公开(公告)号：TWI291452B

公开(公告)日：2007-12-21

申请号：TW094143810

申请日：2005-12-12

Applicant: 得分科技公司 TOUCHDOWN TECHNOLOGIES, INC.

Inventor： 唐威龍 TANG, WEILONG ,  許財揚 HSU, TSENG-YANG ,  沙雷 伊斯梅爾 ISMAIL, SALLEH ,  尼姆 哈克 悌 TEA, NIM HAK ,  梅文B. 庫 KHOO, MELVIN B. ,  瑞菲 蓋洛貝迪恩 GARABEDIAN, RAFFI

IPC: B81C

CPC classification number: B81C1/00436 ,  B81C1/00666 ,  B81C2201/0107 ,  B81C2201/0197

Abstract: 本發明與在基板上形成微結構的方法相關。施加一個電鍍表面於基板上。第一光阻層施加在電鍍基材之上。第一光阻層以一個輻射線圖案暴露，以提供在第一圖案內可溶解的第一光阻層。除去可溶解光阻，然後電鍍第一層主要金屬在除去第一光阻層的區域上。然後除去剩餘的光阻部分，並且施加第二光阻層在電鍍基材以及第一層主要金屬上。第二光阻層然後暴露於第二輻射圖案，以使得光阻可溶解並且除去可溶解的光阻。第二圖案是一個圍繞主要結構的區域，但是它不包含整個基板。相反地它是圍繞主要金屬的一個島。然後機械加工次要金屬的暴露表面到主要金屬要求的一個高度。次要金屬然後被蝕刻掉。

Abstract in simplified Chinese: 本发明与在基板上形成微结构的方法相关。施加一个电镀表面于基板上。第一光阻层施加在电镀基材之上。第一光阻层以一个辐射线图案暴露，以提供在第一图案内可溶解的第一光阻层。除去可溶解光阻，然后电镀第一层主要金属在除去第一光阻层的区域上。然后除去剩余的光阻部分，并且施加第二光阻层在电镀基材以及第一层主要金属上。第二光阻层然后暴露于第二辐射图案，以使得光阻可溶解并且除去可溶解的光阻。第二图案是一个围绕主要结构的区域，但是它不包含整个基板。相反地它是围绕主要金属的一个岛。然后机械加工次要金属的暴露表面到主要金属要求的一个高度。次要金属然后被蚀刻掉。

公开(公告)号：TW200741801A

公开(公告)日：2007-11-01

申请号：TW095147884

申请日：2006-12-20

Applicant: 佛姆費克特股份有限公司 FORMFACTOR, INC.

Inventor： 瑪賽伍 蓋坦L. MATHIEU, GAETAN L. ,  方 崔蘭特 FANG, TRELIANT ,  赫伯斯 艾利克D. HOBBS, ERIC D.

IPC: H01L

CPC classification number: B81C1/0046 ,  B33Y10/00 ,  B81B2201/014 ,  B81B2203/0118 ,  B81C2201/0184 ,  B81C2201/0197 ,  C23C18/1608 ,  C23C18/1844 ,  C25D1/003 ,  C25D1/12 ,  C25D5/02 ,  G01R1/06755 ,  G01R3/00 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76873 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01055 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/1461 ,  H05K3/1275 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00

Abstract: 本發明係揭露用以沉積複數個滴粒於一三維陣列中之系統及方法。該陣列係可包含配置為形成一支撐構造之一第一型的滴粒及用以形成一傳導籽晶層於該支撐構造上之一第二型的滴粒。一構造材料可電沉積至籽晶層上以生成一三維構造。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系揭露用以沉积复数个滴粒于一三维数组中之系统及方法。该数组系可包含配置为形成一支撑构造之一第一型的滴粒及用以形成一传导籽晶层于该支撑构造上之一第二型的滴粒。一构造材料可电沉积至籽晶层上以生成一三维构造。