公开(公告)号：CN101192490B

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN200610157055.9

申请日：2006-11-24

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 柳鹏 ,  范守善 ,  刘亮 ,  姜开利

IPC: H01J1/316 ,  H01J3/02 ,  H01J29/04 ,  H01J37/06

CPC classification number: H01J1/316 ,  B82Y10/00 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2201/3165

Abstract: 本发明涉及一种表面传导电子发射元件(Surface-Conduction ElectronEmitter，简称SCE)。该表面传导电子发射元件包括一基板，一对位于基板上的平行电极及多个碳纳米管。本发明还涉及一电子源，该电子源包括一基板及多个上述SCE，多个SCE于基板上平行排列。该SCE与电子源可应用于表面传导电子发射显示装置(Surface Conduction Electron Emitter Display，简称SED)。

公开(公告)号：CN1711620B

公开(公告)日：2010-08-25

申请号：CN200380100887.1

申请日：2003-10-09

Applicant: 毫微-专卖股份有限公司

Inventor： D·毛 ,  R·菲因克 ,  Z·雅尼弗

IPC: H01J19/06

CPC classification number: H01J1/304 ,  B82Y10/00 ,  C23C18/1204 ,  C23C18/127 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2209/0223 ,  H01J2329/0455 ,  Y10S977/939 ,  Y10S977/952

Abstract: 本发明涉及阴极(100)和包括碳纳米管(CNT)(105)和颗粒(104)的阴极材料(106)。本发明还涉及包括本发明阴极(100)的场致发射器件和一种制造该阴极(100)的方法。在某些实施例中，本发明的阴极(100)用在场致发射显示器(200)中。本发明还包括一种在基板(204)上沉积一层CNT(105)和颗粒(104)而形成本发明阴极(100)的方法，以及一种控制在该混合层中使用的CNT(105)密度的方法，以使所得层的场致发射性能对于场致发射显示器应用来说是最优化。

公开(公告)号：CN1881512B

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：CN200610084157.2

申请日：2006-04-12

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 文希诚 ,  金载明

IPC: H01J1/30 ,  H01J29/04 ,  H01J31/12 ,  H01J9/02

CPC classification number: H01J9/025 ,  B82Y10/00 ,  H01J1/3048 ,  H01J2201/30469

Abstract: 一种显示装置和制造该显示装置的方法。电子发射体涂覆有金属氧化物纳米颗粒。显示装置包括电子发射体。电子发射体具有碳颗粒和金属氧化物颗粒。碳颗粒具有表面并且至少一部分金属氧化物颗粒形成在至少一部分碳颗粒表面上。当将具有涂覆外壁的碳纳米管用在电子发射体上时，电子发射发生在碳纳米管尖端和涂覆外壁，这使得当相邻的碳纳米管开始相互接触时，基于涂覆颗粒而增大电子发射区域并提高碳纳米管的传导率。

公开(公告)号：CN101483123B

公开(公告)日：2010-06-02

申请号：CN200810065180.6

申请日：2008-01-11

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 柳鹏 ,  刘亮 ,  姜开利 ,  范守善

IPC: H01J9/02 ,  H01J1/304

CPC classification number: H01J1/304 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30469

Abstract: 一种场发射电子器件的制备方法，其包括以下步骤：提供一绝缘基底；在该绝缘基底上分别制备多个平行且等间隔设置的行电极引线与多个列电极引线，每两个相邻的行电极引线与每两个相邻的列电极引线相互交叉形成一网格；在上述绝缘基底上制备多个阳极电极与多个阴极电极，在每个网格中间隔设置一阳极电极与一阴极电极；形成一碳纳米管薄膜结构覆盖于上述设置有电极和电极引线的绝缘基底上；切割碳纳米管薄膜结构，使阳极电极与阴极电极之间的碳纳米管薄膜结构断开，形成多个平行排列的碳纳米管长线固定于阴极电极上作为阴极发射体，从而得到一场发射电子器件。

公开(公告)号：CN101335175B

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200710076271.5

申请日：2007-06-29

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 杨远超 ,  刘亮 ,  姜开利 ,  范守善

IPC: H01J31/15 ,  H01J29/02 ,  H01J29/04

CPC classification number: H01J31/123 ,  H01J29/862 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2329/0455

Abstract: 本发明涉及一种场发射像素管。所述的场发射像素管包括壳体、分别设置在壳体两端的阳极与阴极，所述阴极包括碳纳米管线，所述场发射像素管还包括屏蔽极，所述屏蔽极环绕所述碳纳米管线设置。所述场发射像素管中，屏蔽极可以屏蔽阳极的高电压，降低碳纳米管线表面电场强度，使碳纳米管线在高电压下可保持小的发射电流，符合理想的场发射像素管的工作条件。

公开(公告)号：CN101679020A

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200880012169.1

申请日：2008-02-15

Applicant: 阿克伦大学 ,  伦塞勒理工学院

Inventor： P·M·阿贾延 ,  A·迪诺瓦拉

IPC: B82B1/00 ,  B32B27/00 ,  C08K3/04

CPC classification number: A61L24/0078 ,  B81C1/00206 ,  B82Y30/00 ,  C08K7/24 ,  C08K2201/011 ,  C09J7/00 ,  C09J2201/626 ,  H01J1/304 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2329/0455 ,  Y10T428/2933 ,  Y10T428/298

Abstract: 本发明涉及碳纳米结构复合系统，该系统可用于各种应用，包括作为干胶粘剂、电子和显示技术，或者其中可形成有序纳米结构并整合入柔性衬底内的各种其它用途。本发明提供系统和方法，其中将有序纳米管结构或其它纳米结构包埋入聚合物或其它柔性材料内以提供柔性皮肤样材料，具有开发用于各种应用的纳米管或其它纳米结构的性能和特征。一方面，本发明涉及具有形成预定构造的多个碳纳米管的碳纳米管/聚合物复合材料，所述多个纳米管各自具有所需宽度和长度。

公开(公告)号：CN100573776C

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN200510064036.7

申请日：2005-02-28

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 南仲佑 ,  柳美爱 ,  朴钟换 ,  金元锡

IPC: H01J1/30 ,  C01B31/00 ,  H01J9/02 ,  H01J29/04

CPC classification number: H01J9/025 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  H01J1/304 ,  H01J2201/30469

Abstract: 本发明涉及一种用于形成电子发射设备的电子发射源的组合物和采用这种组合物的电子发射源。组合物包括一种包含呈现RBM峰值的多壁碳纳米管的糊状物。所述糊状物进一步包括无机粉末、黏合剂树脂和有机溶剂。通过采用具有良好的寿命和电子发射特性的多壁碳纳米管，由本发明的组合物制造的电子发射源改善了电子发射设备的寿命和电子发射特性。

公开(公告)号：CN101553076A

公开(公告)日：2009-10-07

申请号：CN200810182001.7

申请日：2008-11-28

Applicant: 普拉德研究及开发股份有限公司

Inventor： 乔尔·L·格罗夫斯

IPC: H05H3/06 ,  G01V5/10 ,  E21B49/00

CPC classification number: H05H3/06 ,  B82Y99/00 ,  G01V5/10 ,  H01J2201/30469 ,  Y10S977/963

Abstract: 中子发生器包括设置在包含可电离气体的增压环境中的离子源。离子源包括碳纳米管束从中伸出的基板。纳米管的末端与栅极隔开。离子源供电电路在离子源的基板和栅极之间施加正电压，从而使可电离气体电离并通过栅极发射离子。离子加速器部分设置在离子源和靶之间。离子加速器部分使通过栅极的离子朝向靶加速，使得离子与靶的碰撞导致靶产生并发射中子。离子源、加速器部分和靶装在密封管中，并优选碳纳米管束具有至少106个/cm2高度有序的沿基本平行于密封管中轴方向延伸的碳纳米管。该中子发生器提供原子/分子的比例比现有技术高得多的气体电离，这可实现小尺寸的紧凑设计以适用于在空间有限的井下环境使用的测井工具。

公开(公告)号：CN101513125A

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200680055171.8

申请日：2006-06-28

Applicant: 汤姆森许可贸易公司

Inventor： 詹姆·弗朗西斯·爱德华兹 ,  皮特·迈克尔·锐特

IPC: H05B33/10 ,  H05B33/12 ,  H05B33/22 ,  H01L51/50

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01J29/864 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2329/864 ,  H01J2329/8645

Abstract: 本发明公开了一种用于碳纳米管(CNT)/场发射器件(FED)显示装置的电阻间隔器涂层。电阻间隔器涂层在保持阴极与荧光屏之间的场电势的同时在显示装置的工作期间减小间隔器的静电放电。电阻涂层包括一个或多个电阻材料，所述一个或多个电阻材料与然后施加到间隔器的粘合剂结合。

公开(公告)号：CN101499393A

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200910009951.4

申请日：2002-11-18

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 八木贵郎 ,  岛村敏规

IPC: H01J9/02

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30469

Abstract: 本发明涉及电子发射体、冷阴极场电子发射元件和冷阴极场电子发射显示装置的制造方法。冷阴极场电子发射元件的制造方法由下列工序组成：(a)在设置于支撑体(10)上的阴极电极(11)的所希望的区域上，形成由母材(21)掩埋了碳纳米管结构体(20)的复合体层(22)的工序；以及(b)在使剥离层(24)附着于复合体层(22)的表面后，用机械方法将剥离层(24)剥离，在顶端部突出的状态下，得到碳纳米管结构体(20)被埋入母材(21)中的电子发射部(15)的工序。