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公开(公告)号：CN101206980A
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN200610157895.5
申请日：2006-12-22
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J9/025 , H01J2201/30469 , Y10S977/742 , Y10S977/843
Abstract: 一种场发射阴极的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底；在上述基底表面形成一导电薄膜层；在导电薄膜层上形成一含碳的催化剂层；通入碳源气与载气的混合气体流经上述催化剂层表面；以及以激光束聚焦照射基底从而生长碳纳米管阵列，形成场发射阴极。
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公开(公告)号：CN101171379A
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN200680015272.2
申请日：2006-05-05
Applicant: 毫微-专卖股份有限公司
CPC classification number: H01J9/025 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/15 , H01J1/304 , H01J31/127 , H01J2201/30469 , H01L51/0005 , H01L51/0048 , H01L51/0052
Abstract: 可与颗粒、有机材料、非有机材料或溶剂混合或未混合的碳纳米管沉积在基材上形成冷阴极。可使用喷墨印刷方法或丝网印刷方法沉积所述碳纳米管混合物。
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公开(公告)号：CN101101839A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200610061573.0
申请日：2006-07-07
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J31/127 , H01J9/025 , H01J29/04 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明涉及一种场发射阴极，包括基底、设置在基底上且厚度为60纳米～200纳米的金属电极和形成在金属电极上的碳纳米管阵列，其中，金属电极与碳纳米管阵列之间设置一个铝过渡层，该铝过渡层的厚度为5纳米～40纳米。本发明还涉及一种上述场发射阴极的制造方法。
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公开(公告)号：CN101093771A
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN200610061307.8
申请日：2006-06-23
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J3/022 , B82Y10/00 , H01J9/025 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明提供一种碳纳米管场发射体，其包括阴极、阳极、位于阴极与阳极之间的栅极、用作发射单元的碳纳米管和将栅极与阴极隔开一定距离的支撑体，该碳纳米管的一个端面与阴极电性相连，所述栅极与支撑体之间设置有绝缘体。该碳纳米管场发射体可防止栅极与碳纳米管之间发生短路。
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公开(公告)号：CN101093766A
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN200710137001.0
申请日：2001-06-19
Applicant: 纳幕尔杜邦公司
CPC classification number: B82Y10/00 , H01J1/3048 , H01J9/025 , H01J2201/30469 , H01J2329/00
Abstract: 本发明提供一种改进由诸如针状碳、针状半导体、针状金属或其混合物之类针状发射物质组成的场致电子发射体的场致发射的方法，包括对场致电子发射体的表面施加力，其中该力导致场致电子发射体的一部分被去掉，从而形成新的场致电子发射体表面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101093764A
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN200610061305.9
申请日：2006-06-23
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J9/025 , B82Y10/00 , H01J1/304 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明涉及一种场发射元件，该场发射元件包括一支撑体线材及一包覆在该支撑体线材外表面的碳纳米管场发射层。本发明还涉及一种场发射元件的制备方法，其包括以下步骤：提供一支撑体线材；在该支撑体线材外表面形成一碳纳米管场发射层；按照预定长度切割该外表面形成有碳纳米管场发射层的支撑体线材，并在切割后对其进行表面处理，形成场发射元件。
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公开(公告)号：CN101086939A
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：CN200610061093.4
申请日：2006-06-09
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J1/304 , B82Y10/00 , D02G3/12 , D02G3/16 , D02G3/441 , D10B2101/122 , H01J29/481 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明涉及一种场发射元件，其包括至少一碳纳米管场发射线材及至少一支撑体线材，该碳纳米管场发射线材和该支撑体线材相互缠绕形成多股绞线结构。本发明还涉及一种场发射元件的制备方法，其包括以下步骤：提供至少一碳纳米管场发射线材与至少一支撑体线材；用纺线工艺将该碳纳米管场发射线材与该支撑体线材相互缠绕形成多股绞线结构；按照预定长度切割该碳纳米管场发射线材与该支撑体线材相互缠绕形成的多股绞线，形成场发射元件。
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公开(公告)号：CN101047085A
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200610060128.2
申请日：2006-03-31
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J1/304 , B82Y10/00 , H01J7/18 , H01J9/025 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明涉及一种场发射电子源，其包括至少一个电子发射体，该电子发射体包括导电基底和形成在导电基底上的电子发射层，该电子发射层至少覆盖于导电基底的顶部，其包含吸气剂微粒、金属导电微粒、纳米材料和玻璃。本发明还涉及一种制造上述场发射电子源的方法。
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公开(公告)号：CN100341094C
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN01811636.1
申请日：2001-06-19
Applicant: 纳幕尔杜邦公司
IPC: H01J9/02
CPC classification number: B82Y10/00 , H01J1/3048 , H01J9/025 , H01J2201/30469 , H01J2329/00
Abstract: 本发明提供一种改进由诸如针状碳、针状半导体、针状金属或其混合物之类针状发射物质组成的场致电子发射体的场致发射的方法，包括对场致电子发射体的表面施加力，其中该力导致场致电子发射体的一部分被去掉，从而形成新的场致电子发射体表面。
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公开(公告)号：CN101027742A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200580025402.6
申请日：2005-07-26
Applicant: 大日本网目版制造株式会社 , 野田优
Inventor： 野田优
CPC classification number: H01J29/04 , B82Y10/00 , H01J31/127 , H01J2201/30469
Abstract: 一种碳纳米管装置，其包括：基板(1)；层(3)，其与该基板(1)相接并具有在该基板(1)的垂直方向上贯通的间隙(5)；碳纳米管(7)，其形成在面向该间隙(5)的该基板(1)的表面上并具有相应于与该间隙(5)的中心的距离而连续地变化的数量密度分布，碳纳米管(7)通过基板(1)地相反侧的覆盖膜(4)的开口部及间隙(5)来供给催化剂物质，从而稀释催化剂物质的供给量，在面向间隙(5)的基板上形成具有对应于间隙(5)的外观形状的担载量分布的催化剂后，通过供给碳源，在基板(1)上形成具有数量密度分布的碳纳米管(7)。
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