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公开(公告)号：JPWO2016174860A1
公开(公告)日：2017-09-07
申请号：JP2017515386
申请日：2016-04-22
IPC: H01L21/205 , C23C16/458 , H01L21/683
CPC classification number: C23C16/458 , C30B25/12 , H01L21/205 , H01L21/677
Abstract: 本発明は、ウェーハの裏面及び面取り部にリフトピン又はサセプタとの接触に起因する深い疵を発生させず、かつ、サセプタからの発塵を抑制することが可能なサセプタを提供する。本発明の一実施形態のサセプタ20は、サセプタ本体30及び弧状部材40A,40Bを含む。座ぐり部21の底面は、弧状サセプタ部材のおもて面41A,41Bの全体と、サセプタ本体のおもて面の一部33とで構成される。ウェーハWを搬送する際に、リフトピン44により上昇される弧状部材40A,40Bのおもて面の全体が、ウェーハWの裏面の外周部のみを面接触で支持する。
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公开(公告)号：JP2017092370A
公开(公告)日：2017-05-25
申请号：JP2015223796
申请日：2015-11-16
Applicant: 株式会社Sumco , Sumco Corp , 株式会社Sumco
Inventor： MIZUTA MASAHIKO
IPC: H01L21/205 , C23C16/52 , C30B25/16 , C30B29/06
Abstract: 【課題】チャンバを分解及び組み立てした後に、均一な厚さ分布を有するエピタキシャル膜を形成できる、エピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。【解決手段】チャンバ2内で、ウェーハW上にエピタキシャル膜を形成する第1エピタキシャルウェーハ製造工程と、第1エピタキシャルウェーハ製造工程で形成されたエピタキシャル膜の非対称度を測定する非対称度測定工程と、過去に成膜条件を変更してエピタキシャル膜の非対称度を調整した際の調整実績に関する複数組の調整データから、次に形成するべきエピタキシャル膜の成膜条件を選択する条件選択工程と、条件選択工程で選択された成膜条件に基づきチャンバ2内で、ウェーハW上にエピタキシャル膜を形成する第2エピタキシャルウェーハ製造工程を行う。【選択図】図1
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公开(公告)号：JPWO2015099001A1
公开(公告)日：2017-03-23
申请号：JP2015554979
申请日：2014-12-25
CPC classification number: G01N21/23 , C03C3/04 , C30B15/10 , C30B29/06 , G01L1/24 , G01L5/0047 , G01N2201/062 , G01N2201/0683 , H04N5/232
Abstract: 石英ガラスルツボ全体の歪み分布を非破壊で測定する。歪み測定装置は、石英ガラスルツボ1にその外側から投光する光源11と、光源11と石英ガラスルツボ1の壁体の外表面との間に配置された第1の偏光板12及び第1の1/4波長板13と、石英ガラスルツボ1の内側に配置されたカメラ14と、カメラ14の撮影方向を制御するカメラ制御機構15と、カメラ14と石英ガラスルツボ1の壁体の内表面との間に配置された第2の偏光板16及び第2の1/4波長板17とを備える。第2の1/4波長板17の光学軸は第1の1/4波長板13の光学軸に対して90度傾けられている。カメラ14は、光源11から投光され、第1の偏光板12、第1の1/4波長板13、石英ガラスルツボ1の壁体、第2の1/4波長板17及び第2の偏光板16を通過した光を撮影する。【選択図】図1
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公开(公告)号：JPWO2015050260A1
公开(公告)日：2017-03-09
申请号：JP2015540576
申请日：2014-10-03
IPC: C09K3/14 , B24B37/00 , C09G1/02 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/02024 , C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463
Abstract: シリカ粒子、アルカリ性物質、水溶性合成高分子、および水を含む研磨用組成物であって、前記水溶性合成高分子は構成単位(1)を有し、前記構成単位(1)は、酸素含有基およびカルボニル基を有し、前記酸素含有基は、アルコール性水酸基または置換もしくは非置換のアルコキシ基であり、前記カルボニル基は、ケト基、エステル結合、またはアミド結合の一部をなすカルボニル基であることを特徴とする研磨剤組成物、これを用いたシリコンウェハー用研磨剤組成物、およびシリコンウェハー製品の製造方法。
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公开(公告)号：JP2015032763A
公开(公告)日：2015-02-16
申请号：JP2013162880
申请日：2013-08-06
Applicant: 株式会社Sumco , Sumco Corp , 株式会社Sumco
Inventor： ASARI MASAHIRO
IPC: H01L21/677 , B65G49/07
Abstract: 【課題】カセットに収容された複数枚のウェーハをカセットごと台車に載せて運搬する際にウェーハの物理的損傷を防止する。【解決手段】ウェーハ運搬台車1は、手押し操作により走行可能な台車本体10と、台車本体10の上部に設けられ、カセット5の搭載面を構成する支持台11と、支持台11の角度を調整する角度調整機構12とを備えている。支持台11は、ウェーハWの主面と平行なカセット5の主面と接する第1天板部11aと、ウェーハWの主面と直交するカセット5の底面と接する第1天板部11bとを有している。角度調整機構12は、台車本体10の走行方向に対して90度の方向における支持台11の第1天板部11aの水平面に対する角度を0度〜90度の範囲内で固定することができ、ウェーハ運搬時には、支持台11の第1天板部11aの傾斜角度を5度〜45度の範囲内で固定した状態で台車本体10を走行させる。【選択図】図5
Abstract translation: 要解决的问题：为了防止在运送晶片时将多个晶片容纳在盒中的物理损坏，同时将它们与盒一起安装在货车上。解决方案：晶片运输车1包括：车身10，其可以行进 手推操作; 基座11，其设置在货车车身10的上部并形成盒5的安装面; 以及用于调节基座11的角度的角度调节机构12.基座11包括：与盒5的主表面接触的第一顶板部分11a，其与晶片W的主表面平行; 以及与盒5的底面接触的第一顶板部11b，其与晶片W的主表面正交。角度调节机构12能够固定与第一顶板的水平面成一角度 在0°〜90°的范围内，基座11的与车体10的行进方向成90°方向的部分11a。 当运送晶片时，使车身10在基座11的第一顶板部11a的倾斜角度固定在5°至45°的范围内的状态下行进。
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公开(公告)号：JP5656132B2
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：JP2012512729
申请日：2011-03-23
CPC classification number: H01L21/02024 , B24B37/044 , B24B37/08 , B24B37/245 , B24B37/28
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公开(公告)号：JP2015008314A
公开(公告)日：2015-01-15
申请号：JP2014165233
申请日：2014-08-14
Applicant: 株式会社Sumco , Sumco Corp , 株式会社Sumco
Inventor： UMENO SHIGERU , ONO TOSHIAKI , SUGIMURA WATARU
IPC: H01L21/324 , C30B29/06 , C30B33/02 , H01L21/322
Abstract: 【課題】ゲッタリング能力に優れ、エピタキシャル層内へのエピ欠陥発生が抑制され、抵抗変動率の少ないエピタキシャルウェーハを提供する。【解決手段】本発明のエピタキシャルウェーハの製造方法は、FT−IR法(ASTM F121−79)で測定した格子間酸素濃度が、18?1017〜21?1017atoms/cm3のシリコン単結晶インゴットをチョクラルスキー法によって育成する育成工程と、前記シリコン単結晶インゴットからウェーハを切り出す工程と、前記シリコンウェーハに対して、750℃〜850℃までの温度で20分以50分以下の熱処理を行う工程と、前記シリコンウェーハに対してエピタキシャル成長を行う工程とを含む。【選択図】なし
Abstract translation: 要解决的问题：为了提供具有优异吸气能力的外延晶片，允许抑制外延层中的外延缺陷的发生，并且导致电阻率的变化较小。解决方案：制造外延晶片的方法包括：步骤 通过使用Czochralski法通过FT-IR法（ASTM F121-79）测定的间隙氧浓度为18×10〜21×10原子/ cm的硅单晶锭; 从硅单晶锭切割晶片的步骤; 将硅晶片在750℃至850℃的温度下进行不少于20分钟但不超过50分钟的热处理的步骤; 以及外延生长硅晶片的步骤。
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