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公开(公告)号：CN114303223A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202080059386.7
申请日：2020-09-04
Applicant: 日商光电魂股份有限公司
Inventor： 饭岛北斗
Abstract: 本发明要解决的问题在于提供可确认从光电阴极射出的电子束是否从设计射出中心轴偏移的电子枪。通过本发明的电子枪可解决上述问题，该电子枪包含：光源；光电阴极，依据来自光源的受光而射出电子束；以及阳极；该电子枪包含：中间电极，配置于光电阴极与阳极之间；电子束遮蔽部件，可遮蔽电子束的一部分；测量部，测量经由电子束遮蔽部件遮蔽的电子束的强度；以及电子束射出方向偏向装置，配置于阳极与电子束遮蔽部件之间，且使通过阳极的电子束到达电子束遮蔽部件时的位置变化；中间电极具有供从光电阴极射出的电子束通过的电子束通过孔；在电子束通过孔中形成在借助于电压的施加而在光电阴极与阳极之间形成有电场时可忽略电场的影响的漂移空间。
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公开(公告)号：CN113745075A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202010477613.X
申请日：2020-05-29
Applicant: 北京大学
Abstract: 本申请公开了一种片上微型电子源及其制造方法、电子源系统、电子设备，其中片上微型电子源可以包括衬底，衬底上形成有驱动电极对，驱动电极对存在间隙，间隙中形成有导体盘和电子隧穿结，电子隧穿结由阻变材料层发生软击穿形成，导体盘与电子隧穿结中的导电区域接触，驱动电极对用于驱动电子隧穿结发出电子束。这样，在电子隧穿结中的导电区域的导体盘，可以在对阻变材料层进行软击穿形成电子隧穿结时表面出现等电势，因此在一定程度上缩短了需要击穿的阻变材料层的宽度，相比于未形成有导体盘的器件而言，需要更小的驱动的电压，且降低了对驱动电极对的间隙的工艺要求。
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公开(公告)号：CN113643956A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202110920468.2
申请日：2021-08-11
Applicant: 长春电子科技学院
Abstract: 本发明公开了一种光电子倍增器，包括安装座和倍增器本体，所述倍增器设置于安装座的左侧，所述倍增器本体右侧的四周均栓接有限位柱，所述限位柱的右侧贯穿至安装座的内腔，所述安装座的内腔设置有快速安装机构，所述限位柱的右侧与快速安装机构相向的一侧卡接，所述安装座的顶部和底部均开设有通槽。该发明快速安装机构，通过设置移动框便于带动固定杆移动，能够使固定杆通过活动杆带动活动座进行移动，从而活动座带动定位柱对限位柱进行快速卡接固定，满足了倍增器本体与安装座之间的快速安装流程，提高了使用者安装倍增器本体的效率，同时降低了使用者对倍增器本体更换时对安装位置造成的损坏。
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公开(公告)号：CN113555503A
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202111090075.X
申请日：2021-09-17
Applicant: 材料科学姑苏实验室
Abstract: 本发明公开了一种离子阱芯片的制备方法、离子阱芯片和量子计算机，制备方法包括：提供衬底；在衬底的一侧形成包括多层导电层和多层介质层的层叠结构；刻蚀层叠结构形成至少两个第一开口，于第一开口中形成牺牲层；于层叠结构远离衬底的一侧形成第一光刻胶层并进行图案化；图案化后的第一光刻胶层包括第二开口，第二开口暴露位于相邻两个第一开口之间待刻蚀的层叠结构；刻蚀位于相邻两个第一开口之间待刻蚀的层叠结构，形成第三开口；沿垂直于衬底的方向，第一开口的深度大于第三开口的深度；去除牺牲层以形成囚禁离子的离子阱区，使得层叠结构中不同尺寸孔对位精确，保证了芯片电磁场的分布以及囚禁离子的势阱，提高了芯片的工作性能。
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公开(公告)号：CN111383870B
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN201811627330.8
申请日：2018-12-28
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H01J3/00
Abstract: 一种离子阱系统，包括激光调控模块用于将光束分为P个第一光束和Q个第二光束，P个第一光束中的N个第一光束分别传输至N个离子，Q个第二光束中的M个第二光束分别传输至M个监测单元；M个监测单元用于分别监测M个第二光束，并分别获取M个第二光束的空间强度分布信息，反馈控制模块用于接收M个第二光束的空间强度分布信息，根据M个第二光束的空间强度分布信息确定N个第一控制信号，并将N个第一控制信号传输至激光调控模块，其中，N个第一控制信号与N个第一光束一一对应，第一控制信号用于控制激光调控模块将对应的第一光束与离子对准。如此，有助于提高第一光束与对应离子的对准度，从而提高对离子进行量子态操控的保真度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113205985A
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202110331312.0
申请日：2021-03-25
Applicant: 中国电力科学研究院有限公司 , 中国电力科学研究院有限公司武汉分院 , 国家电网有限公司 , 国网江苏省电力有限公司营销服务中心
IPC: H01J3/02
Abstract: 本发明公开了一种基于光电子发射引出量子电流的方法及系统，属于电学计量量子化技术领域。本发明方法，包括：调节激光器的功率及发出的激光频率；控制激光器发出激光，并以预设角度射入光阴极电子枪光阴极的材料表面；当光阴极的材料表面内的电子与激光光子发生交互作用，且由穿隧效应引起电子迁移至金属表面并发射形成光电子后，在光阴极电子枪外阳极处施加强电场，将光电子引出，生成量子电流。本发明突破了传统的基于单电子隧道效应的电流量子化方式的限制，使得电流的流强有极大提高，同时也改进了电子源输出电子束流的稳定性。
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公开(公告)号：CN110957198B
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN201911273046.X
申请日：2019-12-12
Applicant: 中国科学院化学研究所
IPC: H01J3/18
Abstract: 本发明涉及一种逆压梯度传输的离子透镜系统，包括：从离子束入射方向依次串联的第一静电透镜组和第二静电透镜组；第一静电透镜组的透镜个数大于等于三个，且其个数为奇数；第一静电透镜组中每个静电透镜同轴设置，第奇数个第一静电透镜施加的电压为U1，第偶数个第一静电透镜施加的电压为U2，U1不等于U2；第二静电透镜组的透镜个数为大于等于两个，第二静电透镜组中每个静电透镜同轴设置，每个第二静电透镜组中心均设有通孔，且各通孔孔径沿离子束入射方向递减。本装置能够精确调节离子传输过程各静电透镜的电压，降低压梯度传输时离子通量损耗，并与逆压注入器耦合，实现逆压梯度下的离子的有效传输。
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公开(公告)号：CN112086330A
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN202011080535.6
申请日：2020-10-10
Applicant: 大连交通大学
Abstract: 本发明提供一种高能量离子源。本发明涉及超高真空设备开发领域。高能量离子源主要由离子聚焦机构、离子产生与引导机构、电子发射机构、氩气进入机构和角度可调机构组成。在这个核心构造里要产生氩离子，并完成对离子的加速和聚焦。本发明的离子产生与引导机构是由引出上覆盖栅网构成，该引导孔相对于氩离子处于负电压，电压值在数百至数千伏特之间可调。离子引导孔不仅可以加速氩离子，也可以约束离子束流的指向；本发明的离子聚焦机构采用三个互相绝缘的静电透镜，通过调节中间透镜可变电阻来调节离子束，进行进一步的约束；本发明的角度可调机构采用还可保证进气管与进气孔同轴心调形成团簇原子。本发明能够很好地约束离子束流的指向。
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公开(公告)号：CN109065428B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201810935160.3
申请日：2018-08-16
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及真空电子器件技术领域，公开了一种双栅控制式冷阴极电子枪及其制备方法。通过本发明创造，提供了一种工艺简单、使用寿命长和性能优良的新型电子枪，即采用冷阴极作为真空电子器件的发射源，并利用阴极栅网阵列化冷阴极表面，可有效削弱大面积冷阴极材料发射电子的静电屏蔽效应，提高大面积冷阴极材料的发射电流，同时将阴极衬底表面设计为一整个平面，不但可规避加工毛刺等问题，改善边缘效应及打火等现象，还可以使阴极衬底表面的电场分布较为平坦，有利于提高发射电流密度的均匀性，实现大电流发射目的，进而可适用于真空电子辐射元器件或产生大电流及高密度电子注的器件中。
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