C

公开(公告)日：2005-05-25

申请号：CN02802449.4

申请日：2002-06-04

Applicant: 索尼公司

Inventor： 冨谷茂隆 ,  日野智公

IPC: H01S5/343

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/1082 ,  H01S5/3072 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/321 ,  H01S5/3213 ,  H01S5/3409 ,  H01S5/34333 ,  H01S2301/173 ,  H01S2304/12 ,  Y10S438/962

Abstract: 一种氮化物半导体激光器，具有平坦劈开端面，并且可以抑制操作期间所产生的激光器端面的破坏，从而延长使用寿命，并且包括在活性层与覆盖层之间提供的压力集中抑制层。

公开(公告)号：CN105765800A

公开(公告)日：2016-07-13

申请号：CN201480062289.8

申请日：2014-11-10

Applicant: 索尼公司

Inventor： 田才邦彦 ,  仲山英次 ,  中山雄介 ,  冨谷茂隆

IPC: H01S5/10 ,  H01S5/32 ,  H01S5/343 ,  H01S5/02

Abstract: 提供了一种发光元件，所述发光元件包括层合结构，所述层合结构包括具有第一导电类型的第一化合物半导体层、具有不同于所述第一导电类型的第二导电类型的第二化合物半导体层、形成在所述第一化合物半导体层和所述第二化合物半导体层之间并且包括有源层的第三化合物半导体层。所述第二化合物半导体层的第二端面和所述第三化合物半导体层的第三端面相对于所述层合结构的虚拟垂直方向形成为相应的第二角度θ2和第三角度θ3并且满足以下关系：“θ3的绝对值等于或大于0度且小于θ2的绝对值”。