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公开(公告)号：JP2021185617A
公开(公告)日：2021-12-09
申请号：JP2021137924
申请日：2021-08-26
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
Inventor： 松林 大介
IPC: H01L27/108 , H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L27/1156 , H01L29/786 , G11C15/04 , H01L21/8242
Abstract: 【課題】回路面積を小さくする。 【解決手段】記憶データとしてデータを記憶するメモリセルと、出力信号線と、電圧が与 えられる配線と、を具備し、メモリセルは、記憶データと検索データの比較演算を行い、 演算結果に応じて導通状態又は非導通状態になる比較回路と、記憶データの書き込み及び 保持を制御する電界効果トランジスタと、を備え、比較回路が導通状態のときに、出力信 号線の電圧値が配線の電圧と同等の値になる記憶装置。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2021185433A
公开(公告)日：2021-12-09
申请号：JP2021140673
申请日：2021-08-31
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
Inventor： 吉住 健輔
Abstract: 【課題】可撓性を有する電子機器において、信頼性を向上させること。または、可撓性を 有する電子機器において、湾曲させることによる破損を防止すること。 【解決手段】可撓性を有する電子機器を湾曲させる際、その曲率半径の許容値を設けるこ とに想到した。電子機器に湾曲した領域における立体形状を検出する検出部を設け、許容 される曲率半径よりも小さい曲率半径での湾曲が検出されたときに、ユーザに対して警告 を発する構成とすればよい。 【選択図】図4
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公开(公告)号：JP2021185416A
公开(公告)日：2021-12-09
申请号：JP2021120108
申请日：2021-07-21
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
Abstract: 【課題】軽量であり破損しにくく、可撓性を有する発光装置を提供する。 【解決手段】第1の可撓性基板201と、第2の可撓性基板103と、素子層101と、第1の接着層203と、第2の接着層105と、を有し、素子層は、発光素子を有し、素子層は、第1の可撓性基板及び第2の可撓性基板の間に位置し、第1の接着層は、第1の可撓性基板及び素子層の間に位置し、第2の接着層は、第2の可撓性基板及び素子層の間に位置し、素子層の端部よりも外側で、第1の接着層及び第2の接着層が接し、素子層の端部、第1の接着層の端部、及び第2の接着層の端部よりも外側で、第1の可撓性基板及び第2の可撓性基板が接する、発光装置である。 【選択図】図2
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公开(公告)号：JP6976478B1
公开(公告)日：2021-12-08
申请号：JP2021155012
申请日：2021-09-24
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
Inventor： 小山 潤
IPC: H01L27/146
Abstract: 【課題】安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを有する電位保持機能の高い固体撮 像素子を提供する。 【解決手段】固体撮像素子の信号電荷蓄積部を光電変換素子のカソード電位に初期化する ことでリセットトランジスタを省く構成とし、酸化物半導体層を用いたオフ電流が1×1 0 −13 A以下の薄膜トランジスタを固体撮像素子の転送トランジスタに用いることで信 号電荷蓄積部の電位が一定に保たれ、ダイナミックレンジを向上させることができる。ま た、周辺回路に相補型金属酸化物半導体素子が作製可能なシリコン半導体を用いることで 高速かつ低消費電力の半導体装置を作製することができる。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JPWO2020099978A1
公开(公告)日：2021-12-02
申请号：JPIB2019059464
申请日：2019-11-05
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
Abstract: 高容量で充放電サイクル特性に優れた、リチウムイオン二次電池用正極活物質を提供する。リチウム、コバルト、元素Xおよびフッ素を有する正極活物質であり、層状岩塩型構造で表される領域を有し、領域は、空間群がR−3mで表され、元素Xは、コバルト酸リチウムのリチウム位置に置換された場合の安定化エネルギーから置換前の安定化エネルギーを引いた値であるΔE3が、コバルト酸リチウムのコバルト位置に置換された場合の安定化エネルギーから置換前の安定化エネルギーを引いた値であるΔE4よりも小さい性質を有する元素から選ばれる一以上であり、ΔE3およびΔE4は第一原理計算にて計算される。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JPWO2020095141A1
公开(公告)日：2021-12-02
申请号：JPIB2019059205
申请日：2019-10-28
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01L51/50
Abstract: 発光効率及び信頼性が高い発光デバイスを提供する。発光層にホスト材料とゲスト材料を含む発光デバイスである。ホスト材料は三重項励起エネルギーを発光に変換する機能を有し、ゲスト材料は蛍光を発する。ゲスト材料の分子構造は、発光団と保護基を有する構造であり、保護基はゲスト材料1分子中に5個以上含まれる。保護基を分子中に導入することで、ホスト材料からゲスト材料へのデクスター機構による三重項励起エネルギー移動を抑制する。保護基としては、アルキル基、分岐鎖アルキル基を用いる。ホスト材料に5員環骨格を有する材料を用いることで、より発光効率が向上した発光デバイスを得ることができる。
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公开(公告)号：JP2021184494A
公开(公告)日：2021-12-02
申请号：JP2021136245
申请日：2021-08-24
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
Inventor： 加藤 清
IPC: H01L27/108 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L27/1156 , H01L29/786 , H01L21/8242
Abstract: 【課題】電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも 制限が無い、新たな構造の半導体装置を提供する。 【解決手段】第1のトランジスタと第2のトランジスタを有し、第1のトランジスタと第 2のトランジスタとは少なくとも一部が重畳する第1のメモリセルと、第3のトランジス タと第4のトランジスタを有し、第3のトランジスタと第4のトランジスタとは少なくと も一部が重畳する第2のメモリセルと、駆動回路と、を有し、第2のメモリセルは、第1 のメモリセル上に設けられ、第1のトランジスタは、第1の半導体材料を含んで構成され 、第2のトランジスタ、第3のトランジスタ、および第4のトランジスタ、は、第2の半 導体材料を含んで構成される半導体装置である。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2021184105A
公开(公告)日：2021-12-02
申请号：JP2021129665
申请日：2021-08-06
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: G09G3/20 , G09F9/30 , G09G3/3233
Abstract: 【課題】新規な表示装置を提供すること。 【解決手段】2T−1Cの回路構成を有する表示装置において、電流供給線とトランジス タとの間にスイッチを設ける。スイッチは、データ電圧書き込み期間においてオフにする よう制御する。スイッチをオフにすることで、トランジスタのソースまたはドレインの一 方を電気的に浮遊状態とすることができる。このようにすることで、発光素子の陽極側の 電位の上昇を抑制し、データ電圧書き込み期間での意図しない発光を抑制することができ る。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2021183620A
公开(公告)日：2021-12-02
申请号：JP2021127973
申请日：2021-08-04
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: C09K11/06 , C07D487/04
Abstract: 【課題】新規発光材料を提供する。または、新規有機金属錯体を提供する。または、キャ リアの輸送性が高い有機金属錯体を提供する。また、HOMO準位及び/又はLUMO準 位が深い有機金属錯体を提供する。また、電荷の注入性が良好な有機金属錯体を提供する 。また、緑色から青色のりん光を呈することが可能な有機金属錯体を提供する。また、キ ャリア輸送性が良好であり且つ緑色から青色のりん光を呈する有機金属錯体を提供する。 【解決手段】5−(2−ピリジニル)−5H−ベンゾイミダゾ[1,2−a]ベンゾイミ ダゾール構造を有する配位子を含む有機金属錯体及びそれを用いた発光材料を提供する。 【選択図】なし
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公开(公告)号：JP6975838B2
公开(公告)日：2021-12-01
申请号：JP2020216216
申请日：2020-12-25
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: G02F1/1368 , H01L27/32 , H01L29/786 , H05B33/12 , H01L51/50 , H05B33/14 , G09F9/30
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