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公开(公告)号:CN119998913A
公开(公告)日:2025-05-13
申请号:CN202380071729.5
申请日:2023-10-02
Applicant: ASML荷兰有限公司
Abstract: 一种用于被配置为沿着束路径投射带电粒子的带电粒子光学模块的平面元件堆叠,该堆叠包括相邻的一对平面元件,该相邻的一对平面元件被布置为跨束路径,其中平面元件中的一个平面元件包括对准基准件,并且平面元件中的另一平面元件包括监测孔径;其中一对平面元件相对于彼此定位,使得对准基准件与监测孔径在大体上垂直于平面元件的平面的方向上彼此对准。
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公开(公告)号:CN119923705A
公开(公告)日:2025-05-02
申请号:CN202380068047.9
申请日:2023-09-15
Applicant: 马克思-普朗克科学促进协会
IPC: H01J37/04 , H01J37/073
Abstract: 一种产生脉冲电子束(1)的电子束设备(100),脉冲电子束包括电子脉冲的序列,电子束设备包括:产生发射器激发脉冲(2)的序列的辐射源装置10,发射器激发脉冲特别是激光脉冲;具有光电发射电子源(21)的电子源装置(20),用于响应于发射器激发脉冲(2)的照射而辐射诱导地发射源电子脉冲(3);数态分散装置(30),用于将源电子脉冲(3)空间分离为子脉冲(4、4A),其中每个子脉冲(4、4A)包括整数电子数(n),n=1,2,3,…;以及数态选择器装置(40),用于选择包括至少一组预定电子数态的子脉冲(4、4A)作为待产生的脉冲电子束(1)。优选地,光电发射电子源(21)被配置为产生可计数的低电荷电子脉冲,例如每个脉冲包括1、2、3或4个电子。此外,描述了产生脉冲电子束(1)的方法和使用电子束设备的方法。
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公开(公告)号:CN119890020A
公开(公告)日:2025-04-25
申请号:CN202411892276.5
申请日:2024-12-20
Applicant: 北京烁科中科信电子装备有限公司
Abstract: 本发明公开了一种带斩波功能的脉冲高能离子注入机,包括通过束流管道依次连接的离子源、斩波单元、分析磁铁、射频加速段、能量磁铁、扫描电极、平行磁铁和靶室;所述斩波单元用于实现进入射频加速段的离子束从连续束转化为脉冲束,所述射频加速段包括射频脉冲功率源,以实现维持功率源平均功率的同时增加功率源的峰值功率,提升加速电场峰值。本发明具有结构紧凑、稳定性高且利于提升加速电场峰值等特点,有效降低了机台的占地面积,同时减少了机台耗电量。
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公开(公告)号:CN119698682A
公开(公告)日:2025-03-25
申请号:CN202380059458.1
申请日:2023-07-28
Applicant: 卡尔蔡司MultiSEM有限责任公司
IPC: H01J37/04 , H01J37/147 , H01J37/21 , H01J37/28
Abstract: 公开一种具有磁体配置以分隔一次粒子光学射束路径与二次粒子光学射束路径的粒子光学配置,特别是多束粒子显微镜。该磁体配置具有:第一磁场区域,一次粒子光学射束路径和二次粒子光学射束路径穿过第一磁场区域,用于将一次粒子光学射束路径与二次粒子光学射束路径彼此分隔;第二磁场区域,配置在该一次粒子光学射束路径中并且不配置在该二次粒子光学射束路径中,该第二磁场区域相对于该一次粒子光学射束路径配置在该第一磁场区域的上游,且该第一磁场区域和该第二磁场区域实质上使该一次粒子光学射束路径沿不同方向偏转;第三磁场区域,配置在该一次粒子光学射束路径中并且不配置在该二次粒子光学射束路径中,第三磁场区域相对于一次粒子光学射束路径配置在第二磁场区域的上游,且第一和第三磁场区域实质上使一次粒子光学射束路径沿相同方向偏转。一次粒子光学射束路径进入第三磁场区域的进入方向与该一次粒子光学射束路径从第一磁场区域的离开方向彼此平行且没有偏移。
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公开(公告)号:CN119492754A
公开(公告)日:2025-02-21
申请号:CN202411114555.9
申请日:2024-08-14
Applicant: 日本电子株式会社
Inventor: 小入羽祐治
Abstract: 提供一种能够对具有相互不同的灵敏度的多个传感器像素的灵敏度进行校正的电子显微镜。本发明的电子显微镜包含:电子光学系统,其对试样照射电子束,利用透射过试样的电子来进行成像;相机,其包含具有多个传感器像素的图像传感器,对基于通过向图像传感器入射电子而从多个传感器像素各自输出的输出值的帧图像进行拍摄;以及校正系数算出部,其算出用于对多个传感器像素的灵敏度进行校正的多个校正系数,校正系数算出部从在向图像传感器入射的电子遵循泊松过程的条件下拍摄的多个帧图像,按每个传感器像素求出输出值的众数,基于按每个传感器像素求出的众数,算出多个校正系数。
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公开(公告)号:CN119404275A
公开(公告)日:2025-02-07
申请号:CN202380048607.4
申请日:2023-07-08
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: H01J37/04 , H01J37/248
Abstract: 一种带电粒子光学组件,其被配置将射束栅格中的多个带电粒子束导向样品位置,带电粒子光学组件包括:平面带电粒子光学元件,其被配置以电压对射束栅格的带电粒子束进行操作,该带电粒子光学元件包括用于射束栅格的不同射束的路径的多个孔径;导电体,其电连接到带电粒子光学元件,其中在导电体内限定凹槽,其被配置为提供用于插入电耦合器的无场体积,以通过电耦合器将带电粒子光学元件与电源电连接;以及电绝缘体,其覆盖导电体表面的至少一部分,表面背对带电粒子光学元件。
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公开(公告)号:CN113424290B
公开(公告)日:2024-11-19
申请号:CN202080014117.9
申请日:2020-02-04
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor: S·B·汉森 , 任岩 , M·R·古森 , A·V·G·曼格努斯 , E·P·斯马克曼
Abstract: 在各方面中尤其地公开了一种带电粒子检查系统,其包括吸收部件和可编程带电粒子反射镜板,该可编程带电粒子反射镜板被布置为修改束中电子的能量分布并且对束进行整形以减少电子的能量散布和束的像差,其中吸收部件包括限定腔的结构,该腔具有内部表明以及设置在内部表上的超材料吸收体。在操作中,腔沿着束路径的一部分延伸。在其他实施例中,超材料包括吸收结构集合,该吸收结构集合被配置为设置在透明导电层上的吸收结构。进一步,公开了一种使用这种吸收部件并且使用可编程带电粒子反射镜板的方法,其中这种可编程带电粒子反射镜板包括像素集合,该像素集合被配置为生成定制电场以对束进行整形。
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公开(公告)号:CN118748143A
公开(公告)日:2024-10-08
申请号:CN202410853121.4
申请日:2024-06-28
Applicant: 上海邦芯半导体科技有限公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/30 , H01J37/04
Abstract: 本申请公开了一种离子束调整装置及其离子束调整方法。所述离子束调整装置包括:至少二离子调整分体,至少二所述离子调整分体围合形成位于其内的离子束通道;每一所述离子调整分体适于被电导通,并在其周围产生电场,使得离子束在通过由所述离子调整分体围合形成的离子束通道时被调整。本申请通过控制离子束调整装置的离子调整分体的电流来调整穿过离子束调整装置的离子束,降低了离子束调整装置的结构复杂度,且不仅能够调整离子束的电流大小,还能够调整离子束的离子分布密度。
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公开(公告)号:CN117897793A
公开(公告)日:2024-04-16
申请号:CN202280055600.0
申请日:2022-05-25
Applicant: 卡尔蔡司MultiSEM有限责任公司
Abstract: 提供一种用于多射束系统的多射束产生单元,其具有用于多个一次带电粒子小射束中的每一者的较大个别聚焦功率。该多射束产生单元包含主动端末多孔板。该端末多孔板可用于较大的聚焦范围,其用于多个一次带电粒子小射束中的每个小射束的个别消像散焦点调节。
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公开(公告)号:CN117630073A
公开(公告)日:2024-03-01
申请号:CN202311674550.7
申请日:2023-12-07
Applicant: 屹东光学技术(苏州)有限公司
IPC: G01N23/2251 , H01J37/244 , H01J37/04 , H01J37/26 , H01J37/28
Abstract: 本发明公开了一种扫描电子显微镜镜筒内二次电子探测方法及系统,其中,镜筒内由下至上依次设置有加速电极和二次电子探测器,所述二次电子探测器外设有一电极罩,所述方法包括:于所述加速电极上加上一第一电压以形成将样品表面产生的二次电子吸入镜筒内的第一压差;于所述电极罩上加上一第二电压以使进入镜筒内的二次电子缓慢加速至具有与所述第二电压相对应的能量以进入所述二次电子探测器内被探测。本发明的探测方法在不改变电镜整体系统的结构的情况下,仅通过引入第一电压和第二电压进行协同作用,解决了目前设备20kV以上成像能量无法使用镜筒内二次电子探测器的问题,同时能够使二次电子具备足够的能量进入二次电子探测器内被探测。
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